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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109545883B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910021599.X
申请日：2019-01-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器及制备方法，包括P型衬底、I型吸收倍增层、N型层。P型衬底、I型吸收倍增层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从P型衬底入射，P型衬底上接电源的阴极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层外接电源的阳极。本发明结构简单，易于制备，同时可降低由载流子浓度差和缺陷浓度引起的暗计数，提高信噪比。
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公开(公告)号：CN109545883A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201910021599.X
申请日：2019-01-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器及制备方法，包括P型衬底、I型吸收倍增层、N型层。P型衬底、I型吸收倍增层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从P型衬底入射，P型衬底上接电源的阴极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层外接电源的阳极。本发明结构简单，易于制备，同时可降低由载流子浓度差和缺陷浓度引起的暗计数，提高信噪比。
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公开(公告)号：CN109100870A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811176482.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B27/09
Abstract: 本发明公开了一种全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器及制备方法，包括衬底、介质纳米柱阵列。这些介质纳米柱按照特定的方式排布在衬底上；本发明通过选择合适的纳米柱周期与纳米柱的尺寸(长﹑宽﹑高)，通过引入几何相位，调节纳米柱绕其中心轴的旋转角度，从而实现对透过光束的波前相位进行全相位操控。将透镜和涡旋相位板的功能集成到一块介质纳米柱阵列器件上，实现对涡旋光束的聚焦，在设定的焦平面上产生“甜甜圈式”的能量密度分布。基于全息原理，在一个器件上实现了涡旋光束的多路产生。本发明大大提升了涡旋光产生器件的效率，降低器件的尺寸,提高了器件的可集成性。
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公开(公告)号：CN209447826U
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201920036772.9
申请日：2019-01-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本专利公开了一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器，包括P型衬底、I型吸收倍增层、N型层。P型衬底、I型吸收倍增层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从P型衬底入射，P型衬底上接电源的阴极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层外接电源的阳极。本专利结构简单，易于制备，同时可降低由载流子浓度差和缺陷浓度引起的暗计数，提高信噪比。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209148978U
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201821638646.2
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B27/09
Abstract: 本专利公开了一种全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器，包括衬底、介质纳米柱阵列。这些介质纳米柱按照特定的方式排布在衬底上；本专利通过选择合适的纳米柱周期与纳米柱的尺寸(长﹑宽﹑高)，通过引入几何相位，调节纳米柱绕其中心轴的旋转角度，从而实现对透过光束的波前相位进行全相位操控。将透镜和涡旋相位板的功能集成到一块介质纳米柱阵列器件上，实现对涡旋光束的聚焦，在设定的焦平面上产生“甜甜圈式”的能量密度分布。基于全息原理，在一个器件上实现了涡旋光束的多路产生。本专利大大提升了涡旋光产生器件的效率，降低器件的尺寸,提高了器件的可集成性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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