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公开(公告)号：CN109545883B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910021599.X
申请日：2019-01-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器及制备方法，包括P型衬底、I型吸收倍增层、N型层。P型衬底、I型吸收倍增层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从P型衬底入射，P型衬底上接电源的阴极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层外接电源的阳极。本发明结构简单，易于制备，同时可降低由载流子浓度差和缺陷浓度引起的暗计数，提高信噪比。
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公开(公告)号：CN115172508A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210848023.2
申请日：2022-07-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种耐击穿平面型雪崩单光子探测器及其制备方法，包括衬底、缓冲层、P型层、I型层、N型层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层和P型层依次生长在衬底上、N型层和I型层形成在P型层中；光子从P型衬底入射，P型衬底上的阴极引出端接电源的负极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层上的阳极引出端接电源的正极。本发明结构简单，易于制备，可以使器件在高偏压下获得高增益。
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公开(公告)号：CN117471717A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311699214.8
申请日：2023-12-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的动态调制超表面及其制备方法。所述超表面由按二维正方晶格排列的单元构成，所述的单元结构为在所述的衬底上有多层膜，并在多层膜上有复合材料纳米柱。本发明通过设计多层膜的层数和厚度并选择合适的单元结构周期与纳米柱的尺寸，利用材料相变过程中产生的折射率变化，从而实现对透过光束的透过率和波前相位的动态操控。利用相变过程中折射率变化及复合材料纳米柱长短轴的相位调制差别，可实现出射光三种偏振态的切换且透射率可以实现依次降低约一个数量级的同步调节。本发明提升了光调制超表面的调控维度，降低了器件的尺寸,提高了器件的可集成性。
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公开(公告)号：CN114420783A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210123375.1
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于双雪崩机制的台面型雪崩单光子探测器，包括衬底、缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层、钝化层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从衬底入射，P型层上的阴极引出端接电源的负极，N型层上的阳极引出端接电源的正极，光子被第一吸收层，第二吸收层所吸收，且在第一吸收层和I型层进行倍增。本发明工艺简单，设计紧凑，同时在高温工作环境下可大幅度降低暗电流，提高增益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109545883A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201910021599.X
申请日：2019-01-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器及制备方法，包括P型衬底、I型吸收倍增层、N型层。P型衬底、I型吸收倍增层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从P型衬底入射，P型衬底上接电源的阴极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层外接电源的阳极。本发明结构简单，易于制备，同时可降低由载流子浓度差和缺陷浓度引起的暗计数，提高信噪比。
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公开(公告)号：CN109100870A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811176482.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B27/09
Abstract: 本发明公开了一种全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器及制备方法，包括衬底、介质纳米柱阵列。这些介质纳米柱按照特定的方式排布在衬底上；本发明通过选择合适的纳米柱周期与纳米柱的尺寸(长﹑宽﹑高)，通过引入几何相位，调节纳米柱绕其中心轴的旋转角度，从而实现对透过光束的波前相位进行全相位操控。将透镜和涡旋相位板的功能集成到一块介质纳米柱阵列器件上，实现对涡旋光束的聚焦，在设定的焦平面上产生“甜甜圈式”的能量密度分布。基于全息原理，在一个器件上实现了涡旋光束的多路产生。本发明大大提升了涡旋光产生器件的效率，降低器件的尺寸,提高了器件的可集成性。
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公开(公告)号：CN209447826U
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201920036772.9
申请日：2019-01-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本专利公开了一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器，包括P型衬底、I型吸收倍增层、N型层。P型衬底、I型吸收倍增层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从P型衬底入射，P型衬底上接电源的阴极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层外接电源的阳极。本专利结构简单，易于制备，同时可降低由载流子浓度差和缺陷浓度引起的暗计数，提高信噪比。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209148978U
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201821638646.2
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B27/09
Abstract: 本专利公开了一种全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器，包括衬底、介质纳米柱阵列。这些介质纳米柱按照特定的方式排布在衬底上；本专利通过选择合适的纳米柱周期与纳米柱的尺寸(长﹑宽﹑高)，通过引入几何相位，调节纳米柱绕其中心轴的旋转角度，从而实现对透过光束的波前相位进行全相位操控。将透镜和涡旋相位板的功能集成到一块介质纳米柱阵列器件上，实现对涡旋光束的聚焦，在设定的焦平面上产生“甜甜圈式”的能量密度分布。基于全息原理，在一个器件上实现了涡旋光束的多路产生。本专利大大提升了涡旋光产生器件的效率，降低器件的尺寸,提高了器件的可集成性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN216902973U
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202220266897.2
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本专利公开了一种基于双雪崩机制的台面型雪崩单光子探测器，包括衬底、缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层、钝化层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从衬底入射，P型层上的阴极引出端接电源的负极，N型层上的阳极引出端接电源的正极，光子被第一吸收层，第二吸收层所吸收，且在第一吸收层和I型层进行倍增。本专利工艺简单，设计紧凑，同时在高温工作环境下可大幅度降低暗电流，提高增益。
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