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公开(公告)号：CN117557770A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311393248.4
申请日：2023-10-25
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: G06V10/25 , G06V10/82 , G06N3/0464
Abstract: 本发明提出一种基于存算一体架构的目标检测方法和系统，属于图像检测技术领域。所述存算一体架构至少包括主控制器和Q个存算单元。所述主控制器获取待检测的目标图像和待运行的目标检测网络，基于所述目标图像的参数、所述目标检测网络的参数和所述Q个存算单元的参数，确定所述目标图像和所述目标检测网络分别在所述Q个存算单元中的部署参数，并将所述部署参数发送至所述Q个存算单元。所述Q个存算单元中每一个存算单元均根据接收到的所述部署参数来部署所述目标图像的子特征图和所述目标检测网络的网络节点。所述主控制器和部署有所述目标图像的子特征图和所述目标检测网络的网络节点的Q个存算单元协同执行对所述目标图像的检测。
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公开(公告)号：CN117042467A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210463418.0
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种氧化铪基阻变存储器及其制备方法，包括底电极、电介质层、缓冲层和顶电极，其中所述缓冲层的尺寸小于电介质层的尺寸；或，所述底电极的尺寸小于电介质层的尺寸。使得整个RRAM器件的导电通路为缓冲层金属M下方的区域或者是底电极TiN上方的区域。从而金属M可以夺取HfO2薄膜中的氧，在电场的作用下HfO2薄膜能够顺利发生导电丝通道的形成和断裂，即正常的阻变过程，可以大幅提升RRAM器件的成品率。
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公开(公告)号：CN116525546A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310397026.3
申请日：2023-04-04
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: H01L23/00 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/51 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种超疏水FeFET器件及其制备方法，超疏水FeFET器件包括FeFET器件本体，FeFET器件本体表面覆盖超疏水功能层，超疏水功能层表面具有柱体阵列，并且超疏水功能层上嫁接有低表面能基团。制备方法包括在FeFET器件本体上沉积超疏水功能层，并通过光刻和刻蚀使超疏水功能层表面形成柱体阵列；在超疏水功能层上嫁接低表面能基团，得到超疏水FeFET器件。本发明利用传统的CMOS工艺，通过光刻和刻蚀的方式形成柱体阵列改变表面粗糙度，增加了工艺操作的可行性，同时蒸发法操作简单，且不会影响FeFET器件本身的性能。
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公开(公告)号：CN114445607A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111659219.9
申请日：2021-12-30
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: G06V10/147 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明提出的存算一体低功耗一体化图像识别系统及方法，包括：低功耗摄像头、存算一体化芯片、低功耗输出模块、低功耗通信模块和电池与电源电路，在该系统上充分利用存算一体化芯片的低功耗、高能效特性，进行图像识别深度神经网络推理计算，能充分满足低功耗、小型一体化应用需要。
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公开(公告)号：CN115713541A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211462407.7
申请日：2022-11-22
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: G06T7/13
Abstract: 本发明涉及一种基于局部对比度优化参数的能见度检测方法及系统，该方法包括：利用暗通道先验求取暗原色及大气光、车道线检测、对图像进行分块处理并计算块区域局部对比度实现参数优化、定义平滑系数对突变值及时进行处理，最终输出能见度数值。本发明利用图像的局部对比度定义雾霾保留系数，并且考虑到块区域中雾霾分布不均匀的情况，采用了补偿系数对块区域局部对比度值进行修正。除此之外还考虑到，在能见度较高时，车道线两端点雾霾参数值近似相等且数值较小这一情况，因此，算法求得的雾霾保留系数更加符合实际情况，最终得到的能见度值与标准数据之间的误差更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115172461A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210727753.7
申请日：2022-06-24
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本发明提出一种亚纳米级铁电存储计算一体器件及其制作方法，铁电存储计算一体器件包括，铁电存储器、MOSFET晶体管和隔离层；铁电存储器从上到下依次为：金属电极、顶电极、铁电层、底电极；各层均位于MOSFET晶体管的栅极之上；铁电存储器的底电极与作为铁电存储计算一体器件的基体的MOSFET晶体管的栅极左侧部分直接连接。铁电存储器与MOSFET晶体管的栅极之间被隔离层分隔，铁电存储器的底电极选用低维材料，且厚度能调节的范围宽，既能与现有晶体管纳米级别CMOS工艺技术兼容，也能使铁电存储器的尺寸达到亚纳米级别。实现最佳写入和读出性能的同时解决了铁电存储器尺寸微缩难的问题。
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公开(公告)号：CN115439566A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211017403.8
申请日：2022-08-23
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于存算一体架构的压缩感知系统及方法，系统包括图像传感器，用于采集图像信号，并将图像信号传递至多核存算一体芯片；多核存算一体芯片，用于接收图像传感器发送的图像信号，对图像信号进行压缩感知采样后得到压缩感知测量值，基于压缩感知测量值进行压缩感知学习，同时将压缩感知测量值发送至服务器；服务器，用于接收多核存算一体芯片上传的压缩感知测量值，对压缩感知测量值进行压缩感知重建，以恢复图像信号。本发明简化系统设计和信息处理过程，提升系统运算能力。
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公开(公告)号：CN114783864A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210300421.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种制备柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜的方法，以单晶硅片为基础，通过应力缓冲膜沉积、牺牲层沉积、牺牲层键合、单晶硅片减薄、保护膜沉积、半导体芯片高温制备、聚合物涂覆、水溶性湿法刻蚀工艺形成柔性单晶硅薄膜半导体器件，以及通过应力缓冲膜沉积、牺牲层沉积、牺牲层键合、单晶硅片减薄、聚合物涂覆、水溶性湿法刻蚀工艺形成柔性单晶硅薄膜。采用水溶性GeO基无机化合物作为牺牲层，绿色环保、刻蚀速度快，并兼容半导体芯片高温制备工艺，大大提高半导体器件性能，生产效率高、良品率高、成本低。
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公开(公告)号：CN115439566B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211017403.8
申请日：2022-08-23
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: G06T9/00 , G06N3/0464 , H04N19/60
Abstract: 本发明公开了一种基于存算一体架构的压缩感知系统及方法，系统包括图像传感器，用于采集图像信号，并将图像信号传递至多核存算一体芯片；多核存算一体芯片，用于接收图像传感器发送的图像信号，对图像信号进行压缩感知采样后得到压缩感知测量值，基于压缩感知测量值进行压缩感知学习，同时将压缩感知测量值发送至服务器；服务器，用于接收多核存算一体芯片上传的压缩感知测量值，对压缩感知测量值进行压缩感知重建，以恢复图像信号。本发明简化系统设计和信息处理过程，提升系统运算能力。
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公开(公告)号：CN117077237A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310880383.5
申请日：2023-07-17
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: G06F30/12 , G06T17/00 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种混合键合退火过程的界面接触状态仿真方法及系统，取升温过程和保温过程为第一阶段，取冷却过程为第二阶段，在仿真时调用混合键合三维模型，以混合键合三维模型的嵌入金属到嵌入金属界面作为待研究的键合界面，设置键合界面的间隙的间距值；针对第一阶段，对混合键合三维模型叠加材料属性，设置键合界面的参数，对混合键合三维模型进行热力学仿真计算，得到键合界面的接触状态和键合强度；针对第二阶段，设置键合界面的参数，基于第一阶段结束时的混合键合三维模型进行热力学仿真计算，引入牵引分离定律作为判据，得到键合界面的接触状态和键合强度。本发明充分考虑多方面因素，实现准确的仿真评估，节约人力和时间成本。
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