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公开(公告)号：CN114545620A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210123406.3
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种对非理想刻蚀工艺制备介质超表面的补偿设计方法，该方法基于介质超表面的结构，制备工艺以及等效介质理论提出。通过本发明，一旦知晓了刻蚀工艺在设计要求的刻蚀深度下，不同线宽的版图刻蚀出来的结构形状和尺寸，以本发明给出的补偿方法为指导，在该加工工艺参数不变的前提下，对曝光版图的图形尺寸进行调整，就能够一定程度上减小不理想的刻蚀工艺带来的效率损失。本发明中修正补偿的参数仅包括所设计的曝光版图中图形尺寸的参数。该补偿设计方法能够减少研发基于刻蚀工艺制备介质超表面的周期和成本，并且能够提高基于刻蚀工艺制备的介质超表面的性能。
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公开(公告)号：CN1088190C
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：CN96116505.7
申请日：1996-09-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明提供了一种在超高真空条件下非接触式的原位AlxGa1-xAs组分检测技术，它把分子束外延系统的超高真空条件，与调制光谱系统有机地结合起来，形成了一个测量AlxGa1-xAs薄膜Al组分的准确有效的方法，本发明介绍了该系统的结构，包括光路结构与分子束外延系统的结合，及测量控制系统与数据采集系统，在硬件及软件上形成一整套完善的系统，尤其适宜于对超薄层及对有多层复杂结构的AlxGa1-xAs生长过程中在位组分检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118448484A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410578628.3
申请日：2024-05-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/02 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种集成式动态调控高选择比红外偏振探测器及制备方法，涉及光电技术领域，探测器包括：自下至上的衬底层、金属反射层、电介质层以及电极层，还包括二维材料层；电极层包括源极、漏极、集成在源极的金属二维超材料以及集成在漏极的金属二维超材料；源极与漏极对称设置，且源极与漏极之间设有沟道；二维材料层跨越沟道并电连接源极及漏极；当探测器工作在零偏压状态时，光响来自于源极及漏极与金属二维超材料构成的肖特基结诱导的光热电效应；通过金属反射层配置源极及漏极的石墨烯的载流子浓度，在任一特定角度的线偏振光照射下，调控光电流的偏振消光比和方向。本发明实现了无穷高的消光比和任意偏振角度的0光电流响应。
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公开(公告)号：CN114545620B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210123406.3
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种对非理想刻蚀工艺制备介质超表面的补偿设计方法，该方法基于介质超表面的结构，制备工艺以及等效介质理论提出。通过本发明，一旦知晓了刻蚀工艺在设计要求的刻蚀深度下，不同线宽的版图刻蚀出来的结构形状和尺寸，以本发明给出的补偿方法为指导，在该加工工艺参数不变的前提下，对曝光版图的图形尺寸进行调整，就能够一定程度上减小不理想的刻蚀工艺带来的效率损失。本发明中修正补偿的参数仅包括所设计的曝光版图中图形尺寸的参数。该补偿设计方法能够减少研发基于刻蚀工艺制备介质超表面的周期和成本，并且能够提高基于刻蚀工艺制备的介质超表面的性能。
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公开(公告)号：CN119310754A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202310863626.4
申请日：2023-07-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本公开提供一种分光器件及其制备方法，涉及光学元件技术领域。其中，分光器件包括：滤光片，用于将入射光过滤为至少一个特定波长的光；以及设置在滤光片一侧的光栅，用于将入射光过滤为特定偏振方向的光；其中，光栅包括呈线性阵列分布的多个栅条、以及位于多个栅条之间的第一金属层，并且，栅条包括介质层、以及覆盖介质层远离滤光片的表面的第二金属层。本公开将滤光片与光栅集成，实现光谱和偏振同时分光。同时，光栅的多层结构能够进一步提高偏振分光效果。此外，本公开将光谱分光器件与偏振分光器件集成于一体，解决了相关技术中分光器件体积大和稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN1176381A
公开(公告)日：1998-03-18
申请号：CN96116505.7
申请日：1996-09-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明提供了一种在超高真空条件下非接触式的原位AlxGa1－xAs组分检测技术,它把分子束外延系统的超高真空条件,与调制光谱系统有机地结合起来,形成了一个测量AlxGa1－xAs薄膜Al组分的准确有效的方法,本发明介绍了该系统的结构,包括光路结构与分子束外延系统的结合,及测量控制系统与数据采集系统,在硬件及软件上形成一整套完善的系统,尤其适宜于对超薄层及对有多层复杂结构的AlxGa1－xAs生长过程中在位组分检测。
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公开(公告)号：CN2166469Y
公开(公告)日：1994-05-25
申请号：CN93226293.7
申请日：1993-09-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本实用新型提供了一种用于傅里叶磁光测试的光学传输装置。用传统反射镜光学元件与光管、光锥等相结合的办法实现了红外干涉光束长距离、高效率、宽波段传输。成功地把傅里叶变换红外光谱仪与杜瓦超导磁体联接起来；又用三级光锥组合的方法把样品架做得结构紧凑、灵活方便，得以使用具有很高探测率的半导体红外器件。所组成的红外磁光光谱实验系统的光能传输效率和磁场强度都得到很大提高。
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