公开(公告)号：CN115172461A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210727753.7

申请日：2022-06-24

Applicant: 中国电子科技南湖研究院

Inventor： 戚佳斌 ,  刘力荣 ,  邱飞龙 ,  李忠贤 ,  赵毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提出一种亚纳米级铁电存储计算一体器件及其制作方法，铁电存储计算一体器件包括，铁电存储器、MOSFET晶体管和隔离层；铁电存储器从上到下依次为：金属电极、顶电极、铁电层、底电极；各层均位于MOSFET晶体管的栅极之上；铁电存储器的底电极与作为铁电存储计算一体器件的基体的MOSFET晶体管的栅极左侧部分直接连接。铁电存储器与MOSFET晶体管的栅极之间被隔离层分隔，铁电存储器的底电极选用低维材料，且厚度能调节的范围宽，既能与现有晶体管纳米级别CMOS工艺技术兼容，也能使铁电存储器的尺寸达到亚纳米级别。实现最佳写入和读出性能的同时解决了铁电存储器尺寸微缩难的问题。

公开(公告)号：CN217881522U

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202221599804.4

申请日：2022-06-24

Applicant: 中国电子科技南湖研究院

Inventor： 戚佳斌 ,  刘力荣 ,  邱飞龙 ,  李忠贤 ,  赵毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51

Abstract: 本实用新型提出一种亚纳米级铁电存储计算一体器件及阵列，涉及半导体芯片技术领域，铁电存储计算一体器件包括铁电存储器和MOSFET晶体管，铁电存储器从上到下依次为：金属电极、顶电极、铁电层、底电极和隔离层；铁电存储器采用低维材料制作底电极。铁电存储器底电极与作为铁电存储计算一体器件的基体的MOSFET晶体管的栅极直接连接；铁电存储器的有效工作区的线宽尺寸为亚纳米级别。铁电存储器结构为纵向垂直布置，使得铁电存储器的有效工作区域通过控制底电极厚度来确定，能够更好与的现有晶体管纳米级别工艺技术相匹配，实现最佳写入和读出性能的同时，解决芯片尺寸微困难的问题，保证铁电存储器的有效工作区线宽尺寸为亚纳米级。