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公开(公告)号：CN104535578A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410748015.6
申请日：2014-12-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法，该方法先使用体积分数为3％-5％的溴甲醇溶液，对单晶材料(111)B面进行30-60分钟的化学减薄，去除材料加工损伤层，获得表面光亮平整的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的缺陷，用肉眼或者普通光学显微镜便可清晰观察材料的各类缺陷。本发明的优点是：(1)快速便捷，在1小时内可以完成样品缺陷的揭示及观察。(2)适用范围广，可用于片状、块状、不规则等各种类型样品。(3)成本较低，不需要专用设备。(4)使用化学试剂减薄腐蚀，不会再次引入机械加工损伤。
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公开(公告)号：CN100400233C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200610026935.2
申请日：2006-05-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种II-VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法，该方法采用先在原片上划出所需的成型晶片面积，但不划穿透原片，仍然是一块晶片进行抛光。即利用周围区域小晶片作为陪片进行机械抛光，这样，周围区域的小晶片就阻挡了中间成型晶片边缘直接与磨料挤压所造成的碎片、裂缝和缺口缺陷，达到了保护侧边缘的目的。
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公开(公告)号：CN105415102A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510864304.7
申请日：2015-12-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种无蜡磨抛碲锌镉晶片的方法，首先设计制作磨抛夹具转接盘，将转接盘水平放置在磨抛夹具吸附平面上，再将晶片放置在转接盘的中央以覆盖转接盘上的所有真空导流小孔。然后，将研磨夹具与真空发生器相连接，晶片被吸附固定。晶片先经过3um氧化铝水溶液研磨去除30-50um，再使用英国Logitech公司生产的Chemlox抛光液化学机械抛光2-5min，清洗后得到高平整度的碲锌镉晶片。本发明的优点是：(1)无需加热粘片与熔蜡取片，晶片厚度控制更为准确，平整度高。(2)适用于不同尺寸、形状、厚度的晶片，实用性高。(3)磨抛后易清洗，不会对晶片造成二次污染。(4)有利于减少裂纹与划伤，提高磨抛质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105372266A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510864440.6
申请日：2015-12-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/956
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉晶片腐蚀形貌的快速成像装置及方法，装置包括一框架，该框架由样品台、下底板、左侧挡板、顶盖、右侧挡板和中间隔板组成；所述顶盖与中间隔板上等间距分布若干螺孔，用于安装光源若干；所述框架顶盖上设置有若干电源开关，该开关位置与光源相互对应；所述样品台放置在下底板上，可自由移动；所述左侧挡板设有电源总开关，与顶盖上的电源开关和光源通过电线串并联。本发明通过使用可见光拍照技术，对碲锌镉晶片表面腐蚀坑缺陷分布进行观察和记录，可以快速获得整个晶片的缺陷分布形貌。
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公开(公告)号：CN104406532B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410546842.7
申请日：2014-10-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法，本发明先使用体积分数为1％-5％的溴甲醇溶液，对晶片(111)B面进行10-30分钟的化学梯度减薄，获表面为斜面的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的缺陷，在100倍视场下用光学显微镜进行观察，确定损伤层刚好完全去除的位置，比较损伤层去除前后的晶片厚度差异，计算损伤层厚度。本发明的优点是：(1)通过观察晶片表面缺陷的形貌来判断损伤层厚度，结果直观准确。(2)能够在1小时内完成晶片损伤层厚度检测，不存在多次腐蚀及多次检测，便利快捷，实用性高。
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公开(公告)号：CN104406532A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410546842.7
申请日：2014-10-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉晶片损伤层厚度的检测方法，本发明先使用体积分数为1％-5％的溴甲醇溶液，对晶片(111)B面进行10-30分钟的化学梯度减薄，获表面为斜面的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的缺陷，在100倍视场下用光学显微镜进行观察，确定损伤层刚好完全去除的位置，比较损伤层去除前后的晶片厚度差异，计算损伤层厚度。本发明的优点是：(1)通过观察晶片表面缺陷的形貌来判断损伤层厚度，结果直观准确。(2)能够在1小时内完成晶片损伤层厚度检测，不存在多次腐蚀及多次检测，便利快捷，实用性高。
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公开(公告)号：CN1883881A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610026935.2
申请日：2006-05-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种II－VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法，该方法采用先在原片上划出所需的成型晶片面积，但不划穿透原片，仍然是一块晶片进行抛光。即利用周围区域小晶片作为陪片进行机械抛光，这样，周围区域的小晶片就阻挡了中间成型晶片边缘直接与磨料挤压所造成的碎片、裂缝和缺口缺陷，达到了保护侧边缘的目的。
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公开(公告)号：CN205246559U
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201520979113.0
申请日：2015-12-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/88
Abstract: 本专利公开了一种碲锌镉晶片腐蚀形貌的快速成像装置，装置包括一框架，该框架由样品台、下底板、左侧挡板、顶盖、右侧挡板和中间隔板组成；所述顶盖与中间隔板上等间距分布若干螺孔，用于安装光源若干；所述框架顶盖上设置有若干电源开关，该开关位置与光源相互对应；所述样品台放置在下底板上，可自由移动；所述左侧挡板设有电源总开关，与顶盖上的电源开关和光源通过电线串并联。本专利通过使用可见光拍照技术，对碲锌镉晶片表面腐蚀坑缺陷分布进行观察和记录，可以快速获得整个晶片的缺陷分布形貌。
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