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公开(公告)号:CN119831936A
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202411824367.5
申请日:2024-12-11
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
Abstract: 本发明提供一种基于改进YOLOv8的芯片表面缺陷检测方法及系统。其方法包括以下步骤:(1)构建芯片表面缺陷图片数据集;(2)将得到的数据集划分成训练集、验证集和测试集;(3)构建改进的YOLOv8网络模型;(4)将数据集输入到改进后的YOLOv8网络模型进行训练和预测,得到包含表面缺陷的芯片图像。本发明改进后的YOLOv8模型通过DCNv4可变卷积能够识别不同形状和尺寸的缺陷,增强了网络的特征提取能力;使用Dysample上采样算子减少了缺陷边缘和细节信息的丢失,保留了更多的特征信息;使用MPDIOU边界损失函数替换原损失函数,加快网络训练的收敛速度,提高模型对缺陷的定位能力。相较于原模型,本发明的检测效果得到了改善,能够更好地应用于芯片表面缺陷检测任务中。
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公开(公告)号:CN117077237A
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202310880383.5
申请日:2023-07-17
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: G06F30/12 , G06T17/00 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种混合键合退火过程的界面接触状态仿真方法及系统,取升温过程和保温过程为第一阶段,取冷却过程为第二阶段,在仿真时调用混合键合三维模型,以混合键合三维模型的嵌入金属到嵌入金属界面作为待研究的键合界面,设置键合界面的间隙的间距值;针对第一阶段,对混合键合三维模型叠加材料属性,设置键合界面的参数,对混合键合三维模型进行热力学仿真计算,得到键合界面的接触状态和键合强度;针对第二阶段,设置键合界面的参数,基于第一阶段结束时的混合键合三维模型进行热力学仿真计算,引入牵引分离定律作为判据,得到键合界面的接触状态和键合强度。本发明充分考虑多方面因素,实现准确的仿真评估,节约人力和时间成本。
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公开(公告)号:CN117557770A
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202311393248.4
申请日:2023-10-25
Applicant: 中国电子科技南湖研究院
IPC: G06V10/25 , G06V10/82 , G06N3/0464
Abstract: 本发明提出一种基于存算一体架构的目标检测方法和系统,属于图像检测技术领域。所述存算一体架构至少包括主控制器和Q个存算单元。所述主控制器获取待检测的目标图像和待运行的目标检测网络,基于所述目标图像的参数、所述目标检测网络的参数和所述Q个存算单元的参数,确定所述目标图像和所述目标检测网络分别在所述Q个存算单元中的部署参数,并将所述部署参数发送至所述Q个存算单元。所述Q个存算单元中每一个存算单元均根据接收到的所述部署参数来部署所述目标图像的子特征图和所述目标检测网络的网络节点。所述主控制器和部署有所述目标图像的子特征图和所述目标检测网络的网络节点的Q个存算单元协同执行对所述目标图像的检测。
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