公开(公告)号：CN101789361B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010106483.5

申请日：2010-01-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤润 ,  菊地清隆 ,  村上博纪 ,  中岛滋 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 本发明提供一种成膜装置及其使用方法。成膜装置的使用方法在反应室内以主清洁处理和后清洁处理这样的顺序进行主清洁处理和后清洁处理。主清洁处理一边对反应室内进行排气、一边将含氟的清洁气体供给到反应室内从而对含硅的成膜副生成物进行蚀刻。后清洁处理为了去除由主清洁处理产生且残留在反应室内的含硅氟化物，交替地反复多次进行以下2个工序：①将氧化气体供给到反应室内而来氧化含硅氟化物从而将其转换成中间生成物的工序，以及②一边对反应室内进行排气、一边将氟化氢气体供给到反应室内来使该氟化氢气体与中间生成物发生反应而去除该中间生成物的工序。

公开(公告)号：CN101789361A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010106483.5

申请日：2010-01-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤润 ,  菊地清隆 ,  村上博纪 ,  中岛滋 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 本发明提供一种成膜装置及其使用方法。成膜装置的使用方法在反应室内以主清洁处理和后清洁处理这样的顺序进行主清洁处理和后清洁处理。主清洁处理一边对反应室内进行排气、一边将含氟的清洁气体供给到反应室内从而对含硅的成膜副生成物进行蚀刻。后清洁处理为了去除由主清洁处理产生且残留在反应室内的含硅氟化物，交替地反复多次进行以下2个工序：①将氧化气体供给到反应室内而来氧化含硅氟化物从而将其转换成中间生成物的工序、以及②一边对反应室内进行排气、一边将氟化氢气体供给到反应室内来使该氟化氢气体与中间生成物发生反应而去除该中间生成物的工序。