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公开(公告)号：CN110412088B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910728452.4
申请日：2019-08-08
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Au掺杂In2O3纳米球的黄药气体气敏元件及其制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以硝酸铟为铟源，氯金酸为金源，采用水热法制备具有六方相晶体结构、直径为75～125nm的Au掺杂In2O3纳米球。将制备的Au掺杂In2O3纳米球分散在乙醇溶液中，制备成气敏料浆，然后将其均匀地涂覆在电极元件表面，制备成气敏元件。本发明所述的Au掺杂In2O3纳米球合成方法简单、成本低、无污染、结构稳定。本发明所述的气敏元件灵敏度高、具有良好的响应和恢复特性，并且具有良好的响应可逆性，重复性和稳定性，能够填补目前市场上该类气体定量检测的空白，对于保障选矿厂浮选车间工作人员的生命健康安全具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110412086A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910712687.4
申请日：2019-08-02
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12 , B82Y15/00 , G01N23/207
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的异丙醇气敏元件及其制备方法，属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的ZnSnO3纳米球组成，所述ZnSnO3纳米球直径为500±50nm，所述ZnSnO3纳米球为钙钛矿结构，所述气敏元件的异丙醇浓度检测范围为500ppb～500ppm。本发明操作流程简单、反应条件温和、易于控制、可批量生产。基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的ppb级异丙醇气敏元件具有ppb级检测、响应恢复迅速、可逆性好、高选择性，在200℃工作温度条件下时获得对异丙醇气体的最大灵敏度，是具有良好发展前景的异丙醇气敏元件。
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公开(公告)号：CN109911929A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910253135.1
申请日：2019-03-29
Applicant: 东北大学
Abstract: 一种Pt为催化剂制备SnO2纳米材料的方法和应用，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。一种Pt为催化剂制备的SnO2纳米材料，所述SnO2纳米材料呈梳状结构，围绕主干表面密集生长有纳米线；所述纳米材料是由金红石四方相晶体结构的SnO2构成；主干直径为100～500nm，长度为100～500μm，纳米线的直径为80～200nm，长度为400nm～2μm。本发明H2S气体传感器在较低工作温度下获得对H2S气体最大的灵敏度，具有快速的响应和恢复速度，检测下限为500ppb，对H2S有优异的选择性。该发明克服了现有H2S气体传感器工作温度过高、响应恢复速度慢、选择性差等不足，有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109632893A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910026841.2
申请日：2019-01-11
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/127
Abstract: 本发明一种基于p‑n异质结结构NiO‑In2O3复合纳米球的气体传感器及其制备方法，属于半导体金属氧化物的气体传感器领域。一种p‑n异质结结构NiO‑In2O3复合纳米球的制备方法，所述方法为将四水合三氯化铟、六水合硝酸镍、一水合柠檬酸和尿素按照摩尔比为1：0.1～0.2：2.5：15溶于乙二醇溶液中，磁力搅拌60min得混合溶液，所述混合溶液中四水合三氯化铟的浓度为1/30mol/L；将混合溶液置于160℃干燥箱中反应16h，洗涤干燥热处理得所述复合纳米球。本发明所述方法简单、成本低，制得的NO2传感器灵敏度高、选择性高、响应恢复性好。
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公开(公告)号：CN108946815A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810964780.X
申请日：2018-08-23
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明属于半导体氧化物的气体传感器技术领域，具体涉及一种WO3纳米颗粒和其制备方法及其在传感器中的应用。将聚乙烯亚胺溶液和Na2WO4·2H2O溶液混合，再用HCl溶液调成pH值为0.8～1.4的混合溶液，经140～180℃恒温条件下反应4～36h后，洗涤、干燥，热处理4～8h，即得具有单斜晶体结构，直径为10～50nm的WO3纳米颗粒，涂敷于Al2O3陶瓷管和金电极表面，然后经老化处理制备成气体传感器。基于本发明方法制备NO2气体传感器，可以实现对亚ppm至ppb级NO2气体的高灵敏度、高选择性、低工作温度的快速响应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119040660A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411168297.2
申请日：2024-08-23
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种强化砷黄铁矿化学氧化的方法，具体是在砷黄铁矿化学氧化体系中添加一定量的黄铁矿，利用黄铁矿氧化产酸的特性，降低体系pH，使钝化层中氢氧化铁沉淀向砷酸铁转化；并利用黄铁矿作为Fe源，提高体系中Fe/As摩尔比，以降低钝化层中砷酸铁的稳定性；由于黄铁矿表面硫缺陷位点上的Fe(III)和Fe(II)可以活化小分子环境介质，所产生的活性氧基团(ROS)对砷黄铁矿具有氧化能力，从而达到强化砷黄铁矿氧化的目的；本发明方法使砷黄铁矿化学氧化体系中砷的浸出率最高提高了近3倍，对砷黄铁矿氧化的强化效果显著，同时方法工艺简单，条件温和，操作简便。
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公开(公告)号：CN115684289A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211144629.4
申请日：2022-09-20
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种SnO2量子点‑硫化物复合气敏材料及其制备方法和在NH3传感器中的应用，属于气体传感器领域。一种SnO2量子点‑硫化物复合气敏材料，所述SnO2量子点‑硫化物复合气敏材料的微观形貌为SnO2量子点均匀生长在硫化物表面，其中，SnO2量子点的晶体结构为四方相晶体结构；所述硫化物为由硫化物纳米片组装而成的分级多孔花状结构，所述硫化物为MoS2或SnS2，晶体结构为六方相晶体结构。本发明的SnO2量子点‑硫化物复合气敏材料通过SnO2量子点的高活性，硫化物表面丰富的成核位点和高的载流子迁移速率，以及二者之间形成异质结构的协同效应，解决了室温条件下NH3传感器灵敏度低，响应/恢复速率慢的问题。
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公开(公告)号：CN110412088A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910728452.4
申请日：2019-08-08
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Au掺杂In2O3纳米球的黄药气体气敏元件及其制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以硝酸铟为铟源，氯金酸为金源，采用水热法制备具有六方相晶体结构、直径为75～125nm的Au掺杂In2O3纳米球。将制备的Au掺杂In2O3纳米球分散在乙醇溶液中，制备成气敏料浆，然后将其均匀地涂覆在电极元件表面，制备成气敏元件。本发明所述的Au掺杂In2O3纳米球合成方法简单、成本低、无污染、结构稳定。本发明所述的气敏元件灵敏度高、具有良好的响应和恢复特性，并且具有良好的响应可逆性，重复性和稳定性，能够填补目前市场上该类气体定量检测的空白，对于保障选矿厂浮选车间工作人员的生命健康安全具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109187665A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811103292.6
申请日：2018-09-20
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域，具体涉及一种基于非水解溶胶-凝胶WO3多孔薄膜的NO2气敏元件及其制备方法。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的WO3多孔薄膜气敏层组成，所述WO3多孔薄膜由WO3纳米凝胶颗粒旋涂而成，所述WO3纳米凝胶颗粒直径为20～60nm，所述WO3为单斜晶体结构。本发明方法操作简单、反应易于控制、合成周期短，有效解决了传统制备方法成本高、合成周期长等缺点。通过该方法制备的气体气敏元件在工作温度100℃时获得对NO2气体的最大灵敏度，响应和恢复时间短、选择性高，是具有良好发展前景的NO2气敏元件。
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公开(公告)号：CN109115843A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811103289.4
申请日：2018-09-20
Applicant: 东北大学
CPC classification number: G01N27/127 , C01G49/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/64
Abstract: 本发明属于零维金属氧化物半导体材料的气体传感器技术领域，具体涉及一种Cu掺杂ZnFe2O4纳米颗粒及其制备方法和应用。将FeCl3、ZnCl2、CuCl2和CON2H4按摩尔比10:10:8～15:330溶于去离子水中，其中FeCl3与去离子水的比例为1:50mol/L，磁力搅拌，得到混合溶液；经洗涤、干燥、热处理后得Cu掺杂ZnFe2O4纳米颗粒。将Cu掺杂ZnFe2O4纳米颗粒制成低温气体传感器的气敏涂层，该气体传感器在25～50℃时即可获得对H2S气体的较大灵敏度，解决了传统金属氧化物半导体式气体传感器在低温区域气敏特性较差的问题，是具有良好发展前景的气体传感器。
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