-
公开(公告)号：CN110261445B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201910627455.9
申请日：2019-07-12
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非金属矿物电极衬底表面原位生长纳米In2O3的室温NO2传感器及制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以非金属矿物多孔陶瓷电极为衬底，采用直流溅射法在衬底表面溅射叉指电极，并采用水热法在其表面原位生长In2O3纳米材料，所述的In2O3纳米材料呈棒状结构，并均匀密集地分布在衬底表面，其直径为120～200nm，长度为0.5～1μm，该棒状结构是由纳米颗粒相互堆积组成的，所述的纳米颗粒为In2O3立方相晶体结构，其直径为10～30nm。该气体传感器可以在室温工作条件下，并在UV光辅助恢复下，对0.1～1ppm NO2具有快速的响应和恢复速度，且具有优异的选择性和长期稳定性，有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109632894A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910027216.X
申请日：2019-01-11
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/127
Abstract: 本发明一种贵金属原位共掺杂CuO基NO2气敏材料的制备及其应用，涉及CuO基纳米材料制备领域。贵金属原位共掺杂CuO纳米材料制备方法包括以下步骤：向去离子水中分别加入1.3mmol的CuSO45H2O和0.8～1mmol的柠檬酸三钠，搅拌后加入5～5.3mmol的NaOH，得溶液A；将375～1875μL浓度为0.017mol/L的氯金酸溶液和650～3250μL浓度为0.01mol/L的氯化钯溶液混合，得溶液B；将溶液B加入溶液A中，160℃条件下水热反应12h得到反应产物；冷却洗涤干燥热处理。上述方法制得的材料可制备气敏性能优越、适用于低工作温度检测的NO2气体传感器。
-
公开(公告)号：CN110412086B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910712687.4
申请日：2019-08-02
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12 , B82Y15/00 , G01N23/207
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的异丙醇气敏元件及其制备方法，属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的ZnSnO3纳米球组成，所述ZnSnO3纳米球直径为500±50nm，所述ZnSnO3纳米球为钙钛矿结构，所述气敏元件的异丙醇浓度检测范围为500ppb～500ppm。本发明操作流程简单、反应条件温和、易于控制、可批量生产。基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的ppb级异丙醇气敏元件具有ppb级检测、响应恢复迅速、可逆性好、高选择性，在200℃工作温度条件下时获得对异丙醇气体的最大灵敏度，是具有良好发展前景的异丙醇气敏元件。
-
公开(公告)号：CN110261445A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910627455.9
申请日：2019-07-12
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非金属矿物电极衬底表面原位生长纳米In2O3的室温NO2传感器及制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以非金属矿物多孔陶瓷电极为衬底，采用直流溅射法在衬底表面溅射叉指电极，并采用水热法在其表面原位生长In2O3纳米材料，所述的In2O3纳米材料呈棒状结构，并均匀密集地分布在衬底表面，其直径为120～200nm，长度为0.5～1μm，该棒状结构是由纳米颗粒相互堆积组成的，所述的纳米颗粒为In2O3立方相晶体结构，其直径为10～30nm。该气体传感器可以在室温工作条件下，并在UV光辅助恢复下，对0.1～1ppm NO2具有快速的响应和恢复速度，且具有优异的选择性和长期稳定性，有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN110108760A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910408125.0
申请日：2019-05-15
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明提供一种基于Zn元素掺杂α-Fe2O3纳米棒的气敏元件及其制备方法，以黄铁矿为原料，通过化学浸出法得到含Fe3+的浸出液来合成α-Fe2O3纳米材料，再通过向前驱液中掺入Zn元素以制备出灵敏度较高、选择性较好的新型α-Fe2O3基气敏材料，然后将掺杂Zn元素的α-Fe2O3基气敏材料通过浆液的形式均匀涂覆到电极元件表面得到气敏元件，克服现有α-Fe2O3气敏材料制备成本高、灵敏度低及选择性差等方面存在的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113369027A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110859896.9
申请日：2021-07-28
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明涉及一种多级旋流分离柱，包含进料通道、外溢流管、内溢流管、分离腔、分离腔顶盖、分离腔底盖和底流管；其特点是分离腔至少由两级直径和高度均不相同的分离腔组成，各分离腔依照直径由大到小的顺序依次装配；相邻分离腔之间通过分离腔底盖连接，分离腔底盖内径与下级分离腔直径一致，形成“台阶效应”。本发明通过逐级缩小分离腔直径，强化颗粒切向速度和速度梯度，增强颗粒所受到的离心力和剪切力，从而促进被内旋流裹挟的粗颗粒再次进入分离空间，减少粗颗粒在溢流中的错配，提高宽级别物料的分离效率和分离精度；同时利用“台阶效应”逐级强化阻塞排料，并破坏边界层，减少细颗粒在沉砂中的分配率，进一步提高分离效率和分离精度。
-
公开(公告)号：CN110108760B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910408125.0
申请日：2019-05-15
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明提供一种基于Zn元素掺杂α‑Fe2O3纳米棒的气敏元件及其制备方法，以黄铁矿为原料，通过化学浸出法得到含Fe3+的浸出液来合成α‑Fe2O3纳米材料，再通过向前驱液中掺入Zn元素以制备出灵敏度较高、选择性较好的新型α‑Fe2O3基气敏材料，然后将掺杂Zn元素的α‑Fe2O3基气敏材料通过浆液的形式均匀涂覆到电极元件表面得到气敏元件，克服现有α‑Fe2O3气敏材料制备成本高、灵敏度低及选择性差等方面存在的问题。
-
公开(公告)号：CN102651143A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110044770.2
申请日：2011-02-25
Applicant: 中冶沈勘工程技术有限公司 , 东北大学
IPC: G06T17/05
Abstract: 本发明是一种尖灭地质体三维复杂剖面自动生成方法，是从对钻孔数据处理入手，依据钻孔数据的空间分布，对钻孔中缺失地层数据进行虚拟补充。根据钻孔中地层一一对应规则将同一层的钻孔数据提取出来，并组合成地层轮廓线。根据提取的地层轮廓线，以相邻两个钻孔间构成地层的上下地层点进行三角剖分，实现地层剖面的三维可视化表达。本发明解决了复杂三维剖面的自动绘制问题，极大地减轻手工绘制地质剖面图工作量，该方法基于钻孔的地层信息判断尖灭情况，从而提高空间分析和决策的效率，适应复杂地质体三维剖面建模，可在三维地学建模中广泛推广使用。
-
-
公开(公告)号：CN109911929B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910253135.1
申请日：2019-03-29
Applicant: 东北大学
Abstract: 一种Pt为催化剂制备SnO2纳米材料的方法和应用，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。一种Pt为催化剂制备的SnO2纳米材料，所述SnO2纳米材料呈梳状结构，围绕主干表面密集生长有纳米线；所述纳米材料是由金红石四方相晶体结构的SnO2构成；主干直径为100～500nm，长度为100～500μm，纳米线的直径为80～200nm，长度为400nm～2μm。本发明H2S气体传感器在较低工作温度下获得对H2S气体最大的灵敏度，具有快速的响应和恢复速度，检测下限为500ppb，对H2S有优异的选择性。该发明克服了现有H2S气体传感器工作温度过高、响应恢复速度慢、选择性差等不足，有良好的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.015 seconds)
