公开(公告)号：CN110534454A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910422709.3

申请日：2019-05-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 畠山真一 ,  一野克宪 ,  冈泽智树 ,  西山雄太 ,  川原幸三 ,  渡边圣之 ,  饭田成昭 ,  下川大辅 ,  飞松武志

IPC: H01L21/67 ,  B05B15/50

Abstract: 本发明对能够抑制处理液附着在喷嘴的下端面的液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质进行说明。液处理装置包括：处理液供给部，其构成为能够从位于基片的表面侧的喷嘴对表面供给处理液；引导部件，其构成为能够引导从喷嘴释放的处理液的液流；和控制部。喷嘴包括平坦的下端面，在该下端面设有用于释放处理液的释放口。控制部执行以下动作：控制处理液供给部，以使得在下端面靠近表面的状态下从释放口对表面实释放处理液的动作；和控制处理液供给部，以使得在引导部件位于释放口附近的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液的动作。

公开(公告)号：CN110534454B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201910422709.3

申请日：2019-05-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 畠山真一 ,  一野克宪 ,  冈泽智树 ,  西山雄太 ,  川原幸三 ,  渡边圣之 ,  饭田成昭 ,  下川大辅 ,  飞松武志

IPC: H01L21/67 ,  B05B15/50

Abstract: 本发明对能够抑制处理液附着在喷嘴的下端面的液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质进行说明。液处理装置包括：处理液供给部，其构成为能够从位于基片的表面侧的喷嘴对表面供给处理液；引导部件，其构成为能够引导从喷嘴释放的处理液的液流；和控制部。喷嘴包括平坦的下端面，在该下端面设有用于释放处理液的释放口。控制部执行以下动作：控制处理液供给部，以使得在下端面靠近表面的状态下从释放口对表面实释放处理液的动作；和控制处理液供给部，以使得在引导部件位于释放口附近的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液的动作。

公开(公告)号：CN108735630B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201810365860.3

申请日：2018-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川原幸三 ,  饭田成昭 ,  下川大辅 ,  大村和久

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供高精度地调整排出嘴与基片的间隙的基片处理装置。液体处理单元(U1)包括：保持晶片(W)的保持部(23)；从前端部(41)对保持于保持部(23)的晶片(W)排出涂敷液的喷嘴(40)；使喷嘴(40)移动到晶片(W)的上方的驱动部(30)；和检测由驱动部(30)移动的喷嘴(40)的前端部(41)的状态的喷嘴传感器(60)。

公开(公告)号：CN105280478B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201510303242.2

申请日：2015-06-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 一野克宪 ,  石井贵幸 ,  川原幸三 ,  下川大辅 ,  田代和之

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明实现形成于基板的表面的涂敷膜的膜厚的进一步的均匀化。液体涂敷方法进行：在晶片(W)的旋转中，一边使喷嘴(N)在晶片(W)的旋转轴与晶片(W)的周缘之间在沿晶片(W)的表面(Wa)的规定的方向上移动，一边从喷嘴(N)排出涂敷液，由此在晶片(W)的表面(Wa)螺旋状地涂敷涂敷液的步骤；晶片(W)的表面(Wa)中从喷嘴(N)排出涂敷液的排出位置越位于晶片(W)的周缘侧越减小晶片(W)的转速，由此使排出位置的线速度大致一定的步骤；基于从喷嘴(N)排出之前的涂敷液的流量使喷嘴(N)的排出口与晶片(W)的表面(Wa)的间隙变化，由此使从喷嘴(N)排出的涂敷液的排出流量为大致一定的大小的步骤。

公开(公告)号：CN108735630A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810365860.3

申请日：2018-04-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川原幸三 ,  饭田成昭 ,  下川大辅 ,  大村和久

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供高精度地调整排出嘴与基片的间隙的基片处理装置。液体处理单元(U1)包括：保持晶片(W)的保持部(23)；从前端部(41)对保持于保持部(23)的晶片(W)排出涂敷液的喷嘴(40)；使喷嘴(40)移动到晶片(W)的上方的驱动部(30)；和检测由驱动部(30)移动的喷嘴(40)的前端部(41)的状态的喷嘴传感器(60)。

公开(公告)号：CN105280478A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510303242.2

申请日：2015-06-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 一野克宪 ,  石井贵幸 ,  川原幸三 ,  下川大辅 ,  田代和之

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明实现形成于基板的表面的涂敷膜的膜厚的进一步的均匀化。液体涂敷方法进行：在晶片(W)的旋转中，一边使喷嘴(N)在晶片(W)的旋转轴与晶片(W)的周缘之间在沿晶片(W)的表面(Wa)的规定的方向上移动，一边从喷嘴(N)排出涂敷液，由此在晶片(W)的表面(Wa)螺旋状地涂敷涂敷液的步骤；晶片(W)的表面(Wa)中从喷嘴(N)排出涂敷液的排出位置越位于晶片(W)的周缘侧越减小晶片(W)的转速，由此使排出位置的线速度大致一定的步骤；基于从喷嘴(N)排出之前的涂敷液的流量使喷嘴(N)的排出口与晶片(W)的表面(Wa)的间隙变化，由此使从喷嘴(N)排出的涂敷液的排出流量为大致一定的大小的步骤。