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公开(公告)号：CN119247132A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411314692.7
申请日：2024-09-20
Applicant: 东南大学 , 国网电力科学研究院有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 , 国网新源控股有限公司抽水蓄能技术经济研究院
IPC: G01R31/34 , G01R31/12 , G06F30/20 , G06F17/18 , G06F111/08 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种电机绝缘剩余寿命预测方法、系统，该方法包括以剩余击穿电压为退化量，建立基于Wiener过程和Arrhenius公式的电机绝缘退化模型，基于首达时的概念构建电机绝缘剩余寿命预测模型；用等效温度替代之后未知的温度变化，将模型参数设定为正态分布且相互独立的随机变量；利用极大似然估计的方法得到模型参数的联合先验分布，利用贝叶斯估计和马尔科夫链蒙特卡洛方法得到模型参数的后验分布近似解；利用全概率公式，得到最终的电机绝缘剩余寿命预测模型，将时变温度应力下电机绕组的电机绝缘退化数据输入到该模型中，得到预测的电机绝缘剩余寿命。本发明提高了适用性和灵活性，使寿命预测结果更加个性化和精准化。
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公开(公告)号：CN112993021B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201911310548.5
申请日：2019-12-18
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：沟槽栅极，包括沟槽内的下部和沟槽外的上部，下部在导电沟道宽度方向上的长度小于上部，下部伸入体区且小于体区的深度；绝缘结构，设于漏极区和沟槽栅极之间并向下伸入漂移区，绝缘结构的深度小于漂移区，绝缘结构在漂移区内的深度大于场氧层在漂移区内的深度，绝缘结构在导电沟道宽度方向上的长度小于漂移区，绝缘结构两侧的表面形成有场氧层，上部延伸至场氧层上。本发明的导电沟道为在漂移区和体区中围绕绝缘结构和沟槽栅极设置的立体化结构。因此器件导通时的电流通路得到了扩展，能够大幅降低导通电阻。且绝缘结构可以有效提高器件的耐压性能，并起到辅助耗尽的作用。
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公开(公告)号：CN106349222A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610721595.9
申请日：2012-04-22
Applicant: 东南大学 , 正大天晴药业集团股份有限公司
IPC: C07D401/14 , A61P35/00
CPC classification number: Y02P20/55 , C07D401/14
Abstract: 本发明涉及克里唑替尼前药及其制备方法与用途，本发明提供一种通式(Ⅱ)所示的化合物及其制备方法。本发明所提供的式(Ⅱ)化合物在体外对白血病细胞、人肝癌细胞、人肺癌细胞和低分化胃癌细胞等均有抑制作用。
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公开(公告)号：CN103373986A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210128875.0
申请日：2012-04-22
Applicant: 东南大学 , 正大天晴药业集团股份有限公司
IPC: C07D401/14 , C07D213/75 , A61K31/4545 , A61P35/04 , A61P35/00 , A61P11/00
CPC classification number: Y02P20/55
Abstract: 本发明涉及克里唑替尼前药及其制备方法与用途，本发明提供一种通式(II)所示的化合物或其立体异构体、或其药学可接受的盐、溶剂化物或水合物：其中，X是O或CH2；m是0或1；R1、R2选自相同或不同的基团，各自独立地是氢、卤素、硝基、氰基、羟基、氨基、C1-C6的饱和或不饱和的链烃基、C1-C6的饱和或不饱和的环烃基；R1与R2也可存在于同一个环中，共同构成3-6元环，该3-6元环可以是取代或未取代的环烷烃、芳环或杂芳环，环上的取代基可选自卤素、硝基、氰基、羟基、氨基、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基；R3选自氢、取代或未取代C1-C12的饱和或不饱和的烃基、取代或未取代的苯基或杂芳基、取代或未取代的烷酰氧基、取代或未取代的磷酰氧基、取代或未取代的芳酰氧基或杂芳酰氧基，上述取代基选自卤素、硝基、氰基、羟基、氨基、苯基或杂芳基、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6烯基、C1-C6炔基。
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公开(公告)号：CN118824553A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410793487.7
申请日：2024-06-19
Applicant: 东南大学附属中大医院 , 上海理工大学
IPC: G16H50/50 , A61B5/021 , G16H20/40 , G16H10/60 , G16H30/20 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F30/28 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本申请提供了一种术后门静脉血压的确定方法、装置、电子设备及存储介质，确定方法包括：获取患者术前的影像数据以及测量数据；将所述患者术前的影像数据以及所述测量数据输入至门静脉几何多尺度模型中，得到所述门静脉几何多尺度模型输出的所述患者术后的门静脉血压；其中，所述门静脉几何多尺度模型由所述患者的门静脉系统的三维模型以及肝脏血液循环系统的零维模型耦合而成。采用本申请提供的技术方案能够实现通过患者术前数据预测术后门静脉血压，利用最终得到的术后门静脉血压，即可在实际支架置入前评估手术疗效，为支架尺寸型号的选择提供参考，提高了后续进行介入手术治疗的个体化与精准化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112993021A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911310548.5
申请日：2019-12-18
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：沟槽栅极，包括沟槽内的下部和沟槽外的上部，下部在导电沟道宽度方向上的长度小于上部，下部伸入体区且小于体区的深度；绝缘结构，设于漏极区和沟槽栅极之间并向下伸入漂移区，绝缘结构的深度小于漂移区，绝缘结构在漂移区内的深度大于场氧层在漂移区内的深度，绝缘结构在导电沟道宽度方向上的长度小于漂移区，绝缘结构两侧的表面形成有场氧层，上部延伸至场氧层上。本发明的导电沟道为在漂移区和体区中围绕绝缘结构和沟槽栅极设置的立体化结构。因此器件导通时的电流通路得到了扩展，能够大幅降低导通电阻。且绝缘结构可以有效提高器件的耐压性能，并起到辅助耗尽的作用。
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公开(公告)号：CN110808287B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201911058197.3
申请日：2019-10-31
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有N型区，在N型区的上方有P型体区和N型漂移区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在N型漂移区内设有N型漏区，在N型漏区、N型源区和P型区上设有金属接触，在N型区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方覆盖有多晶硅栅场板，在栅氧化层和N型漏区之间设有场氧层，在场氧层上方设有源级场板，其特征在于，所述源级场板由一排相互间隔排列且相抵的低位源级场板和高位源级场板组成，高位源级场板与N型漂移区之间的距离大于低位源级场板与N型漂移区之间的距离。本发明可在击穿电压基本不变的基础上，获得较优的品质因数。
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公开(公告)号：CN110808287A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911058197.3
申请日：2019-10-31
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有N型区，在N型区的上方有P型体区和N型漂移区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在N型漂移区内设有N型漏区，在N型漏区、N型源区和P型区上设有金属接触，在N型区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方覆盖有多晶硅栅场板，在栅氧化层和N型漏区之间设有场氧层，在场氧层上方设有源级场板，其特征在于，所述源级场板由一排相互间隔排列且相抵的低位源级场板和高位源级场板组成，高位源级场板与N型漂移区之间的距离大于低位源级场板与N型漂移区之间的距离。本发明可在击穿电压基本不变的基础上，获得较优的品质因数。
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公开(公告)号：CN106349222B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610721595.9
申请日：2012-04-22
Applicant: 东南大学 , 正大天晴药业集团股份有限公司
IPC: C07D401/14 , A61P35/00
CPC classification number: Y02P20/55
Abstract: 本发明涉及克里唑替尼前药及其制备方法与用途，本发明提供一种通式(Ⅱ)所示的化合物及其制备方法。本发明所提供的式(Ⅱ)化合物在体外对白血病细胞、人肝癌细胞、人肺癌细胞和低分化胃癌细胞等均有抑制作用。
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公开(公告)号：CN103373986B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201210128875.0
申请日：2012-04-22
Applicant: 东南大学 , 正大天晴药业集团股份有限公司
IPC: C07D401/14 , C07D213/75 , A61K31/4545 , A61P35/04 , A61P35/00 , A61P11/00
CPC classification number: Y02P20/55
Abstract: 本发明涉及克里唑替尼前药及其制备方法与用途，本发明提供一种通式(II)所示的化合物或其立体异构体、或其药学可接受的盐、溶剂化物或水合物：其中，X是O或CH2；m是0或1；R1、R2选自相同或不同的基团，各自独立地是氢、卤素、硝基、氰基、羟基、氨基、C1‑C6的饱和或不饱和的链烃基、C1‑C6的饱和或不饱和的环烃基；R1与R2也可存在于同一个环中，共同构成3‑6元环，该3‑6元环可以是取代或未取代的环烷烃、芳环或杂芳环，环上的取代基可选自卤素、硝基、氰基、羟基、氨基、C1‑C6烷基、C1‑C6烷氧基；R3选自氢、取代或未取代C1‑C12的饱和或不饱和的烃基、取代或未取代的苯基或杂芳基、取代或未取代的烷酰氧基、取代或未取代的磷酰氧基、取代或未取代的芳酰氧基或杂芳酰氧基，上述取代基选自卤素、硝基、氰基、羟基、氨基、苯基或杂芳基、C1‑C6烷基、C1‑C6烷氧基、C1‑C6烯基、C1‑C6炔基。
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