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公开(公告)号：CN103088409A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310043657.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法，该装置包括管式炉体、石英安瓿与石墨舟：炉体包括合成炉、缓冲炉、斜面炉与镉源炉，炉体内放置有石英安瓿，石英安瓿中放置有石墨舟。采用该装置垂直提拉碲锌镉单晶的一般步骤是：将高纯碲、锌、镉原料按合成比例均匀放置于石墨舟内，将少许镉放入石英安瓿底部，再将石墨舟缓缓放入石英安瓿的挡板上，抽真空封管后，将石英安瓿放入管式炉体，使得石墨舟位于合成炉中间，控制条件合成多晶料后，接着控制炉体的温度分布，并缓缓向上移动炉体至结晶完毕，即可提拉生长出碲锌镉单晶体。本发明的优点是：碲锌镉多晶料无须使用另外的摇摆炉合成；获得的晶锭组分均匀、孪晶少、碲沉淀或夹杂少。
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公开(公告)号：CN110846621A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911093519.8
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备大面积单层二碲化钒材料的两步气相方法，该制备过程分为两步：先用化学气相沉积、热蒸发或溅射法三种化学或物理气相方法制备，在尺寸为1～100cm2的硅、二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝或碳化硅衬底上沉积厚度为2～50nm钒氧化物薄膜，沉积温度为100～500℃，沉积时间为10分钟～24小时；再在惰性气体或氢气气氛下，将沉积有钒氧化物薄膜的衬底与单质碲进行化学反应，反应温度为550～800℃，反应气压为100～800帕，反应时间为1分钟～30分钟，自然冷却后得到大面积单层二碲化钒材料。本发明的优点是：反应简单，可控性好，能在100cm2的衬底上制备出均一、稳定的单层二碲化钒材料。该发明制备的单层二碲化钒材料，在二维金属和半导体材料的制备及应用等方面有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103088409B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310043657.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法，该装置包括管式炉体、石英安瓿与石墨舟：炉体包括合成炉、缓冲炉、斜面炉与镉源炉，炉体内放置有石英安瓿，石英安瓿中放置有石墨舟。采用该装置垂直提拉碲锌镉单晶的一般步骤是：将高纯碲、锌、镉原料按合成比例均匀放置于石墨舟内，将少许镉放入石英安瓿底部，再将石墨舟缓缓放入石英安瓿的挡板上，抽真空封管后，将石英安瓿放入管式炉体，使得石墨舟位于合成炉中间，控制条件合成多晶料后，接着控制炉体的温度分布，并缓缓向上移动炉体至结晶完毕，即可提拉生长出碲锌镉单晶体。本发明的优点是：碲锌镉多晶料无须使用另外的摇摆炉合成；获得的晶锭组分均匀、孪晶少、碲沉淀或夹杂少。
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公开(公告)号：CN100400233C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200610026935.2
申请日：2006-05-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种II-VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法，该方法采用先在原片上划出所需的成型晶片面积，但不划穿透原片，仍然是一块晶片进行抛光。即利用周围区域小晶片作为陪片进行机械抛光，这样，周围区域的小晶片就阻挡了中间成型晶片边缘直接与磨料挤压所造成的碎片、裂缝和缺口缺陷，达到了保护侧边缘的目的。
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公开(公告)号：CN1883881A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610026935.2
申请日：2006-05-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种II－VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法，该方法采用先在原片上划出所需的成型晶片面积，但不划穿透原片，仍然是一块晶片进行抛光。即利用周围区域小晶片作为陪片进行机械抛光，这样，周围区域的小晶片就阻挡了中间成型晶片边缘直接与磨料挤压所造成的碎片、裂缝和缺口缺陷，达到了保护侧边缘的目的。
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公开(公告)号：CN111020526A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911093518.3
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种交替反应制备单层和多层二硒化钒材料的方法。该方法通过交替注入一种或一种以上金属钒化合物和一种或一种以上含硒化合物进行沉积反应，通过调节反应温度与时间来控制二硒化钒材料生长的层数与面积，得到高质量的层状二硒化钒材料。本发明的优点是：操作简单方便，生长条件精确可控，可实现二硒化钒材料的大面积制备。二硒化钒材料具有独特的化学、电子、磁和机械性能，在光电子学、自旋电子学、催化剂、传感器、能量收集和存储等科学技术领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN2570721Y
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN02260417.0
申请日：2002-09-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种带有预测化合物半导体合成裂管实时监控装置的合成炉。实时监控装置有控温热电偶、二只欧陆表、可控硅、监视热电偶、计算机和报警器组成。一只欧陆表根据计算机控制软件设定的控温程序通过可控硅控制炉体温度。另一只欧陆表将测得的监视热电偶的温度信号馈入计算机控制软件，并做实时记录和在设定的报警温度点由报警器作声光报警。本实用新型的最大优点是避免了合成过程中石英管的爆裂，从而避免了合成设备的损坏、原材料的损失及环境的污染。通过实时监控装置预测的结果还可以指导以后合成工艺的改进。
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