公开(公告)号：CN106206711A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610704134.0

申请日：2016-08-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陈欣 ,  魏家行 ,  杨翰琪 ,  任晓飞 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种P型埋层AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成AlN成核层，在AlN成核层上形成本征GaN层，在本征GaN层上形成AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅氧化层，在栅氧化层上表面形成栅极，在AlGaN掺杂层和栅极上覆盖钝化层，在栅极一侧形成源极，在栅极另一侧形成漏极，所述源极和漏极始于本征GaN层的上部、贯穿AlGaN掺杂层并止于钝化层内，其特征在于，在AlN成核层中形成有P型AlGaN掺杂区埋层，所述P型AlGaN掺杂区埋层上表面与本征GaN层下表面相接触，P型AlGaN掺杂区埋层的一个边界位于栅极下方，另一个边界位于栅极和漏极之间区域的下方。

公开(公告)号：CN106206711B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201610704134.0

申请日：2016-08-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陈欣 ,  魏家行 ,  杨翰琪 ,  任晓飞 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 一种P型埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成AlN成核层，在AlN成核层上形成本征GaN层，在本征GaN层上形成AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅氧化层，在栅氧化层上表面形成栅极，在AlGaN掺杂层和栅极上覆盖钝化层，在栅极一侧形成源极，在栅极另一侧形成漏极，所述源极和漏极始于本征GaN层的上部、贯穿AlGaN掺杂层并止于钝化层内，其特征在于，在AlN成核层中形成有P型AlGaN掺杂区埋层，所述P型AlGaN掺杂区埋层上表面与本征GaN层下表面相接触，P型AlGaN掺杂区埋层的一个边界位于栅极下方，另一个边界位于栅极和漏极之间区域的下方。

公开(公告)号：CN106129117A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610616608.6

申请日：2016-07-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  任晓飞 ,  李秀军 ,  叶然 ,  方云超 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7825

Abstract: 一种高可靠性的横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有P型体区和N型漂移区，在P型体区内设有N型源区和P型体接触区，在N型漂移区中设有N型缓冲层，在N型缓冲层中设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅并延伸至场氧化层上表面，所述可降低热载流子效应的结构为由多个沟槽构成的沟槽阵列，位于多晶硅栅下方的场氧化层区域，且沟槽阵列由多晶硅填充并与多晶硅栅连接。引入的沟槽阵列能够有效降低栅氧化层和场氧化层交界位置处的碰撞电离峰值，减低器件的热载流子退化，进而提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN105185827A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510566720.9

申请日：2015-09-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  魏家行 ,  周迁 ,  任晓飞 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0611

Abstract: 一种AlGaN/GaN高电子迁移率功率半导体器件，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层中形成有栅氧化层，所述栅氧化层贯穿AlGaN掺杂层且始于AlGaN掺杂层的下表面并止于AlGaN掺杂层的上表面，在栅氧化层的上表面形成有栅极，在AlGaN掺杂层的上表面栅极的一侧形成有源极，在AlGaN掺杂层的上表面栅极的另一侧形成有漏极，在栅极、源极和漏极上形成有钝化层，且源极和漏极通过钝化层与栅极相隔离，其特征在于，在AlGaN掺杂层的内部设有绝缘层且绝缘层的上表面裸露于AlGaN掺杂层的上表面，所述绝缘层与栅氧化层相接触且位于所述栅氧化层与漏极之间，这种结构的优点在于能够有效提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN104716065A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201510121194.5

申请日：2015-03-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张春伟 ,  任晓飞 ,  袁永胜 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/26

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压特性修正方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容-电压特性测试；其次根据不同输入电压信号频率条件下的金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压测试电路中串联电阻R值相同的特点搭建新修正模型，提取模型参数，得到修正曲线。本发明中针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压特性修正方法，其模型参数仅需考虑两组频率和对应频率下的测试电容，无需了解器件结构参数就能修正出其实际电容-电压特性曲线，适用范围广。本方法也弥补了传统模型无法准确计算串联电阻R值，导致不能准确修正出实际电容-电压特性曲线的缺陷。

公开(公告)号：CN104716065B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201510121194.5

申请日：2015-03-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张春伟 ,  任晓飞 ,  袁永胜 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容‑电压特性测试；其次根据不同输入电压信号频率条件下的金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压测试电路中串联电阻R值相同的特点搭建新修正模型，提取模型参数，得到修正曲线。本发明中针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法，其模型参数仅需考虑两组频率和对应频率下的测试电容，无需了解器件结构参数就能修正出其实际电容‑电压特性曲线，适用范围广。本方法也弥补了传统模型无法准确计算串联电阻R值，导致不能准确修正出实际电容‑电压特性曲线的缺陷。