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公开(公告)号：CN110261445A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910627455.9
申请日：2019-07-12
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非金属矿物电极衬底表面原位生长纳米In2O3的室温NO2传感器及制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以非金属矿物多孔陶瓷电极为衬底，采用直流溅射法在衬底表面溅射叉指电极，并采用水热法在其表面原位生长In2O3纳米材料，所述的In2O3纳米材料呈棒状结构，并均匀密集地分布在衬底表面，其直径为120～200nm，长度为0.5～1μm，该棒状结构是由纳米颗粒相互堆积组成的，所述的纳米颗粒为In2O3立方相晶体结构，其直径为10～30nm。该气体传感器可以在室温工作条件下，并在UV光辅助恢复下，对0.1～1ppm NO2具有快速的响应和恢复速度，且具有优异的选择性和长期稳定性，有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104034757A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410282701.9
申请日：2014-06-24
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明属于一维半导体氧化物的气体传感器技术领域，具体涉及一种基于TeO2纳米线的醇类气体传感器及其制备方法。本发明的醇类气体传感器气敏涂层成分为TeO2纳米线，TeO2纳米线具有单一的四方相晶体结构，表面光滑，直径为70～200nm，长度为500μm～2mm，长径比最大达29000；气体传感器的制备方法是首先制备TeO2纳米线，将TeO2纳米线与黏合剂混合，调制成料浆涂于陶瓷基板表面，成为气敏涂层，再经热处理，最终获得基于TeO2纳米线的醇类气体传感器。本发明首先利用热蒸发法制备出具有结晶好、长径比高、产量大、高表面活性的TeO2纳米线，然后将TeO2纳米线制备成气体传感器，具有低工作温度、高灵敏度、低能耗等优点。
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公开(公告)号：CN104034757B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410282701.9
申请日：2014-06-24
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明属于一维半导体氧化物的气体传感器技术领域，具体涉及一种基于TeO2纳米线的醇类气体传感器及其制备方法。本发明的醇类气体传感器气敏涂层成分为TeO2纳米线，TeO2纳米线具有单一的四方相晶体结构，表面光滑，直径为70～200nm，长度为500μm～2mm，长径比最大达29000；气体传感器的制备方法是首先制备TeO2纳米线，将TeO2纳米线与黏合剂混合，调制成料浆涂于陶瓷基板表面，成为气敏涂层，再经热处理，最终获得基于TeO2纳米线的醇类气体传感器。本发明首先利用热蒸发法制备出具有结晶好、长径比高、产量大、高表面活性的TeO2纳米线，然后将TeO2纳米线制备成气体传感器，具有低工作温度、高灵敏度、低能耗等优点。
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公开(公告)号：CN110261445B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201910627455.9
申请日：2019-07-12
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非金属矿物电极衬底表面原位生长纳米In2O3的室温NO2传感器及制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以非金属矿物多孔陶瓷电极为衬底，采用直流溅射法在衬底表面溅射叉指电极，并采用水热法在其表面原位生长In2O3纳米材料，所述的In2O3纳米材料呈棒状结构，并均匀密集地分布在衬底表面，其直径为120～200nm，长度为0.5～1μm，该棒状结构是由纳米颗粒相互堆积组成的，所述的纳米颗粒为In2O3立方相晶体结构，其直径为10～30nm。该气体传感器可以在室温工作条件下，并在UV光辅助恢复下，对0.1～1ppm NO2具有快速的响应和恢复速度，且具有优异的选择性和长期稳定性，有良好的应用前景。
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