公开(公告)号：CN103996714A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410195822.X

申请日：2014-05-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  顾春德 ,  王剑峰 ,  马荣晶 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66712

Abstract: 一种N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底的一侧连接有漏极金属，在N型衬底的另一侧设有N型漂移区，在N型漂移区中设有P型基区，在P型基区中设有P型体接触区和N型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧化层且栅氧化层的边界分别向两侧延伸并止于N型源区的边界，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在多晶硅栅及N型源区上设有场氧化层，在多晶硅栅的表面连接有栅极金属，在N型源区和P型体接触区连接有源极金属。其特征在于所述的P型体接触区和P型基区中间内嵌有一金属层。这种结构的优点在于保持器件击穿电压等其他参数基本不变的前提下不仅可以显著降低器件的反向恢复时间，而且还提高了器件的抗闩锁能力。

公开(公告)号：CN104022111A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410269632.8

申请日：2014-06-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  叶然 ,  王剑峰 ,  孙陈超 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种具有双向防护能力的静电放电保护结构，包括P型衬底，N型阱区、第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区，第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第三N型重掺杂区和第四N型重掺杂区，第一场氧化层、第二场氧化层、第三场氧化层、第四场氧化层和栅氧化层，栅多晶硅层，第一金属层，第二金属层，第三金属层，第四金属层，第五金属层，金属层二。本发明结构在正负方向上都具有耐压能力，保证了该结构不会影响内部电路的正常工作，且遇到静电放电脉冲时能够提供正负两个方向的静电放电电流泄放路径，达到静电放电保护的目的，可以用于需要双向静电放电保护的集成电路。

公开(公告)号：CN104022111B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410269632.8

申请日：2014-06-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  叶然 ,  王剑峰 ,  孙陈超 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种具有双向防护能力的静电放电保护结构，包括P型衬底，N型阱区、第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区，第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第三N型重掺杂区和第四N型重掺杂区，第一场氧化层、第二场氧化层、第三场氧化层、第四场氧化层和栅氧化层，栅多晶硅层，第一金属层，第二金属层，第三金属层，第四金属层，第五金属层，金属层二。本发明结构在正负方向上都具有耐压能力，保证了该结构不会影响内部电路的正常工作，且遇到静电放电脉冲时能够提供正负两个方向的静电放电电流泄放路径，达到静电放电保护的目的，可以用于需要双向静电放电保护的集成电路。