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公开(公告)号：CN116525546A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310397026.3
申请日：2023-04-04
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: H01L23/00 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/51 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种超疏水FeFET器件及其制备方法，超疏水FeFET器件包括FeFET器件本体，FeFET器件本体表面覆盖超疏水功能层，超疏水功能层表面具有柱体阵列，并且超疏水功能层上嫁接有低表面能基团。制备方法包括在FeFET器件本体上沉积超疏水功能层，并通过光刻和刻蚀使超疏水功能层表面形成柱体阵列；在超疏水功能层上嫁接低表面能基团，得到超疏水FeFET器件。本发明利用传统的CMOS工艺，通过光刻和刻蚀的方式形成柱体阵列改变表面粗糙度，增加了工艺操作的可行性，同时蒸发法操作简单，且不会影响FeFET器件本身的性能。
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公开(公告)号：CN114256500B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111454863.2
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: H01M10/0525 , H01M10/058
Abstract: 本发明公开了一种可裁切的带状柔性固态电池，包括电芯和包裹在所述电芯外的封装部；所述电芯包括多个固态电池单元、填充物、第一导电通路和第二导电通路；多个所述固态电池单元横向并排放置，且任意相邻两所述固态电池单元之间存在空隙，所述填充物填充在任意相邻两所述固态电池单元之间的空隙中；所述固态电池单元包括正极和负极，所述第一导电通路连接多个所述固态电池单元的正极，所述第二导电通路连接多个所述固态电池单元的负极，使多个所述固态电池单元并联。本发明提出的可裁切的带状柔性固态电池，其具有可裁切特性，并且裁切后仍然能稳定工作。
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公开(公告)号：CN115172461A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210727753.7
申请日：2022-06-24
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本发明提出一种亚纳米级铁电存储计算一体器件及其制作方法，铁电存储计算一体器件包括，铁电存储器、MOSFET晶体管和隔离层；铁电存储器从上到下依次为：金属电极、顶电极、铁电层、底电极；各层均位于MOSFET晶体管的栅极之上；铁电存储器的底电极与作为铁电存储计算一体器件的基体的MOSFET晶体管的栅极左侧部分直接连接。铁电存储器与MOSFET晶体管的栅极之间被隔离层分隔，铁电存储器的底电极选用低维材料，且厚度能调节的范围宽，既能与现有晶体管纳米级别CMOS工艺技术兼容，也能使铁电存储器的尺寸达到亚纳米级别。实现最佳写入和读出性能的同时解决了铁电存储器尺寸微缩难的问题。
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公开(公告)号：CN114783864A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210300421.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种制备柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜的方法，以单晶硅片为基础，通过应力缓冲膜沉积、牺牲层沉积、牺牲层键合、单晶硅片减薄、保护膜沉积、半导体芯片高温制备、聚合物涂覆、水溶性湿法刻蚀工艺形成柔性单晶硅薄膜半导体器件，以及通过应力缓冲膜沉积、牺牲层沉积、牺牲层键合、单晶硅片减薄、聚合物涂覆、水溶性湿法刻蚀工艺形成柔性单晶硅薄膜。采用水溶性GeO基无机化合物作为牺牲层，绿色环保、刻蚀速度快，并兼容半导体芯片高温制备工艺，大大提高半导体器件性能，生产效率高、良品率高、成本低。
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公开(公告)号：CN114267790A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111451804.X
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
Inventor： 戚佳斌
Abstract: 本发明公开了一种可生物降解柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括依次层叠的高分子基衬底、工作电极层、电子传输层、吸光层和空穴传输层，以及位于所述空穴传输层上的对电极；其中，所述高分子基衬底为可生物降解的PGSU薄膜，所述工作电极层由交叉垂直排列的银纳米线制成；所述吸光层由具有钙钛矿结构的有机无机杂化光伏材料(FAPbI3)0.85(MAPbBr3)0.15制成。本发明提出的可生物降解柔性钙钛矿太阳能电池的制备方法过程简单，得到的太阳能电池利用材料自身的化学特性，不需要复杂的处理过程便能够实现生物降解，降解产物无毒、无害且具有生物相容性，不会污染环境，具有较高的应用价值和环保意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114221571A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111453694.0
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
Inventor： 戚佳斌
Abstract: 本发明公开了一种高性能水凝胶‑纳米纤维基可穿戴摩擦发电机，其包括水凝胶‑纳米纤维复合薄膜层、封装部和电极；所述水凝胶‑纳米纤维复合薄膜层由导电水凝胶层和形成于所述导电水凝胶层上的纳米纤维层组成；所述纳米纤维层在自然状态下为褶皱状；所述封装部内设一空腔，所述水凝胶‑纳米纤维复合薄膜层置于所述封装部的所述空腔中，且所述水凝胶‑纳米纤维复合薄膜层上的纳米纤维层与所述封装部之间存在间隙；所述封装部侧面设置有透气孔；所述电极一端连接所述水凝胶‑纳米纤维复合薄膜层，另一端穿过所述封装部连接外部电路。
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公开(公告)号：CN114283967B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202111453669.2
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
Inventor： 戚佳斌
Abstract: 本发明公开了一种可生物降解柔性透明导电电极及其制备方法，导电电极包括柔性衬底和位于所述柔性衬底上的导电层；其中，所述柔性衬底由可生物降解的PGSU制成；所述导电层由正交取向排列的银纳米线制成。本发明还提出的一种可生物降解柔性透明导电电极的制备方法过程简单，得到的柔性透明导电电极在保证较高透光率的同时，还具有优异的生物降解性能，且降解之后的产物具有良好的生物相容性，可以有效地解决废弃柔性透明导电电极所造成的环境污染问题，具有较高的应用价值和环保意义。
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公开(公告)号：CN114283967A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111453669.2
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
Inventor： 戚佳斌
Abstract: 本发明公开了一种可生物降解柔性透明导电电极及其制备方法，导电电极包括柔性衬底和位于所述柔性衬底上的导电层；其中，所述柔性衬底由可生物降解的PGSU制成；所述导电层由正交取向排列的银纳米线制成。本发明还提出的一种可生物降解柔性透明导电电极的制备方法过程简单，得到的柔性透明导电电极在保证较高透光率的同时，还具有优异的生物降解性能，且降解之后的产物具有良好的生物相容性，可以有效地解决废弃柔性透明导电电极所造成的环境污染问题，具有较高的应用价值和环保意义。
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公开(公告)号：CN114256500A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111454863.2
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: H01M10/0525 , H01M10/058
Abstract: 本发明公开了一种可裁切的带状柔性固态电池，包括电芯和包裹在所述电芯外的封装部；所述电芯包括多个固态电池单元、填充物、第一导电通路和第二导电通路；多个所述固态电池单元横向并排放置，且任意相邻两所述固态电池单元之间存在空隙，所述填充物填充在任意相邻两所述固态电池单元之间的空隙中；所述固态电池单元包括正极和负极，所述第一导电通路连接多个所述固态电池单元的正极，所述第二导电通路连接多个所述固态电池单元的负极，使多个所述固态电池单元并联。本发明提出的可裁切的带状柔性固态电池，其具有可裁切特性，并且裁切后仍然能稳定工作。
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公开(公告)号：CN217426717U
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202220658942.9
申请日：2022-03-24
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: H01L23/31
Abstract: 本实用新型公开了一种柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜，柔性单晶硅薄膜半导体器件包括应力缓冲膜、单晶硅片、聚合物膜和半导体芯片，单晶硅片位于应力缓冲膜上且厚度为0.2μm～80μm，半导体芯片位于单晶硅片内或凸出单晶硅片设置，并与单晶硅片电性连接，聚合物膜覆盖于半导体芯片和单晶硅片上并对半导体芯片进行密封。柔性单晶硅薄膜包括应力缓冲膜、单晶硅片和聚合物膜，单晶硅片位于应力缓冲膜上且厚度为0.2μm～80μm，聚合物膜覆盖于单晶硅片上。既保持了硅单晶特点，又兼容半导体芯片高温制备工艺，具有高性能，提高了信息处理速度、单晶硅片的利用效率和器件电路设计的灵活性，且生产效率和良品率高，移取方便。
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