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公开(公告)号：CN119224519A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411608436.9
申请日：2024-11-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及器件半导体可靠性技术领域，特别是涉及一种可恢复缺陷填充动态测量方法、装置和计算机设备。方法包括：基于应力电压施加时间向初始器件施加应力电压，得到退化器件；其中，退化器件是初始器件因持续施加应力电压而发生永久缺陷退化后的器件；对退化器件进行可恢复缺陷释放，得到释放后的退化器件；对释放后的退化器件进行可恢复缺陷的填充动态测量，得到初始器件对应的可恢复缺陷填充动态。本申请排除了永久缺陷的充电对可恢复缺陷填充动态的影响，实现准确获取初始器件对应的可恢复缺陷填充动态的，为NBTI退化机理的研究和模型构建的发展均起到重要的支撑作用。
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公开(公告)号：CN115291028A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211219959.5
申请日：2022-10-08
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种提高铝电解电容器外场寿命预测精度的方法和装置，获取基准元器件的第一试验温度、第一试验寿命、第一工作寿命和第一试验寿命，确定试验加速倍数；根据第二工况条件中的工作温度和试验加速倍数，确定待预测元器件的第二试验温度；根据第一影响权重值、第二影响权重值、第一工况条件、第二工况条件，确定工况差异加速倍数，进而确定待预测元器件在第二工况条件下的第二工作寿命。通过获取影响电子元器件寿命的参数对于寿命影响因子的影响权重，并增加占空比计算工况差异加速倍数，进而对电子元器件工作寿命进行预测，缩短试验时长，降低试验成本，提高不同工况的预测精准度。
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公开(公告)号：CN115291028B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202211219959.5
申请日：2022-10-08
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种提高铝电解电容器外场寿命预测精度的方法和装置，获取基准元器件的第一试验温度、第一试验寿命、第一工作寿命和第一试验寿命，确定试验加速倍数；根据第二工况条件中的工作温度和试验加速倍数，确定待预测元器件的第二试验温度；根据第一影响权重值、第二影响权重值、第一工况条件、第二工况条件，确定工况差异加速倍数，进而确定待预测元器件在第二工况条件下的第二工作寿命。通过获取影响电子元器件寿命的参数对于寿命影响因子的影响权重，并增加占空比计算工况差异加速倍数，进而对电子元器件工作寿命进行预测，缩短试验时长，降低试验成本，提高不同工况的预测精准度。
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公开(公告)号：CN116642915A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310716109.4
申请日：2023-06-16
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/2204 , G01N23/2202
Abstract: 本申请涉及一种承载装置、样品制备设备及样品制备方法，承载装置包括样品台，样品台具有支撑面及凸设于支撑面上的支撑部；样品台上贯穿开设容置通道，容置通道的一端延伸至支撑面。本申请将样品通过支撑部支撑于样品台的支撑面上，通过抽真空的方式使样品与支撑面之间的间隙中的填充物进入容置通道内，从而在样品面向支撑面的一侧形成一层保护层，由此，形成透射样品后，透射样品的上表面通过沉积离子束对上表面的结构及信息进行保护，而透射样品的下表面通过形成的保护层进行保护，从而能够对透射样品的双面进行更全面的信息保护，便于观察及分析。
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公开(公告)号：CN119716469A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411763708.2
申请日：2024-12-03
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种芯片故障检测方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：在预先构建的电测平台上采用预先开发的电测程序，对待测芯片的各个待测试项进行测试，得到测试结果；若所述测试结果指示所述待测芯片存在故障，则基于所述测试结果，定位所述待测芯片中的故障模块；基于所述故障模块，确定所述故障模块的电路分析方式；对所述故障模块进行动态应力激发，并基于所述电路分析方式对所述动态应力激发后的故障模块进行电路故障检测，确定所述故障模块中出现故障的电路。采用本方法能够对芯片的异常故障进行高效且精细化的检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116642915B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310716109.4
申请日：2023-06-16
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/2204 , G01N23/2202
Abstract: 本申请涉及一种承载装置、样品制备设备及样品制备方法，承载装置包括样品台，样品台具有支撑面及凸设于支撑面上的支撑部；样品台上贯穿开设容置通道，容置通道的一端延伸至支撑面。本申请将样品通过支撑部支撑于样品台的支撑面上，通过抽真空的方式使样品与支撑面之间的间隙中的填充物进入容置通道内，从而在样品面向支撑面的一侧形成一层保护层，由此，形成透射样品后，透射样品的上表面通过沉积离子束对上表面的结构及信息进行保护，而透射样品的下表面通过形成的保护层进行保护，从而能够对透射样品的双面进行更全面的信息保护，便于观察及分析。
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公开(公告)号：CN114334846A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111667542.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L23/14 , H01L23/10 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01L23/16 , H01L51/52
Abstract: 本申请提供了一种功率器件封装装置及方法，涉及电子的技术领域。功率器件封装装置包括：第二金属绝缘基板和第一金属绝缘基板中的至少一个具有金属绝缘焊坝，以用于第一金属绝缘基板与第二金属绝缘基板连接时形成对芯片的封装；互联线路主体对应与第一金属绝缘基板，和/或第二金属绝缘基板一体化连接，金属柱体的至少一部分的结构被配置于第一金属绝缘基板的内部或第二金属绝缘基板的内部，且互联线路主体与芯片连接。将第二金属绝缘基板与第一金属绝缘基板配合替代传统塑封作为芯片封装的外壳，能够提高其散热能力，且通过互联线路主体将芯片与外部电路导通，提高了抗跌落能力和抗翘曲能力的同时，也能减小封装装置的尺寸。
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公开(公告)号：CN117754414A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311702631.3
申请日：2023-12-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明提供一种研磨设备及其研磨方法，研磨设备包括研磨机构及驱动机构。其中，研磨机构包括第一驱动组件及研磨带，所述第一驱动组件与所述研磨带传动配合。所述驱动机构包括第二驱动组件及放样件，所述放样件用于固定样品，所述第二驱动组件与所述放样件传动配合，使得所述研磨带能够与所述放样件上的所述样品呈线接触并进行研磨。本申请中的研磨设备减少了固封环节，消除固封环节对样品制样效果的影响，提高研磨设备的研磨效果及研磨效率。另外，与所述样品接触的所述研磨带的移动方向与样品的研磨面保持平行，且研磨带与样品呈线接触，减小研磨过程中碎屑对样品制样效果的影响，提高研磨设备的研磨效果。
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公开(公告)号：CN119757828A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411855437.3
申请日：2024-12-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种阈值电压初始值确定方法、装置、计算机设备及介质。该方法包括：获取目标晶体管被施加初始双向电压波形时的多个初步转移特性，在各初步转移特性的回滞处于不稳定状态的情况下，对目标晶体管的终止输入电压进行调整得到调整后终止输入电压，并根据调整后终止输入电压和起始输入电压确定目标晶体管的调整双向电压波形，获取目标晶体管被施加调整双向电压波形时的多个调整后转移特性，并在各调整后转移特性的回滞处于稳定状态的情况下，根据各调整后转移特性确定目标晶体管的阈值电压初始值。采用上述可以通过稳定状态的转移特性来确定精度较高的目标晶体管的阈值电压初始值，以支撑对目标晶体管的负偏置温度不稳定性进行研究。
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公开(公告)号：CN119480593A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411563863.X
申请日：2024-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01J37/20 , G01N23/02 , G01N23/20025 , H01J37/26
Abstract: 本申请提供一种透射电子显微镜原位样品杆，涉及透射电子显微镜技术领域，将环境模拟与容纳待测样品两种功能结合，以便于在不同环境条件下对待测样品进行微尺度观测。该透射电子显微镜原位样品杆包括：激光发射模块；第一光纤，第一光纤的一端用于与激光发射模块的输出端相连接，第一光纤用于传导激光发射模块发射的光线；载物台，载物台用于与第一光纤的另一端相连接，其中，载物台包括第一区域和第二区域，第一区域位于第一光纤与第二区域之间，第一区域内设置有多个沿第一方向延伸的光传播通道，第二区域用于容纳待测样品，光传播通道的一端与第一光纤相连接，光传播通道用于将第一光纤传输的光线传导至第二区域，第一方向为载物台的延伸方向。
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