公开(公告)号：CN117776259A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311640928.1

申请日：2023-12-04

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 张燕辉 ,  霍子帆 ,  唐舟 ,  范柳燕 ,  周孝好 ,  陈平平 ,  陆卫

IPC: C01G28/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/102

Abstract: 本公开提供一种砷化铟纳米线的制备方法以及砷化铟纳米线，涉及半导体技术领域。制备方法包括：提供一石墨烯/锗复合衬底；氧化衬底；在衬底覆盖石墨烯的表面沉积金薄膜；调节反应温度至第一温度，以便金薄膜形成金液滴；以金液滴为催化剂，在衬底上外延生长砷化铟纳米线。本公开提供的制备方法能够显著提高石墨烯衬底上生长的砷化铟纳米线的长度和密度，实现高质量、大面积的超长砷化铟纳米线的制备。

公开(公告)号：CN108520904B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810598277.7

申请日：2018-06-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李宁 ,  郑元辽 ,  陈平平 ,  李志锋 ,  杨贺鸣 ,  周玉伟 ,  唐舟 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器，该探测器是由分子束外延手段在GaAs衬底上依次生长下电极层、有源区层以及上电极层制备。有源区层为一个共振遂穿二极管结构夹在两个不同的量子阱中间。当探测器加上特定正或负偏压时，由不同阱宽量子阱响应产生的两个波段光电流将选择性通过共振遂穿二极管形成响应回路。相比目前传统的双色量子阱探测器，本发明可通过调节所加偏压方向和大小实现双色探测，并且能提高器件工作温度。此外，本发明的器件制备工艺更为简化，对促进双色红外量子阱探测器的发展有着重大意义。

公开(公告)号：CN108520904A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810598277.7

申请日：2018-06-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李宁 ,  郑元辽 ,  陈平平 ,  李志锋 ,  杨贺鸣 ,  周玉伟 ,  唐舟 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器，该探测器是由分子束外延手段在GaAs衬底上依次生长下电极层、有源区层以及上电极层制备。有源区层为一个共振遂穿二极管结构夹在两个不同的量子阱中间。当探测器加上特定正或负偏压时，由不同阱宽量子阱响应产生的两个波段光电流将选择性通过共振遂穿二极管形成响应回路。相比目前传统的双色量子阱探测器，本发明可通过调节所加偏压方向和大小实现双色探测，并且能提高器件工作温度。此外，本发明的器件制备工艺更为简化，对促进双色红外量子阱探测器的发展有着重大意义。

公开(公告)号：CN107248537A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201710387962.0

申请日：2017-05-27

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 夏辉 ,  童中英 ,  李天信 ,  陈平平 ,  卢振宇 ,  张健 ,  姚晓梅 ,  张旭涛 ,  唐舟

IPC: H01L31/0693 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02E10/544 ,  H01L31/0693 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/184

Abstract: 本发明公开了一种最优光电效能的半导体纳米线阵列制备方法，该方法首先通过热蒸发沉积金膜并退火形成无规均匀分布的催化剂颗粒，然后根据拟制备的III‑V族纳米线材料体系，选择最优V/III束流比，在不同的衬底温度下生长一系列的纳米线阵列试样，再使用导电原子力显微镜，对试样进行单纳米线垂直光电性能的统计评估，最后根据单纳米线的平均光电性能确定最佳制备条件。本方法适用于催化分子束外延生长砷化镓等III‑V族纳米线阵列，通过金属催化，使用直接、快速、简易的方法评估和确定纳米线阵列的最优生长条件，进而制备出一种最佳光电效能的半导体纳米线阵列，因此，本方法对高效太阳能电池和超灵敏光电探测器的制造有重要意义。

公开(公告)号：CN208225887U

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201820908870.2

申请日：2018-06-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李宁 ,  郑元辽 ,  陈平平 ,  李志锋 ,  杨贺鸣 ,  周玉伟 ,  唐舟 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本专利公开了一种基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器，该探测器是由分子束外延手段在GaAs衬底上依次生长下电极层、有源区层以及上电极层制备。有源区层为一个共振遂穿二极管结构夹在两个不同的量子阱中间。当探测器加上特定正或负偏压时，由不同阱宽量子阱响应产生的两个波段光电流将选择性通过共振遂穿二极管形成响应回路。相比目前传统的双色量子阱探测器，本专利可通过调节所加偏压方向和大小实现双色探测，并且能提高器件工作温度。此外，本专利的器件制备工艺更为简化，对促进双色红外量子阱探测器的发展有着重大意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利