公开(公告)号：CN119492980A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411660321.4

申请日：2024-11-20

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 章晓文 ,  韦拢 ,  林晓玲

IPC: G01R31/28

Abstract: 本申请涉及一种键合引线的可靠性评估方法，包括：针对基于预设贮存条件进行贮存的多种不同的键合引线，从多种不同的键合引线中选取预设数量的键合引线，作为样品键合引线，并获取每个样品键合引线的贮存结果数据；对每种键合引线的焊点处进行剖面切割后再进行剖面分析，获得每种键合引线的剖面分析数据；基于每个样品键合引线的贮存结果数据和每种键合引线的剖面分析数据，确定键合引线的可靠性评估结果。本申请可以对键合引线的可靠性进行评估，以保障集成电路芯片具有正常的信号传输性能和电气性能，提升集成电路芯片的生产效果。

公开(公告)号：CN119224519A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411608436.9

申请日：2024-11-12

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 高汭 ,  李潮 ,  章晓文 ,  韦拢 ,  林晓玲 ,  王力纬

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请涉及器件半导体可靠性技术领域，特别是涉及一种可恢复缺陷填充动态测量方法、装置和计算机设备。方法包括：基于应力电压施加时间向初始器件施加应力电压，得到退化器件；其中，退化器件是初始器件因持续施加应力电压而发生永久缺陷退化后的器件；对退化器件进行可恢复缺陷释放，得到释放后的退化器件；对释放后的退化器件进行可恢复缺陷的填充动态测量，得到初始器件对应的可恢复缺陷填充动态。本申请排除了永久缺陷的充电对可恢复缺陷填充动态的影响，实现准确获取初始器件对应的可恢复缺陷填充动态的，为NBTI退化机理的研究和模型构建的发展均起到重要的支撑作用。

公开(公告)号：CN117630323A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311646425.5

申请日：2023-12-04

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 章晓文 ,  林晓玲 ,  高汭 ,  韦拢

IPC: G01N33/207 ,  G01N25/00 ,  G01N3/08

Abstract: 本申请涉及一种金铝键合引线工艺的可靠性评价方法。该金铝键合引线工艺的可靠性评价方法包括：提供键合引线焊点样品；将键合引线焊点样品进行第一组试验，第一组试验包括高温储存试验,以使得键合引线焊点样品内形成金铝化合物层；将第一组试验后的键合引线焊点样品进行第二组试验，第二组试验包括剖面分析,并基于剖面分析的结果对金铝键合引线工艺进行可靠性评估。本申请解决了现有技术中存在的缺乏对键合引线进行准确有效的可靠性分析的方法的问题，实现了对金铝键合引线工艺可靠性的全面评价，为金铝键合引线在寿命周期内可靠工作，进而保证电路和系统在寿命周期内可靠工作提供支持和保障。