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公开(公告)号：CN103320866B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310251573.7
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法，在MBE生长室生长纳米线过程中引入Bi元素作为活性剂，减小GaAs的离子性，促进纳米线闪锌矿结构的形成，其特征在于：在所述的纳米线生长过程中根据Ga元素的束流等效分压，调节Bi蒸发源温度来调控其束流等效分压，以使Bi元素与Ga元素的束流等效分压之比为x，x的值将影响Bi元素对纳米线晶体结构的调控能力以及影响纳米线的形貌和相结构纯度。本方法的有益效果在于：在MBE中不需要改变生长工艺条件即可轻松实现闪锌矿晶体结构的GaAs基纳米线生长，有利于纤锌矿和闪锌矿结构GaAs基纳米线的可控生长及其同质异相异质结结构的形成，为制备纳米级光电子器件提供优异的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681962A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310591009.X
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于竖直排列半导体纳米线的光电探测器制备方法，该方法的核心工艺包括：竖直排列纳米线的旋涂包裹支撑、低温热处理、电极的配置等。该方法对于半导体纳米线的尺寸、力学强度等没有特殊要求，因而将不仅仅局限于常规的Si、ZnO等耐冲击材料体系的的纳米线探测器制备，同时适于研发GaAs、InAs等III-V族以及其他材料体系的纳米线器件。另一方面所采用的低折射率旋涂介质以及低温热处理工艺等将有助于大幅提升纳米线器件的光电探测性能，这也是一直以来器件研发中所忽视的问题。该方法可以直接对外延生长的半导体纳米线进行器件制备，因此尤其适用于高灵敏度、大规模阵列型光电探测器的研发。
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公开(公告)号：CN103320866A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310251573.7
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法，在MBE生长室生长纳米线过程中引入Bi元素作为活性剂，减小GaAs的离子性，促进纳米线闪锌矿结构的形成，其特征在于：在所述的纳米线生长过程中根据Ga元素的束流等效分压，调节Bi蒸发源温度来调控其束流等效分压，以使Bi元素与Ga元素的束流等效分压之比为x，x的值将影响Bi元素对纳米线晶体结构的调控能力以及影响纳米线的形貌和相结构纯度。本方法的有益效果在于：在MBE中不需要改变生长工艺条件即可轻松实现闪锌矿晶体结构的GaAs基纳米线生长，有利于纤锌矿和闪锌矿结构GaAs基纳米线的可控生长及其同质异相异质结结构的形成，为制备纳米级光电子器件提供优异的材料。
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公开(公告)号：CN107248537A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710387962.0
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0693 , H01L31/18 , H01L21/02 , B82Y20/00 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02E10/544 , H01L31/0693 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L31/184
Abstract: 本发明公开了一种最优光电效能的半导体纳米线阵列制备方法，该方法首先通过热蒸发沉积金膜并退火形成无规均匀分布的催化剂颗粒，然后根据拟制备的III‑V族纳米线材料体系，选择最优V/III束流比，在不同的衬底温度下生长一系列的纳米线阵列试样，再使用导电原子力显微镜，对试样进行单纳米线垂直光电性能的统计评估，最后根据单纳米线的平均光电性能确定最佳制备条件。本方法适用于催化分子束外延生长砷化镓等III‑V族纳米线阵列，通过金属催化，使用直接、快速、简易的方法评估和确定纳米线阵列的最优生长条件，进而制备出一种最佳光电效能的半导体纳米线阵列，因此，本方法对高效太阳能电池和超灵敏光电探测器的制造有重要意义。
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公开(公告)号：CN103681962B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310591009.X
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于竖直排列半导体纳米线的光电探测器制备方法，该方法的核心工艺包括：竖直排列纳米线的旋涂包裹支撑、低温热处理、电极的配置等。该方法对于半导体纳米线的尺寸、力学强度等没有特殊要求，因而将不仅仅局限于常规的Si、ZnO等耐冲击材料体系的纳米线探测器制备，同时适于研发GaAs、InAs等III-V族以及其他材料体系的纳米线器件。另一方面所采用的低折射率旋涂介质以及低温热处理工艺等将有助于大幅提升纳米线器件的光电探测性能，这也是一直以来器件研发中所忽视的问题。该方法可以直接对外延生长的半导体纳米线进行器件制备，因此尤其适用于高灵敏度、大规模阵列型光电探测器的研发。
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公开(公告)号：CN104760929A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510106443.3
申请日：2015-03-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用作光学微腔的GaSb纳米盘的制备方法，该方法的特征在于：GaAs纳米线的生长遵循的是气—液—固机制下的轴向生长模式，而GaSb纳米盘遵循的却是气—固机制主导下的二维生长。GaSb生长过程中的主要参数包括衬底温度、Ga源和Sb源BEP束流值以及相应的V/III束流比。而且，可通过改变生长时间来调整纳米盘的大小。采用本发明中所述的分子束外延生长方法，所得到的GaSb纳米盘形状规则、表面平整、晶体质量高且不含任何缺陷，同时纳米盘的尺寸可以灵活调控。GaSb纳米盘在纳米激光器、生物传感器件方面有着潜在的应用前景。
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