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公开(公告)号：CN110412086B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910712687.4
申请日：2019-08-02
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12 , B82Y15/00 , G01N23/207
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的异丙醇气敏元件及其制备方法，属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的ZnSnO3纳米球组成，所述ZnSnO3纳米球直径为500±50nm，所述ZnSnO3纳米球为钙钛矿结构，所述气敏元件的异丙醇浓度检测范围为500ppb～500ppm。本发明操作流程简单、反应条件温和、易于控制、可批量生产。基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的ppb级异丙醇气敏元件具有ppb级检测、响应恢复迅速、可逆性好、高选择性，在200℃工作温度条件下时获得对异丙醇气体的最大灵敏度，是具有良好发展前景的异丙醇气敏元件。
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公开(公告)号：CN110243881A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910640005.3
申请日：2019-07-16
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于rGO-SnO2纳米复合材料的NO2气敏元件及其制备方法，属于石墨烯-金属氧化物复合材料气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的rGO-SnO2纳米复合材料组成，所述rGO-SnO2纳米复合材料的微观形貌为在还原氧化石墨烯片层上均匀生长着SnO2纳米球，所述SnO2纳米球直径为40～70nm，为四方锡石相结构。本发明采用一步水热法制备出比表面积大、电阻率低、分散性良好的rGO-SnO2纳米复合材料，然后将rGO-SnO2纳米复合材料作为气敏涂层制备出NO2气敏元件。该气敏元件有效地解决了传统NO2气敏元件工作温度较高及石墨烯类气敏元件灵敏度较低、恢复时间较长等问题，具有较好的应用价值和发展前景。
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公开(公告)号：CN109187665B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201811103292.6
申请日：2018-09-20
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域，具体涉及一种基于非水解溶胶‑凝胶WO3多孔薄膜的NO2气敏元件及其制备方法。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的WO3多孔薄膜气敏层组成，所述WO3多孔薄膜由WO3纳米凝胶颗粒旋涂而成，所述WO3纳米凝胶颗粒直径为20～60nm，所述WO3为单斜晶体结构。本发明方法操作简单、反应易于控制、合成周期短，有效解决了传统制备方法成本高、合成周期长等缺点。通过该方法制备的气体气敏元件在工作温度100℃时获得对NO2气体的最大灵敏度，响应和恢复时间短、选择性高，是具有良好发展前景的NO2气敏元件。
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公开(公告)号：CN110243881B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910640005.3
申请日：2019-07-16
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于rGO‑SnO2纳米复合材料的NO2气敏元件及其制备方法，属于石墨烯‑金属氧化物复合材料气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的rGO‑SnO2纳米复合材料组成，所述rGO‑SnO2纳米复合材料的微观形貌为在还原氧化石墨烯片层上均匀生长着SnO2纳米球，所述SnO2纳米球直径为40～70nm，为四方锡石相结构。本发明采用一步水热法制备出比表面积大、电阻率低、分散性良好的rGO‑SnO2纳米复合材料，然后将rGO‑SnO2纳米复合材料作为气敏涂层制备出NO2气敏元件。该气敏元件有效地解决了传统NO2气敏元件工作温度较高及石墨烯类气敏元件灵敏度较低、恢复时间较长等问题，具有较好的应用价值和发展前景。
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公开(公告)号：CN110357606A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910706283.4
申请日：2019-08-01
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/19 , C04B35/195 , C04B41/85 , G01N27/12
Abstract: 本发明提供一种基于沸石基板的In2O3纳米材料制备及其应用，以价格低廉的天然沸石为原料，通过破碎磨矿、压片成型、高温烧结、打磨清洗等工序制备出具有一定强度的沸石基板，随后采用水热合成法在沸石基板上制备出花状In2O3纳米材料，并将长有In2O3纳米材料的基板制成气敏元件对其气敏特性进行考查，克服现有基板种类单一且价格昂贵等方面存在的问题，并拓展了沸石的应用途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109781796B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910169014.9
申请日：2019-03-06
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种基于闪锌矿制备ZnS‑ZnO异质结纳米颗粒的NO2气敏元件属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域。一种ZnS‑ZnO异质结纳米颗粒的制备方法，将粒度为1～2μm的闪锌矿500～800℃焙烧2～8h得固体粉末；将固体粉末与Na2S·9H2O和NaOH按质量比2:3～12:1混合成悬浊液，NaOH的浓度为0.1～0.2mol/L，30～70℃搅拌10min后静置2～10h得沉淀产物，洗涤、干燥、300～500℃热处理4h。本发明成本低、流程简单、反应易于控制、可批量生产。通过该方法制备的气敏元件在工作温度250℃时对NO2气体灵敏度最大，响应和恢复时间短，可逆性好，具有良好发展前景。
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公开(公告)号：CN110412086A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910712687.4
申请日：2019-08-02
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12 , B82Y15/00 , G01N23/207
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的异丙醇气敏元件及其制备方法，属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的ZnSnO3纳米球组成，所述ZnSnO3纳米球直径为500±50nm，所述ZnSnO3纳米球为钙钛矿结构，所述气敏元件的异丙醇浓度检测范围为500ppb～500ppm。本发明操作流程简单、反应条件温和、易于控制、可批量生产。基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的ppb级异丙醇气敏元件具有ppb级检测、响应恢复迅速、可逆性好、高选择性，在200℃工作温度条件下时获得对异丙醇气体的最大灵敏度，是具有良好发展前景的异丙醇气敏元件。
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公开(公告)号：CN109781796A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910169014.9
申请日：2019-03-06
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种基于闪锌矿制备ZnS-ZnO异质结纳米颗粒的NO2气敏元件属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域。一种ZnS-ZnO异质结纳米颗粒的制备方法，将粒度为1～2μm的闪锌矿500～800℃焙烧2～8h得固体粉末；将固体粉末与Na2S·9H2O和NaOH按质量比2:3～12:1混合成悬浊液，NaOH的浓度为0.1～0.2mol/L，30～70℃搅拌10min后静置2～10h得沉淀产物，洗涤、干燥、300～500℃热处理4h。本发明成本低、流程简单、反应易于控制、可批量生产。通过该方法制备的气敏元件在工作温度250℃时对NO2气体灵敏度最大，响应和恢复时间短，可逆性好，具有良好发展前景。
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公开(公告)号：CN110357606B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910706283.4
申请日：2019-08-01
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/19 , C04B35/195 , C04B41/85 , G01N27/12
Abstract: 本发明提供一种基于沸石基板的In2O3纳米材料制备及其应用，以价格低廉的天然沸石为原料，通过破碎磨矿、压片成型、高温烧结、打磨清洗等工序制备出具有一定强度的沸石基板，随后采用水热合成法在沸石基板上制备出花状In2O3纳米材料，并将长有In2O3纳米材料的基板制成气敏元件对其气敏特性进行考查，克服现有基板种类单一且价格昂贵等方面存在的问题，并拓展了沸石的应用途径。
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公开(公告)号：CN109187665A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811103292.6
申请日：2018-09-20
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域，具体涉及一种基于非水解溶胶-凝胶WO3多孔薄膜的NO2气敏元件及其制备方法。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的WO3多孔薄膜气敏层组成，所述WO3多孔薄膜由WO3纳米凝胶颗粒旋涂而成，所述WO3纳米凝胶颗粒直径为20～60nm，所述WO3为单斜晶体结构。本发明方法操作简单、反应易于控制、合成周期短，有效解决了传统制备方法成本高、合成周期长等缺点。通过该方法制备的气体气敏元件在工作温度100℃时获得对NO2气体的最大灵敏度，响应和恢复时间短、选择性高，是具有良好发展前景的NO2气敏元件。
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