公开(公告)号：CN110273156B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201910192762.9

申请日：2019-03-14

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李相赫 ,  黄俊荣 ,  李大雨 ,  申贤哲 ,  金奎佈

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H10K59/10 ,  G02F1/13

Abstract: 本发明揭示用于液晶显示装置或有机发光二极管显示装置等的不包含氟的钼铜合金膜蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物包含蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物包含：过氧化氢5重量百分比至20重量百分比、四氮环状化合物0.01重量百分比至1.5重量百分比、三氮环状化合物0.01至1.5重量百分比、芳香族化合物0.01重量百分比至1重量百分比、胺类化合物3重量百分比至10重量百分比、以及水，还包含钼铜蚀刻液组合物，所述钼铜蚀刻液组合物还包含：过氧化氢稳定剂1重量百分比至5重量百分比、有机酸1重量百分比至5重量百分、无机酸0.1重量百分比至5重量百分比以及磺酸化合物1重量百分比至5重量百分比。

公开(公告)号：CN108456885B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201810149885.X

申请日：2018-02-13

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李相赫 ,  申贤哲 ,  金奎怖 ,  李秉雄

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液组合物以及利用其的金属布线形成方法，更详细而言，涉及在金属布线的制备工艺中通过以预定图案蚀刻金属膜而用于金属布线形成的蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物包含过硫酸盐、含氟化合物、4氮杂环化合物、2氯化物以及水，其中所述4氮杂环化合物与2氯化物的含量比为1:1.4至1:2。

公开(公告)号：CN110273156A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910192762.9

申请日：2019-03-14

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李相赫 ,  黄俊荣 ,  李大雨 ,  申贤哲 ,  金奎佈

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L27/32 ,  G02F1/13

Abstract: 本发明揭示用于液晶显示装置或有机发光二极管显示装置等的不包含氟的钼铜合金膜蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物包含蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物包含：过氧化氢5重量百分比至20重量百分比、四氮环状化合物0.01重量百分比至1.5重量百分比、三氮环状化合物0.01至1.5重量百分比、芳香族化合物0.01重量百分比至1重量百分比、胺类化合物3重量百分比至10重量百分比、以及水，还包含钼铜蚀刻液组合物，所述钼铜蚀刻液组合物还包含：过氧化氢稳定剂1重量百分比至5重量百分比、有机酸1重量百分比至5重量百分、无机酸0.1重量百分比至5重量百分比以及磺酸化合物1重量百分比至5重量百分比。

公开(公告)号：CN110295368B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910221474.1

申请日：2019-03-22

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 申贤哲 ,  李相赫 ,  金奎佈

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明公开了一种制造显示器时使用于金属配线制造工序的不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物及利用此的金属配线形成方法。提供一种蚀刻液组合物，包含：所述有机酸化合物的阴离子、磺酸化合物的阴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、包含氮的二羰基(Dicarbonyl)化合物、以及余量的水，并且所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。

公开(公告)号：CN110295368A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910221474.1

申请日：2019-03-22

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 申贤哲 ,  李相赫 ,  金奎佈

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明公开了一种制造显示器时使用于金属配线制造工序的不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物及利用此的金属配线形成方法。提供一种蚀刻液组合物，包含：所述有机酸化合物的阴离子、磺酸化合物的阴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、包含氮的二羰基(Dicarbonyl)化合物、以及余量的水，并且所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。

公开(公告)号：CN112853357A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011254004.4

申请日：2020-11-11

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李大雨 ,  申贤哲 ,  李相赫 ,  金奎怖

IPC: C23F1/30 ,  C23F1/02

Abstract: 本发明公开一种在有机发光二极管(OLED)像素制造中使用的不包含磷酸的蚀刻液组合物以及利用上述蚀刻液组合物的金属布线形成方法。具体来讲，涉及一种通过在金属布线的制造工程中将金属膜蚀刻成特定图案而形成金属布线的蚀刻液组合物。上述蚀刻液组合物包含：羧基化合物40至60重量％、磺酸化合物1至4.9重量％、硝酸盐化合物10至20重量％、唑类化合物0.1至1重量％、以及余量的水。

公开(公告)号：CN108456885A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810149885.X

申请日：2018-02-13

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 李相赫 ,  申贤哲 ,  金奎怖 ,  李秉雄

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/306

CPC classification number: C23F1/18 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液组合物以及利用其的金属布线形成方法，更详细而言，涉及在金属布线的制备工艺中通过以预定图案蚀刻金属膜而用于金属布线形成的蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物包含过硫酸盐、含氟化合物、4氮杂环化合物、2氯化物以及水，其中所述4氮杂环化合物与2氯化物的含量比为1:1.4至1:2。