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公开(公告)号：CN110412088B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910728452.4
申请日：2019-08-08
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Au掺杂In2O3纳米球的黄药气体气敏元件及其制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以硝酸铟为铟源，氯金酸为金源，采用水热法制备具有六方相晶体结构、直径为75～125nm的Au掺杂In2O3纳米球。将制备的Au掺杂In2O3纳米球分散在乙醇溶液中，制备成气敏料浆，然后将其均匀地涂覆在电极元件表面，制备成气敏元件。本发明所述的Au掺杂In2O3纳米球合成方法简单、成本低、无污染、结构稳定。本发明所述的气敏元件灵敏度高、具有良好的响应和恢复特性，并且具有良好的响应可逆性，重复性和稳定性，能够填补目前市场上该类气体定量检测的空白，对于保障选矿厂浮选车间工作人员的生命健康安全具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109911929A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910253135.1
申请日：2019-03-29
Applicant: 东北大学
Abstract: 一种Pt为催化剂制备SnO2纳米材料的方法和应用，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。一种Pt为催化剂制备的SnO2纳米材料，所述SnO2纳米材料呈梳状结构，围绕主干表面密集生长有纳米线；所述纳米材料是由金红石四方相晶体结构的SnO2构成；主干直径为100～500nm，长度为100～500μm，纳米线的直径为80～200nm，长度为400nm～2μm。本发明H2S气体传感器在较低工作温度下获得对H2S气体最大的灵敏度，具有快速的响应和恢复速度，检测下限为500ppb，对H2S有优异的选择性。该发明克服了现有H2S气体传感器工作温度过高、响应恢复速度慢、选择性差等不足，有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106970117A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710188649.4
申请日：2017-03-27
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种基于电极表面原位生长纳米ZnO的NO2传感器，属于一维半导体金属氧化物材料的气体传感器技术领域。一种基于电极表面原位生长纳米ZnO的NO2传感器，其特征在于：所述传感器是通过在电极元件上原位生长ZnO纳米线阵列所得，其中，所述ZnO纳米线直径为80～100nm，长度为600nm～1μm，ZnO纳米线的晶体结构为六方相纤锌矿晶体结构。本发明所述气体传感器在工作温度250℃时获得对NO2气体的最大灵敏度，响应和恢复时间短，可逆性和选择性好，是具有良好发展前景的NO2传感器。
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公开(公告)号：CN109351337B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201811550118.6
申请日：2018-12-18
Applicant: 东北大学
IPC: B01J20/22 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F101/20
Abstract: 本发明涉及一种硅烷偶联剂改性沸石的制备方法及其应用，属于废液净化处理技术领。一种硅烷偶联剂改性沸石的制备方法，所述方法为以硅烷偶联剂作为改性剂对经过预处理的沸石在120℃恒温磁力搅拌条件下进行回流6～11h，经后处理步骤后制得改性沸石。本发明方法原料来源广、操作简单、反应易于控制、净化效率高，有效解决了传统制备方法成本高、净化效率低等问题。通过该方法制备的改性沸石在常温条件下，经过振荡即可实现对废液中重金属阴离子的有效吸附，可操作性强。
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公开(公告)号：CN106970117B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201710188649.4
申请日：2017-03-27
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种基于电极表面原位生长纳米ZnO的NO2传感器，属于一维半导体金属氧化物材料的气体传感器技术领域。一种基于电极表面原位生长纳米ZnO的NO2传感器，其特征在于：所述传感器是通过在电极元件上原位生长ZnO纳米线阵列所得，其中，所述ZnO纳米线直径为80～100nm，长度为600nm～1μm，ZnO纳米线的晶体结构为六方相纤锌矿晶体结构。本发明所述气体传感器在工作温度250℃时获得对NO2气体的最大灵敏度，响应和恢复时间短，可逆性和选择性好，是具有良好发展前景的NO2传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110261445A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910627455.9
申请日：2019-07-12
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非金属矿物电极衬底表面原位生长纳米In2O3的室温NO2传感器及制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以非金属矿物多孔陶瓷电极为衬底，采用直流溅射法在衬底表面溅射叉指电极，并采用水热法在其表面原位生长In2O3纳米材料，所述的In2O3纳米材料呈棒状结构，并均匀密集地分布在衬底表面，其直径为120～200nm，长度为0.5～1μm，该棒状结构是由纳米颗粒相互堆积组成的，所述的纳米颗粒为In2O3立方相晶体结构，其直径为10～30nm。该气体传感器可以在室温工作条件下，并在UV光辅助恢复下，对0.1～1ppm NO2具有快速的响应和恢复速度，且具有优异的选择性和长期稳定性，有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110243881A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910640005.3
申请日：2019-07-16
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于rGO-SnO2纳米复合材料的NO2气敏元件及其制备方法，属于石墨烯-金属氧化物复合材料气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的rGO-SnO2纳米复合材料组成，所述rGO-SnO2纳米复合材料的微观形貌为在还原氧化石墨烯片层上均匀生长着SnO2纳米球，所述SnO2纳米球直径为40～70nm，为四方锡石相结构。本发明采用一步水热法制备出比表面积大、电阻率低、分散性良好的rGO-SnO2纳米复合材料，然后将rGO-SnO2纳米复合材料作为气敏涂层制备出NO2气敏元件。该气敏元件有效地解决了传统NO2气敏元件工作温度较高及石墨烯类气敏元件灵敏度较低、恢复时间较长等问题，具有较好的应用价值和发展前景。
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公开(公告)号：CN110108760A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910408125.0
申请日：2019-05-15
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明提供一种基于Zn元素掺杂α-Fe2O3纳米棒的气敏元件及其制备方法，以黄铁矿为原料，通过化学浸出法得到含Fe3+的浸出液来合成α-Fe2O3纳米材料，再通过向前驱液中掺入Zn元素以制备出灵敏度较高、选择性较好的新型α-Fe2O3基气敏材料，然后将掺杂Zn元素的α-Fe2O3基气敏材料通过浆液的形式均匀涂覆到电极元件表面得到气敏元件，克服现有α-Fe2O3气敏材料制备成本高、灵敏度低及选择性差等方面存在的问题。
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公开(公告)号：CN110108760B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910408125.0
申请日：2019-05-15
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明提供一种基于Zn元素掺杂α‑Fe2O3纳米棒的气敏元件及其制备方法，以黄铁矿为原料，通过化学浸出法得到含Fe3+的浸出液来合成α‑Fe2O3纳米材料，再通过向前驱液中掺入Zn元素以制备出灵敏度较高、选择性较好的新型α‑Fe2O3基气敏材料，然后将掺杂Zn元素的α‑Fe2O3基气敏材料通过浆液的形式均匀涂覆到电极元件表面得到气敏元件，克服现有α‑Fe2O3气敏材料制备成本高、灵敏度低及选择性差等方面存在的问题。
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公开(公告)号：CN108046829B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201711382868.2
申请日：2017-12-20
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明涉及一种非金属矿物多孔基板及其制备方法和应用，属于非金属矿物材料应用领域。一种非金属矿物多孔基板，其表面及内部均具有均匀分布的圆形或椭圆形的孔隙，显气孔率为30％～55％，抗弯强度为3Mpa～6Mpa，其按下述方法制得：将非金属矿物材料颗粒与造孔剂、粘结剂混合均匀，获得混合粉末；将混合粉末；压制成型后进行烧结，打磨，既得。本发明通过模压烧结工艺制备出了孔隙率高、耐高温、结构强度大的多孔基板，并将其应用于热蒸发法合成纳米气敏材料中。
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