公开(公告)号：CN100400233C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200610026935.2

申请日：2006-05-26

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 方维政 ,  徐琰 ,  孙士文 ,  周梅华 ,  刘从峰 ,  涂步华 ,  杨建荣 ,  何力

IPC: B24B29/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明公开了一种II-VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法，该方法采用先在原片上划出所需的成型晶片面积，但不划穿透原片，仍然是一块晶片进行抛光。即利用周围区域小晶片作为陪片进行机械抛光，这样，周围区域的小晶片就阻挡了中间成型晶片边缘直接与磨料挤压所造成的碎片、裂缝和缺口缺陷，达到了保护侧边缘的目的。

公开(公告)号：CN1360090A

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：CN01132131.8

申请日：2001-11-07

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陈新强 ,  杨建荣 ,  魏彦锋 ,  徐琰 ,  徐庆庆 ,  何力

IPC: C30B25/02

Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟,包括:底板、滑块以及固定底板和滑块的底座,底板上开有一孔道,孔道内置有调节衬底与孔道口高度的石英垫片,石英垫片上放置衬底。滑块上开有放置母液的孔道,它的特征是:在孔道的后面与底板相接触的滑块面上开有二个长方形的小槽,小槽的长度方向与滑块的移动方向相垂直,小槽是通过滑块的移动来完成收集外延薄膜生长结束后残留在薄膜上的母液。采用本装置可生长出表面如镜面一样光亮,无沾液的HgCdTe液相外延层,而且本装置也适用于II－Ⅵ族或III－V族化合物半导体的液相外延层上残留母液的去除。

公开(公告)号：CN1883881A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610026935.2

申请日：2006-05-26

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 方维政 ,  徐琰 ,  孙士文 ,  周梅华 ,  刘从峰 ,  涂步华 ,  杨建荣 ,  何力

IPC: B24B29/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明公开了一种II－VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法，该方法采用先在原片上划出所需的成型晶片面积，但不划穿透原片，仍然是一块晶片进行抛光。即利用周围区域小晶片作为陪片进行机械抛光，这样，周围区域的小晶片就阻挡了中间成型晶片边缘直接与磨料挤压所造成的碎片、裂缝和缺口缺陷，达到了保护侧边缘的目的。

公开(公告)号：CN1133760C

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN01132131.8

申请日：2001-11-07

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陈新强 ,  杨建荣 ,  魏彦锋 ,  徐琰 ,  徐庆庆 ,  何力

IPC: C30B25/02

Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟，包括：底板、滑块以及固定底板和滑块的底座，底板上开有一孔道，孔道内置有调节衬底与孔道口高度的石英垫片，石英垫片上放置衬底。滑块上开有放置母液的孔道，它的特征是：在孔道的后面与底板相接触的滑块面上开有二个长方形的小槽，小槽的长度方向与滑块的移动方向相垂直，小槽是通过滑块的移动来完成收集外延薄膜生长结束后残留在薄膜上的母液。采用本装置可生长出表面如镜面一样光亮，无沾液的HgCdTe液相外延层，而且本装置也适用于II-VI族或III-V族化合物半导体的液相外延层上残留母液的去除。