公开(公告)号：CN115172461A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210727753.7

申请日：2022-06-24

Applicant: 中国电子科技南湖研究院

Inventor： 戚佳斌 ,  刘力荣 ,  邱飞龙 ,  李忠贤 ,  赵毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提出一种亚纳米级铁电存储计算一体器件及其制作方法，铁电存储计算一体器件包括，铁电存储器、MOSFET晶体管和隔离层；铁电存储器从上到下依次为：金属电极、顶电极、铁电层、底电极；各层均位于MOSFET晶体管的栅极之上；铁电存储器的底电极与作为铁电存储计算一体器件的基体的MOSFET晶体管的栅极左侧部分直接连接。铁电存储器与MOSFET晶体管的栅极之间被隔离层分隔，铁电存储器的底电极选用低维材料，且厚度能调节的范围宽，既能与现有晶体管纳米级别CMOS工艺技术兼容，也能使铁电存储器的尺寸达到亚纳米级别。实现最佳写入和读出性能的同时解决了铁电存储器尺寸微缩难的问题。

公开(公告)号：CN117042467A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202210463418.0

申请日：2022-04-28

Applicant: 中国电子科技南湖研究院

Inventor： 何慧凯 ,  李忠贤 ,  赵毅

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种氧化铪基阻变存储器及其制备方法，包括底电极、电介质层、缓冲层和顶电极，其中所述缓冲层的尺寸小于电介质层的尺寸；或，所述底电极的尺寸小于电介质层的尺寸。使得整个RRAM器件的导电通路为缓冲层金属M下方的区域或者是底电极TiN上方的区域。从而金属M可以夺取HfO2薄膜中的氧，在电场的作用下HfO2薄膜能够顺利发生导电丝通道的形成和断裂，即正常的阻变过程，可以大幅提升RRAM器件的成品率。

公开(公告)号：CN116525546A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310397026.3

申请日：2023-04-04

Applicant: 中国电子科技南湖研究院

Inventor： 谢欣瑜 ,  戚佳斌 ,  赵毅 ,  李忠贤

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种超疏水FeFET器件及其制备方法，超疏水FeFET器件包括FeFET器件本体，FeFET器件本体表面覆盖超疏水功能层，超疏水功能层表面具有柱体阵列，并且超疏水功能层上嫁接有低表面能基团。制备方法包括在FeFET器件本体上沉积超疏水功能层，并通过光刻和刻蚀使超疏水功能层表面形成柱体阵列；在超疏水功能层上嫁接低表面能基团，得到超疏水FeFET器件。本发明利用传统的CMOS工艺，通过光刻和刻蚀的方式形成柱体阵列改变表面粗糙度，增加了工艺操作的可行性，同时蒸发法操作简单，且不会影响FeFET器件本身的性能。

公开(公告)号：CN114783864A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210300421.0

申请日：2022-03-24

Applicant: 中国电子科技南湖研究院

Inventor： 戚佳斌 ,  李忠贤 ,  赵毅

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种制备柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜的方法，以单晶硅片为基础，通过应力缓冲膜沉积、牺牲层沉积、牺牲层键合、单晶硅片减薄、保护膜沉积、半导体芯片高温制备、聚合物涂覆、水溶性湿法刻蚀工艺形成柔性单晶硅薄膜半导体器件，以及通过应力缓冲膜沉积、牺牲层沉积、牺牲层键合、单晶硅片减薄、聚合物涂覆、水溶性湿法刻蚀工艺形成柔性单晶硅薄膜。采用水溶性GeO基无机化合物作为牺牲层，绿色环保、刻蚀速度快，并兼容半导体芯片高温制备工艺，大大提高半导体器件性能，生产效率高、良品率高、成本低。

公开(公告)号：CN217426717U

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202220658942.9

申请日：2022-03-24

Applicant: 中国电子科技南湖研究院

Inventor： 戚佳斌 ,  李忠贤 ,  赵毅

IPC: H01L23/31

Abstract: 本实用新型公开了一种柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜，柔性单晶硅薄膜半导体器件包括应力缓冲膜、单晶硅片、聚合物膜和半导体芯片，单晶硅片位于应力缓冲膜上且厚度为0.2μm～80μm，半导体芯片位于单晶硅片内或凸出单晶硅片设置，并与单晶硅片电性连接，聚合物膜覆盖于半导体芯片和单晶硅片上并对半导体芯片进行密封。柔性单晶硅薄膜包括应力缓冲膜、单晶硅片和聚合物膜，单晶硅片位于应力缓冲膜上且厚度为0.2μm～80μm，聚合物膜覆盖于单晶硅片上。既保持了硅单晶特点，又兼容半导体芯片高温制备工艺，具有高性能，提高了信息处理速度、单晶硅片的利用效率和器件电路设计的灵活性，且生产效率和良品率高，移取方便。

公开(公告)号：CN217881522U

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202221599804.4

申请日：2022-06-24

Applicant: 中国电子科技南湖研究院

Inventor： 戚佳斌 ,  刘力荣 ,  邱飞龙 ,  李忠贤 ,  赵毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51

Abstract: 本实用新型提出一种亚纳米级铁电存储计算一体器件及阵列，涉及半导体芯片技术领域，铁电存储计算一体器件包括铁电存储器和MOSFET晶体管，铁电存储器从上到下依次为：金属电极、顶电极、铁电层、底电极和隔离层；铁电存储器采用低维材料制作底电极。铁电存储器底电极与作为铁电存储计算一体器件的基体的MOSFET晶体管的栅极直接连接；铁电存储器的有效工作区的线宽尺寸为亚纳米级别。铁电存储器结构为纵向垂直布置，使得铁电存储器的有效工作区域通过控制底电极厚度来确定，能够更好与的现有晶体管纳米级别工艺技术相匹配，实现最佳写入和读出性能的同时，解决芯片尺寸微困难的问题，保证铁电存储器的有效工作区线宽尺寸为亚纳米级。