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公开(公告)号：CN108231552B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201711401085.4
申请日：2017-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 本发明在对作为处理对象的基片供给规定的气体的处理中，适当地检测异常处理。疏水化处理单元(U5)包括：收纳作为处理对象的晶片(W)的处理容器(21)；对处理容器(21)供给空气(第1空气)的开闭部(60)(第1供给部)；对处理容器(21)供给相对湿度与空气不同的HMDS气体(第2气体)的气体供给部(30)(第2供给部)；和控制器(100)(控制部)，控制器(100)基于实施了由开闭部(60)进行的空气的供给和由气体供给部(30)进行的HMDS气体的供给之后的相对湿度，来判断处理容器(21)中的气体的状态。
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公开(公告)号：CN108231552A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711401085.4
申请日：2017-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/027 , H01L21/0273 , H01L21/67017 , H01L21/67253 , H01L21/67288 , H01L22/10 , H01L21/0274
Abstract: 本发明在对作为处理对象的基片供给规定的气体的处理中，适当地检测异常处理。疏水化处理单元(U5)包括：收纳作为处理对象的晶片(W)的处理容器(21)；对处理容器(21)供给空气(第1空气)的开闭部(60)(第1供给部)；对处理容器(21)供给相对湿度与空气不同的HMDS气体(第2气体)的气体供给部(30)(第2供给部)；和控制器(100)(控制部)，控制器(100)基于实施了由开闭部(60)进行的空气的供给和由气体供给部(30)进行的HMDS气体的供给之后的相对湿度，来判断处理容器(21)中的气体的状态。
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公开(公告)号：CN102593422A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210011633.3
申请日：2012-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明提供电极制造装置和电极制造方法。在制造电极时，在带状的基材的表面适当且有效地形成活性物质层。电极制造装置包括：放出辊，放出带状的金属箔；涂敷部，在金属箔的两面涂敷活性物质合剂；干燥部，使金属箔上的活性物质合剂干燥而形成活性物质层；卷取辊，卷取金属箔。干燥部具有在金属箔的长度方向上排列配置的多个杆式加热器，在多个杆式加热器的表面形成有熔敷膜，用于照射红外线。干燥部被分割成多个区域。各个区域中的熔敷膜与在该各个区域中的活性物质合剂中的水的膜厚相对应地被设定成活性物质合剂不沸腾的范围内的熔敷膜，并被设定成如下这样的熔敷膜：辐射率在与水对红外线的最大吸收率相对应的辐射率中具有最大的辐射率。
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公开(公告)号：CN102376546A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110225012.0
申请日：2011-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: C23C16/52 , G03F7/16 , G03F7/162 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供一种能够简便地对使液体的药剂气化而获得的处理气体是否被供给到基板进行检测的气化装置、基板处理装置、涂覆显影装置和基板处理方法。该基板处理装置具有该气化装置，该涂覆显影装置具有该基板处理装置，公开的气化装置包括：气体供给部，其将用于对被加热板气化的药剂进行输送的载气向容器内供给；加热板，其配置在容器内，用于加热液体的药剂而使液体的药剂气化；第1检测部，其对向容器内的载气的供给进行检测；第2检测部，其对利用加热板的液体的药剂的气化进行检测。
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公开(公告)号：CN110199379B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201880008160.7
申请日：2018-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种在使形成有集成电路芯片的半导体晶圆的背面侧(另一面侧)的厚度减小的工序之前在表面侧(一面侧)形成保护膜时能够实现保护膜的平坦化的技术。本发明的半导体基板的处理装置具备将剥离用的固化剂(11)涂布于晶圆(W)的表面侧的模块(51)、通过照射紫外线来使固化剂(11)固化的模块(54)、将保护膜用的固化剂(12)涂布于固化剂(11)之上的模块(52)、接着在利用由玻璃板构成的按压构件(14)对固化剂的表面进行按压的状态下通过照射紫外线来使固化剂(12)固化的模块(56)、之后对晶圆(W)进行背面磨削的装置(G)、将切割用带粘接于晶圆(W)的背面侧的模块、之后向晶圆(W)的表面侧照射激光来使固化剂(11)变质而产生气体以将固化剂(11、12)从晶圆(W)剥离的模块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110692124A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201880036008.X
申请日：2018-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 福冈哲夫
IPC: H01L21/322 , H01L21/304
Abstract: 在基板形成吸杂层的吸杂层形成装置具有：基板保持部，其用于保持基板；抛光膜，其用于与保持到所述基板保持部的基板抵接而研磨该基板；基座，其用于支承所述抛光膜，沿着铅垂方向移动自由且旋转自由；以及水供给部，其用于向保持到所述基板保持部的基板供给水。
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公开(公告)号：CN110199379A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201880008160.7
申请日：2018-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种在使形成有集成电路芯片的半导体晶圆的背面侧(另一面侧)的厚度减小的工序之前在表面侧(一面侧)形成保护膜时能够实现保护膜的平坦化的技术。本发明的半导体基板的处理装置具备将剥离用的固化剂(11)涂布于晶圆(W)的表面侧的模块(51)、通过照射紫外线来使固化剂(11)固化的模块(54)、将保护膜用的固化剂(12)涂布于固化剂(11)之上的模块(52)、接着在利用由玻璃板构成的按压构件(14)对固化剂的表面进行按压的状态下通过照射紫外线来使固化剂(12)固化的模块(56)、之后对晶圆(W)进行背面磨削的装置(G)、将切割用带粘接于晶圆(W)的背面侧的模块、之后向晶圆(W)的表面侧照射激光来使固化剂(11)变质而产生气体以将固化剂(11、12)从晶圆(W)剥离的模块。
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公开(公告)号：CN102376546B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110225012.0
申请日：2011-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: C23C16/52 , G03F7/16 , G03F7/162 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供一种能够简便地对使液体的药剂汽化而获得的处理气体是否被供给到基板进行检测的汽化装置、基板处理装置、涂覆显影装置和基板处理方法。该基板处理装置具有该汽化装置，该涂覆显影装置具有该基板处理装置，公开的汽化装置包括：气体供给部，其将用于对被加热板汽化的药剂进行输送的载气向容器内供给；加热板，其配置在容器内，用于加热液体的药剂而使液体的药剂汽化；第1检测部，其对向容器内的载气的供给进行检测；第2检测部，其对利用加热板的液体的药剂的汽化进行检测。
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公开(公告)号：CN102087486A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201110032741.4
申请日：2006-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F27B5/04 , F27B17/0025 , F27D3/0084 , H01L21/67109
Abstract: 加热装置、和涂敷、显影装置以及加热方法，本发明提供一种不升降顶板也能进行面内均匀性好的加热处理的加热装置和加热方法。加热装置包括：用于放置基板并进行加热的加热板；在该加热板的上方与基板隔开间隔相对设置的、比基板的被加热处理区域大的整流用顶板；为了隔断来自基板一侧的热而形成于该顶板内部的真空区域；以及用于在放置于所述加热板上的基板和所述顶板之间形成气流的气流形成装置。由于使用在内部设置有真空区域的顶板，热量难以从加热板散出，因此即使将顶板和加热板之间周围成为打开状态，也可以使顶板下面温度接近基板温度，可抑制基板和顶板下面温差扩大。其结果由于可以防止因气流冷却造成的紊流，所以可以进行面内均匀性好的加热处理。
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公开(公告)号：CN1854908B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200610066684.0
申请日：2006-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F27B5/04 , F27B17/0025 , F27D3/0084 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种不升降顶板也能进行面内均匀性好的加热处理的加热装置和加热方法。加热装置包括：用于放置基板并进行加热的加热板；在该加热板的上方与基板隔开间隔相对设置的、比基板的被加热处理区域大的整流用顶板；为了隔断来自基板一侧的热而形成于该顶板内部的真空区域；以及用于在放置于所述加热板上的基板和所述顶板之间形成气流的气流形成装置。由于使用在内部设置有真空区域的顶板，热量难以从加热板散出，因此即使将顶板和加热板之间周围成为打开状态，也可以使顶板下面温度接近基板温度，可抑制基板和顶板下面温差扩大。其结果由于可以防止因气流冷却造成的紊流，所以可以进行面内均匀性好的加热处理。
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