公开(公告)号：CN105280478B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201510303242.2

申请日：2015-06-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 一野克宪 ,  石井贵幸 ,  川原幸三 ,  下川大辅 ,  田代和之

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明实现形成于基板的表面的涂敷膜的膜厚的进一步的均匀化。液体涂敷方法进行：在晶片(W)的旋转中，一边使喷嘴(N)在晶片(W)的旋转轴与晶片(W)的周缘之间在沿晶片(W)的表面(Wa)的规定的方向上移动，一边从喷嘴(N)排出涂敷液，由此在晶片(W)的表面(Wa)螺旋状地涂敷涂敷液的步骤；晶片(W)的表面(Wa)中从喷嘴(N)排出涂敷液的排出位置越位于晶片(W)的周缘侧越减小晶片(W)的转速，由此使排出位置的线速度大致一定的步骤；基于从喷嘴(N)排出之前的涂敷液的流量使喷嘴(N)的排出口与晶片(W)的表面(Wa)的间隙变化，由此使从喷嘴(N)排出的涂敷液的排出流量为大致一定的大小的步骤。

公开(公告)号：CN105280478A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510303242.2

申请日：2015-06-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 一野克宪 ,  石井贵幸 ,  川原幸三 ,  下川大辅 ,  田代和之

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明实现形成于基板的表面的涂敷膜的膜厚的进一步的均匀化。液体涂敷方法进行：在晶片(W)的旋转中，一边使喷嘴(N)在晶片(W)的旋转轴与晶片(W)的周缘之间在沿晶片(W)的表面(Wa)的规定的方向上移动，一边从喷嘴(N)排出涂敷液，由此在晶片(W)的表面(Wa)螺旋状地涂敷涂敷液的步骤；晶片(W)的表面(Wa)中从喷嘴(N)排出涂敷液的排出位置越位于晶片(W)的周缘侧越减小晶片(W)的转速，由此使排出位置的线速度大致一定的步骤；基于从喷嘴(N)排出之前的涂敷液的流量使喷嘴(N)的排出口与晶片(W)的表面(Wa)的间隙变化，由此使从喷嘴(N)排出的涂敷液的排出流量为大致一定的大小的步骤。