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公开(公告)号：CN101403604A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810201535.X
申请日：2008-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/06 , G01N21/17 , G01N23/205
Abstract: 本发明公开了一种外延薄膜表面保护测试技术，它可以在外延生长结束后，对外延薄膜进行涂覆保护，涂覆层起到杂质粘污阻挡层的作用，并且，在带有涂覆层的情况下，可以提取外延材料组分、厚度、x光貌相参数。其特征是：外延薄膜表面采用光刻胶保护，参考衬底表面涂覆的光刻胶厚度与外延层表面保护用的光刻胶厚度相同，透射光谱测试时以参考衬底的透射光谱作为背景，通过迭代法从不规则的透射光谱中提取外延层的厚度和组分参数。本发明的优点是，完全避免了测试过程中的环境和测试设备对外延层的沾污，简化了后续的清洗工艺，提高了薄膜材料的成品率。
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公开(公告)号：CN101907576A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010198891.8
申请日：2010-06-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种检测碲锌镉材料缺陷空间延伸特性的方法。其方法是：使用红外透射显微镜，以碲锌镉材料中的沉淀物为定位标记，测定碲锌镉材料缺陷腐蚀坑在多次腐蚀后的横向移动的取向和距离，结合腐蚀深度的测量确定缺陷的空间延伸特性。本方法定位精度高，腐蚀坑横向位移的测量精度可以达到0.2微米，操作方便，仪器要求简单，解决了长久以来，跟踪观察碲锌镉材料缺陷的定位难题。这对研究碲锌镉材料缺陷的特性，进而降低碲镉汞外延材料的位错密度具有实用价值。
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公开(公告)号：CN101709952A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910199928.6
申请日：2009-12-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明公开了一种非接触式晶片厚度测量装置及方法，其特征是：超净的晶片装置于一个相对封闭的净化空间内，使用傅里叶变换红外光谱仪利用非接触方法测量出该晶片两边至腔体内壁之间空气层的厚度，使用千分尺测量得到腔体两个内壁间距，这样就可以得到晶片的精确厚度。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的晶片一直放置于相对封闭的超净空间内，测试过程非接触，从而不会导致晶片被污染和氧化，晶片表面也不会因为接触硬物而导致划伤，保证晶片的干净与表面完美，避免了液相外延生长过程中晶片厚度不精确所引起的粘液和划伤，提高了外延片的成品率。
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公开(公告)号：CN102061518B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010565049.3
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞垂直液相外延工艺中的起始生长温度精确控制方法，其特征是：在预生长之前增加一个二次降温过程，保证预生长温度高于生长温度并在一个允许范围内；在母液温度接近需要控制的开始生长温度前进行一次尝试性的短时间生长，观察样品架温度的变化情况来决定正式开始生长的时机。该方法的优点是：可以精确控制碲镉汞垂直液相外延系统的起始生长温度，既不会因为碲锌镉衬底过分回融导致生长组分偏高，也不会因为起始生长温度过低，导致样品架和衬底表面严重疯长，影响外延层的质量和外延的成品率。
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公开(公告)号：CN101709952B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910199928.6
申请日：2009-12-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明公开了一种非接触式晶片厚度测量装置及方法，其特征是：超净的晶片装置于一个相对封闭的净化空间内，使用傅里叶变换红外光谱仪利用非接触方法测量出该晶片两边至腔体内壁之间空气层的厚度，使用千分尺测量得到腔体两个内壁间距，这样就可以得到晶片的精确厚度。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的晶片一直放置于相对封闭的超净空间内，测试过程非接触，从而不会导致晶片被污染和氧化，晶片表面也不会因为接触硬物而导致划伤，保证晶片的干净与表面完美，避免了液相外延生长过程中晶片厚度不精确所引起的粘液和划伤，提高了外延片的成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102061518A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010565049.3
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞垂直液相外延工艺中的起始生长温度精确控制方法，其特征是：在预生长之前增加一个二次降温过程，保证预生长温度高于生长温度并在一个允许范围内；在母液温度接近需要控制的开始生长温度前进行一次尝试性的短时间生长，观察样品架温度的变化情况来决定正式开始生长的时机。该方法的优点是：可以精确控制碲镉汞垂直液相外延系统的起始生长温度，既不会因为碲锌镉衬底过分回融导致生长组分偏高，也不会因为起始生长温度过低，导致样品架和衬底表面严重疯长，影响外延层的质量和外延的成品率。
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公开(公告)号：CN101445876B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200810204564.1
申请日：2008-12-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C22B43/00
Abstract: 本发明公开了一种汞提纯装置中高纯汞的取出装置及方法，其特征是：在负压的作用下将提纯后的汞，经不与第三者接触的接头，吸至取汞器皿中。该取汞装置的优点是，整个过程中，被提取的汞仅与高纯的石英管道和器皿相接触，提纯装置和被取汞的器皿均处在氮气保护状态下，避免了提纯系统和提纯后的汞在此过程中受到污染，操作也十分方便和安全。
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公开(公告)号：CN101447414A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810204565.6
申请日：2008-12-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种耐真空及高压有气体保护的可移动密封装置，其特征是：装置与密封腔体的结合部位由O型圈密封，上下移动由连接移动机械部分的精抛光的不锈钢旋转升降轴完成，不锈钢旋转升降轴与外壁之间采用两组Y型密封圈进行密封，每组Y型圈可以独立完成对高压和真空的保持，当下方有高压存在时，由于压力的作用会使两组Y型圈中的朝下的一个向外扩张，从而紧贴外套和提拉杆的表面，压力越大，密封圈的接触面积就越大，结合的越紧密阻止气体流出。真空时则相反，两组密封圈中的上边的一只则起到密封作用。若气体有微漏时，有毒有害气体会随保护气体流入尾气，防止污染环境。
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公开(公告)号：CN102677161B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210142488.2
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法，其特征步骤如下：使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法，在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的碲镉汞外延薄膜表面始终被光刻胶所保护，从而不会导致碲镉汞外延薄膜被污染和氧化，也不会因为接触硬物而导致划伤，保证外延薄膜的洁净与表面完美。此技术使原本不可用的外延薄膜经过处理后可以使用，同时也保证了外延薄膜的质量不受影响，从而大大提高了碲镉汞外延薄膜材料制备的成品率。
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公开(公告)号：CN102677161A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210142488.2
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法，其特征步骤如下：使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法，在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的碲镉汞外延薄膜表面始终被光刻胶所保护，从而不会导致碲镉汞外延薄膜被污染和氧化，也不会因为接触硬物而导致划伤，保证外延薄膜的洁净与表面完美。此技术使原本不可用的外延薄膜经过处理后可以使用，同时也保证了外延薄膜的质量不受影响，从而大大提高了碲镉汞外延薄膜材料制备的成品率。
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