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公开(公告)号：CN107858667B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201711276641.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国兵器科学研究院宁波分院
IPC: C23C16/513 , C23C16/27
Abstract: 一种小型椭球式等离子反应腔及其设计方法，包括腔体、设置在腔体内的沉积室以及同轴天线，腔体为下部切边的椭球状金属腔体，椭球状金属腔体的长轴直径Z＝430～440mm，短轴半径R＝160～170mm，沉积室是由沉积基台与石英钟罩组成，其中沉积基台与椭球体短轴平行，密封设置在腔体的下部切边位置，石英钟罩同轴罩盖在沉积基台上方，同轴天线采用圆柱状铜材料，设置于腔体的上端缺口处，等离子反应腔内的微波耦合方式为天线耦合，微波谐振模式为TM033。使用本发明的等离子反应腔的微波等离子体CVD装置与传统的“TM036”式装置有着相同的微波聚焦能力，但体积是传统“TM036”椭球式装置体积的一半，具有结构合理紧凑、成本低、加工难度低的优点，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107858667A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711276641.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国兵器科学研究院宁波分院
IPC: C23C16/513 , C23C16/27
CPC classification number: C23C16/513 , C23C16/276
Abstract: 一种小型椭球式等离子反应腔及其设计方法，包括腔体、设置在腔体内的沉积室以及同轴天线，腔体为下部切边的椭球状金属腔体，椭球状金属腔体的长轴直径Z＝430～440mm，短轴半径R＝160～170mm，沉积室是由沉积基台与石英钟罩组成，其中沉积基台与椭球体短轴平行，密封设置在腔体的下部切边位置，石英钟罩同轴罩盖在沉积基台上方，同轴天线采用圆柱状铜材料，设置于腔体的上端缺口处，等离子反应腔内的微波耦合方式为天线耦合，微波谐振模式为TM033。使用本发明的等离子反应腔的微波等离子体CVD装置与传统的“TM036”式装置有着相同的微波聚焦能力，但体积是传统“TM036”椭球式装置体积的一半，具有结构合理紧凑、成本低、加工难度低的优点，具有较好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108441838A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810234663.8
申请日：2018-03-21
Applicant: 中国兵器科学研究院宁波分院
Abstract: 本发明涉及一种中大口径光学元件表面离子束溅射沉积薄膜的方法，该方法采用在光学元件的沉积面上选取中心区域以及多个边缘区域，各边缘区域沿沉积面的周向间隔布置，在沉积镀膜的过程中，光学元件转动，同时，离子源与靶材在光学元件沉积面的下方作曲线往复运动，从而完成镀膜，这样的镀膜方法使得中大口径光学元件表面沉积稳定且沉积薄膜的厚度均匀，并对光学元件沉积面上的中心与边缘的驻留时间比工艺参数进行修正，使得获得的沉积面上中心区域与各边缘区域的膜厚度更加均匀，提高了镀膜质量，更能满足需求，实用性强。
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公开(公告)号：CN109623560B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201811536305.9
申请日：2018-12-14
Applicant: 中国兵器科学研究院宁波分院
Abstract: 本发明涉及一种用于六轴运动抛光系统的确定离子束抛光工艺参数的方法，本发明以Sigmund溅射理论为基础，利用有限次的法拉第扫描实验来确定比例系数和常数C的值，从而得到去除函数的峰值去除率Rmax和去除函数的半高全宽HR相对于法拉第扫描电流密度分布曲线的相关参数的表达式，因此调节工艺参数后，通过法拉第扫描实验得到法拉第扫描电流密度分布曲线后，利用该曲线的参数即可计算得到去除函数，大大缩短了确定去除函数的时间，从2个小时缩短到5分钟。因此，提高了针对不同的工艺参数进行仿真加工试验的效率，从而能更快速地确定最佳工艺参数。另外，由于该种方法确定去除函数时，不需要对于每种工艺参数都进行刻蚀实验，从而避免了样件的浪费，节约成本。
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公开(公告)号：CN109623560A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811536305.9
申请日：2018-12-14
Applicant: 中国兵器科学研究院宁波分院
Abstract: 本发明涉及一种用于六轴运动抛光系统的确定离子束抛光工艺参数的方法，本发明以Sigmund溅射理论为基础，利用有限次的法拉第扫描实验来确定比例系数和常数C的值，从而得到去除函数的峰值去除率Rmax和去除函数的半高全宽HR相对于法拉第扫描电流密度分布曲线的相关参数的表达式，因此调节工艺参数后，通过法拉第扫描实验得到法拉第扫描电流密度分布曲线后，利用该曲线的参数即可计算得到去除函数，大大缩短了确定去除函数的时间，从2个小时缩短到5分钟。因此，提高了针对不同的工艺参数进行仿真加工试验的效率，从而能更快速地确定最佳工艺参数。另外，由于该种方法确定去除函数时，不需要对于每种工艺参数都进行刻蚀实验，从而避免了样件的浪费，节约成本。
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公开(公告)号：CN108441838B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201810234663.8
申请日：2018-03-21
Applicant: 中国兵器科学研究院宁波分院
Abstract: 本发明涉及一种中大口径光学元件表面离子束溅射沉积薄膜的方法，该方法采用在光学元件的沉积面上选取中心区域以及多个边缘区域，各边缘区域沿沉积面的周向间隔布置，在沉积镀膜的过程中，光学元件转动，同时，离子源与靶材在光学元件沉积面的下方作曲线往复运动，从而完成镀膜，这样的镀膜方法使得中大口径光学元件表面沉积稳定且沉积薄膜的厚度均匀，并对光学元件沉积面上的中心与边缘的驻留时间比工艺参数进行修正，使得获得的沉积面上中心区域与各边缘区域的膜厚度更加均匀，提高了镀膜质量，更能满足需求，实用性强。
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公开(公告)号：CN208759156U
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201821236712.3
申请日：2018-08-02
Applicant: 中国兵器科学研究院宁波分院
IPC: B24B1/00 , B24B13/005
Abstract: 本实用新型涉及一种离子束超精密加工光学元件的夹具，包括装卡平台，夹持光学元件的夹持组件，和能将夹持组件固定在装卡平台上的锁紧机构，所述装卡平台中心设有中心孔，所述装卡平台上径向设置有至少3个安装槽，所述夹持组件具有至少3个，每个夹持组件均能在对应的所述安装槽内径向移动、且能在所述锁紧机构的作用下，使得夹持组件与安装槽相紧固或相松开，其特征在于：每个所述夹持组件侧壁均设有指示标记，所述装卡平台靠近每个安装槽的槽口处径向设有与指示标记配合的刻度线。通过设置指示标记和刻度线，夹装时，将夹持组件移动到指示标记与相应的刻度线对齐，从而将光学元件快速、准确地进行夹装，具有结构简单、操作方便的优点。
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