公开(公告)号：CN102376546B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201110225012.0

申请日：2011-08-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 伊藤和彦 ,  北野高广 ,  福冈哲夫 ,  石井贵幸

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: C23C16/52 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种能够简便地对使液体的药剂汽化而获得的处理气体是否被供给到基板进行检测的汽化装置、基板处理装置、涂覆显影装置和基板处理方法。该基板处理装置具有该汽化装置，该涂覆显影装置具有该基板处理装置，公开的汽化装置包括：气体供给部，其将用于对被加热板汽化的药剂进行输送的载气向容器内供给；加热板，其配置在容器内，用于加热液体的药剂而使液体的药剂汽化；第1检测部，其对向容器内的载气的供给进行检测；第2检测部，其对利用加热板的液体的药剂的汽化进行检测。

公开(公告)号：CN112236842B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN201980038078.3

申请日：2019-05-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小滨范史 ,  石井贵幸

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/53 ,  H01L21/027 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304

Abstract: 处理基板的基板处理方法具有：改性工序，使用激光在至少所述基板的背面表层或所述基板的内部形成改性层；和表面处理工序，其在所述改性工序之后，在保持着所述基板的背面的状态下处理该基板的表面。改性装置具有向至少所述基板的背面表层或所述基板的内部照射激光而形成改性层的激光照射部。

公开(公告)号：CN112236842A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201980038078.3

申请日：2019-05-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小滨范史 ,  石井贵幸

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/53 ,  H01L21/027 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304

Abstract: 处理基板的基板处理方法具有：改性工序，使用激光在至少所述基板的背面表层或所述基板的内部形成改性层；和表面处理工序，其在所述改性工序之后，在保持着所述基板的背面的状态下处理该基板的表面。改性装置具有向至少所述基板的背面表层或所述基板的内部照射激光而形成改性层的激光照射部。

公开(公告)号：CN102376546A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110225012.0

申请日：2011-08-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 伊藤和彦 ,  北野高广 ,  福冈哲夫 ,  石井贵幸

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: C23C16/52 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种能够简便地对使液体的药剂气化而获得的处理气体是否被供给到基板进行检测的气化装置、基板处理装置、涂覆显影装置和基板处理方法。该基板处理装置具有该气化装置，该涂覆显影装置具有该基板处理装置，公开的气化装置包括：气体供给部，其将用于对被加热板气化的药剂进行输送的载气向容器内供给；加热板，其配置在容器内，用于加热液体的药剂而使液体的药剂气化；第1检测部，其对向容器内的载气的供给进行检测；第2检测部，其对利用加热板的液体的药剂的气化进行检测。

公开(公告)号：CN114270488A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080057903.7

申请日：2020-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺田尚司 ,  石井贵幸

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677

Abstract: 本公开涉及一种接合装置，该接合装置具有：第一保持部，其借助粘接有被分割出多个芯片的第一基板的带和装设了所述带的外周的环形框来保持所述第一基板；第二保持部，其以与所述第一基板隔开间隔的方式保持第二基板，所述第二基板以所述第一基板为基准配置于与所述带相反的一侧；以及推压部，其隔着所述带逐个推压所述芯片，来将所述芯片逐个地推压于所述第二基板以与所述第二基板进行接合。

公开(公告)号：CN105280478B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201510303242.2

申请日：2015-06-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 一野克宪 ,  石井贵幸 ,  川原幸三 ,  下川大辅 ,  田代和之

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明实现形成于基板的表面的涂敷膜的膜厚的进一步的均匀化。液体涂敷方法进行：在晶片(W)的旋转中，一边使喷嘴(N)在晶片(W)的旋转轴与晶片(W)的周缘之间在沿晶片(W)的表面(Wa)的规定的方向上移动，一边从喷嘴(N)排出涂敷液，由此在晶片(W)的表面(Wa)螺旋状地涂敷涂敷液的步骤；晶片(W)的表面(Wa)中从喷嘴(N)排出涂敷液的排出位置越位于晶片(W)的周缘侧越减小晶片(W)的转速，由此使排出位置的线速度大致一定的步骤；基于从喷嘴(N)排出之前的涂敷液的流量使喷嘴(N)的排出口与晶片(W)的表面(Wa)的间隙变化，由此使从喷嘴(N)排出的涂敷液的排出流量为大致一定的大小的步骤。

公开(公告)号：CN105280478A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510303242.2

申请日：2015-06-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 一野克宪 ,  石井贵幸 ,  川原幸三 ,  下川大辅 ,  田代和之

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明实现形成于基板的表面的涂敷膜的膜厚的进一步的均匀化。液体涂敷方法进行：在晶片(W)的旋转中，一边使喷嘴(N)在晶片(W)的旋转轴与晶片(W)的周缘之间在沿晶片(W)的表面(Wa)的规定的方向上移动，一边从喷嘴(N)排出涂敷液，由此在晶片(W)的表面(Wa)螺旋状地涂敷涂敷液的步骤；晶片(W)的表面(Wa)中从喷嘴(N)排出涂敷液的排出位置越位于晶片(W)的周缘侧越减小晶片(W)的转速，由此使排出位置的线速度大致一定的步骤；基于从喷嘴(N)排出之前的涂敷液的流量使喷嘴(N)的排出口与晶片(W)的表面(Wa)的间隙变化，由此使从喷嘴(N)排出的涂敷液的排出流量为大致一定的大小的步骤。