一种抛光压力可调节的上抛光盘装置

    公开(公告)号:CN120055994A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510310426.5

    申请日:2025-03-17

    Abstract: 一种抛光压力可调节的上抛光盘装置,包括有:基座和抛光组件,抛光组件包括有旋转杆、抛光盘安装组件及抛光盘,旋转杆的下端通过抛光盘安装组件连接有抛光盘;移动组件包括有气缸,气缸活动端的下端通过可旋转连接结构连接旋转杆;其特征在于移动组件包括有压力调节装置,平衡缸的活塞杆下端连接可旋转连接结构,承担抛光盘和可旋转连接结构的重力;压力缸的活塞杆下端连接可旋转连接结构,推动抛光盘上下升降并施加抛光压力;压力传感器设在活塞杆下端和可旋转连接结构之间,用于测量抛光压力并输出压力信号;控制器的信号输入端接收输出压力信号,对应地,压力缸和平衡缸所对应电控阀门,结构简单、成本低、操作方便而且抛光压力测量准确。

    一种射频离子源离子束束径约束器、束径控制装置及方法

    公开(公告)号:CN111403251B

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN202010286352.3

    申请日:2020-04-13

    Abstract: 本发明涉及一种射频离子源离子束束径约束器,其特征在于:所述束径约束器包括具有可供离子束穿过的中空结构的底座、多个叶片及驱动机构;所述多个叶片设于底座一端并环绕中空结构呈圆周排布,多个叶片的尾端伸入中空结构所在区域以围合形成可供离子束穿过的光阑,所述驱动机构可驱动叶片的尾端相对叶片排布形成的圆周中心运动以调节光阑大小。本发明还涉及一种包括束径约束器的控制装置及对应的方法,采用该装置及方法进行离子束束径控制,操作方便,调节精度好,效率高,而且成本节约。

    一种等离子体加工机床运动系统的防护装置

    公开(公告)号:CN118635958A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410670497.1

    申请日:2024-05-28

    Abstract: 本发明公开一种等离子体加工机床运动系统的防护装置,包括内伸缩罩,能伸缩地罩设于运动系统的导向件/传动件外,伸缩方向与导向件/传动件的导向/传动方向相一致,内伸缩罩在运动系统的运动件处避位,内伸缩罩开有气孔,内伸缩罩内为内部空间;外伸缩罩,能伸缩地罩设于内伸缩罩外,伸缩方向与导向件/传动件的导向/传动方向相一致,外伸缩罩在运动系统的运动件处设有第二开口,第二开口的边沿与运动件的侧面相连接并使运动件的顶面外露于外伸缩罩,外伸缩罩与内伸缩罩之间为中部空间,外伸缩罩外为外部空间,中部空间通过内伸缩罩的气孔与内部空间相连通;气源,与中部空间相连通,并向中部空间供给气体,气体通过气孔进入内部空间使内部空间的气压始终高于外部空间。

    一种基于BP神经网络确定离子束抛光去除函数的方法

    公开(公告)号:CN114564688A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202210107456.2

    申请日:2022-01-28

    Abstract: 本发明涉及一种基于PB神经网络确定离子束抛光去除函数的方法,通过有限次的法拉第扫描和线扫描实验建立数据库,确定离子束电流密度和去除函数分布系数之间的关系,根据法拉第扫描结果,通过线性公式计算去除函数峰值去除率,通过BP神经网络预测去除函数分布系数。本方法得到的去除函数信息与通过实验方法得到的去除函数信息基本相同,却极大的缩短了确定去除函数的时间;同时基于法拉第扫描结果确定去除函数,无需在元件表面进行去除函数实验,从而节约了成本;且本发明通过线性公式和BP神经网络来确定去除函数的分布信息,这种方法对于所有可用于离子束加工的材料均适用,不受材料特性的限制,可用于所有的离子束加工过程。

    一种小型椭球式等离子反应腔及其制造方法

    公开(公告)号:CN107858667B

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201711276641.X

    申请日:2017-12-06

    Abstract: 一种小型椭球式等离子反应腔及其设计方法,包括腔体、设置在腔体内的沉积室以及同轴天线,腔体为下部切边的椭球状金属腔体,椭球状金属腔体的长轴直径Z=430~440mm,短轴半径R=160~170mm,沉积室是由沉积基台与石英钟罩组成,其中沉积基台与椭球体短轴平行,密封设置在腔体的下部切边位置,石英钟罩同轴罩盖在沉积基台上方,同轴天线采用圆柱状铜材料,设置于腔体的上端缺口处,等离子反应腔内的微波耦合方式为天线耦合,微波谐振模式为TM033。使用本发明的等离子反应腔的微波等离子体CVD装置与传统的“TM036”式装置有着相同的微波聚焦能力,但体积是传统“TM036”椭球式装置体积的一半,具有结构合理紧凑、成本低、加工难度低的优点,具有较好的应用前景。

    一种用于活塞销孔加工的压电陶瓷配合杠杆机构的微进给装置

    公开(公告)号:CN109571110B

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN201811360435.1

    申请日:2018-11-15

    Abstract: 一种用于活塞销孔加工的压电陶瓷配合杠杆机构的微进给装置,包括基座、刀柄、镗刀以及进刀压电陶瓷驱动器和退刀压电陶瓷驱动器,刀柄一端插置在基座内,另一端与镗刀固定连接,杠杆轴前后穿过基座、刀柄将刀柄与基座连接在一起、并使刀柄可沿杠杆轴旋转,进刀压电陶瓷驱动器和退刀压电陶瓷驱动器分别通过预紧螺钉可调节地穿置在基座的上下两侧,进刀压电陶瓷驱动器和退刀压电陶瓷驱动器与杠杆轴垂直设置且里端分别与刀柄靠近尾部的上下两侧相抵,进刀或退倒时,进刀压电陶瓷驱动器和退刀压电陶瓷驱动器的变形位移通过杠杆轴转变为刀具的径向位移。本发明结构简单、易于加工制造,具有高精度、高分辨率和快速响应的特点。

    一种表征射频离子源离子束特性的测量方法

    公开(公告)号:CN111885807A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010672938.3

    申请日:2020-07-14

    Abstract: 本发明涉及一种表征射频离子源离子束特性的测量方法,所述方法包括S1、真空腔室内固定硅片并将稳定后的离子束垂直投射于硅片上即α=0;S2、调整离子束引出端面与硅片之间的距离WD以调整形成于硅片上的束斑,并据此束斑分析离子束形态为聚焦离子束或平行离子束;S3、获取离子束投射于硅片上形成的束斑面形PV值,利用MetroPro软件分析计算束斑直径;S4、测量束斑的长半轴a和短半轴b,并据二者比值a/b大小确定束斑形状为圆形光斑或椭圆形光斑。本发明能够直观反应离子束形态、束径大小以及束斑形状,便于准确分析离子束特性,对后期工艺实验提供了指导依据。

    一种用于离子束加工的多品种大口径光学元件复合装置

    公开(公告)号:CN110216548A

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201910444411.2

    申请日:2019-05-27

    Abstract: 一种用于离子束加工的多品种大口径光学元件复合装置,包括基体、用于输送光学元件的输送夹紧装置以及提升定位装置,其中提升定位装置可上下移动地设置在基体上,基体的底部左右两侧设有滑轨,输送夹紧装置可前后滑动地设置在滑轨上,滑轨上设有用于定位输送夹紧装置的定位块,基体上设有定位套,输送夹紧装置的上端设有对应的定位销,当输送夹紧装置沿滑轨移动到定位块时,输送夹紧装置正好位于提升定位装置的正下方,输送夹紧装置通过提升定位装置的提升向上移动与基体定位。本发明结构简单合理紧凑,不仅可实现多品种光学元件的装夹,且定位精确,同时方便与外部运输装置对接。

    一种小型椭球式等离子反应腔及其制造方法

    公开(公告)号:CN107858667A

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201711276641.X

    申请日:2017-12-06

    CPC classification number: C23C16/513 C23C16/276

    Abstract: 一种小型椭球式等离子反应腔及其设计方法,包括腔体、设置在腔体内的沉积室以及同轴天线,腔体为下部切边的椭球状金属腔体,椭球状金属腔体的长轴直径Z=430~440mm,短轴半径R=160~170mm,沉积室是由沉积基台与石英钟罩组成,其中沉积基台与椭球体短轴平行,密封设置在腔体的下部切边位置,石英钟罩同轴罩盖在沉积基台上方,同轴天线采用圆柱状铜材料,设置于腔体的上端缺口处,等离子反应腔内的微波耦合方式为天线耦合,微波谐振模式为TM033。使用本发明的等离子反应腔的微波等离子体CVD装置与传统的“TM036”式装置有着相同的微波聚焦能力,但体积是传统“TM036”椭球式装置体积的一半,具有结构合理紧凑、成本低、加工难度低的优点,具有较好的应用前景。

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