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公开(公告)号：CN119173985A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202380039777.6
申请日：2023-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , G03F7/004 , G03F7/26
Abstract: 提供了在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包括：(a)在腔室内的基板支撑部上准备具有蚀刻对象膜和设置在蚀刻对象膜上的含金属膜的基板的工序，含金属膜具有被曝光的第一区域和未曝光的第二区域；(b)使用由包括含氟气体或含氧气体中的任一种气体的第一处理气体生成的第一等离子体，对含金属膜进行改性的工序；和(c)使用由第二处理气体生成的第二等离子体，相对于第二区域选择性除去改性后的含金属膜的第一区域的工序。
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公开(公告)号：CN119404599A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048494.8
申请日：2023-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括馈电线圈、受电线圈、至少一个金属壳体和至少一个铁氧体部件。馈电线圈设置在等离子体处理腔室的外部。受电线圈与蓄电部电连接，能够通过电磁感应耦合从馈电线圈接收电功率。至少一个金属壳体能够提供屏蔽空间，并在屏蔽空间内收纳馈电线圈和受电线圈。至少一个铁氧体部件配置在该屏蔽空间内，以将配置馈电线圈和受电线圈的空间封闭的方式设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119404598A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048491.4
申请日：2023-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括馈电线圈、受电线圈和至少一个驱动系统。馈电线圈设置在等离子体处理腔室的外部。受电线圈与蓄电部电连接，能够通过电磁感应耦合从馈电线圈接收电功率。至少一个驱动系统能够使馈电线圈和受电线圈中的至少一者移动来改变馈电线圈与受电线圈之间的距离。
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公开(公告)号：CN119404596A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048421.9
申请日：2023-05-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/302 , H01L21/31
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、接地框、蓄电部、整流平滑部、供电输出连接器和受电线圈。接地框被接地，与等离子体处理腔室一起包围基片支承部。蓄电部和整流平滑部配置在由接地框包围的空间内。整流平滑部包括供电输入连接器和整流电路。供电输入连接器设置成能够从接地框的外侧访问。整流电路包括二极管桥，连接在供电输入连接器与蓄电部之间。供电输出连接器与受电线圈连接，相对于供电输入连接器可拆装。
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公开(公告)号：CN119949022A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380067985.7
申请日：2023-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明的等离子体处理装置在等离子体处理腔室内包括至少一个电功率消耗部件。至少一个电功率消耗部件与受电线圈电连接。受电线圈与送电线圈电磁感应耦合。送电线圈接收来自送电部的电功率。控制部决定与参数值对应的所需电功率水平，控制送电部来输出具有所需电功率水平的输出电功率，参数值包含根据从送电部向送电线圈输入的输入电压和输入电流来求取的输入阻抗或至少一个电功率消耗部件所具有的负载电阻值。
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公开(公告)号：CN119452735A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380048423.8
申请日：2023-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明的等离子体处理系统包括第一等离子体处理装置和第二等离子体处理装置。第一等离子体处理装置和第二等离子体处理装置各自包括等离子体处理腔室、基片支承部、电功率消耗部件、接地框、蓄电部、受电线圈、和整流平滑部。接地框与等离子体处理腔室一起包围基片支承部。电功率消耗部件配置在等离子体处理腔室内或基片支承部内。受电线圈经由整流平滑部与接地框内的蓄电部连接。第一等离子体处理装置和第二等离子体处理装置各自构成为：对于该等离子体处理装置的电功率消耗部件，该等离子体处理装置的蓄电部与第一等离子体处理装置和第二等离子体处理装置中的另一个等离子体处理装置的蓄电部能够并联连接。
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公开(公告)号：CN119404597A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048424.2
申请日：2023-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、电极或天线、高频电源、电功率消耗部件和受电线圈。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。电极或天线以等离子体处理腔室内的空间位于该电极或该天线与基片支承部之间的方式配置。高频电源能够产生高频电功率，与基片支承部、电极或天线电连接。电功率消耗部件配置在等离子体处理腔室内或基片支承部内。蓄电部与电功率消耗部件电连接。受电线圈与蓄电部电连接，能够通过电磁感应耦合从馈电线圈接收电功率。
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