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公开(公告)号：CN102725438A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007205.7
申请日：2011-03-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/16 , C23C16/4412 , C23C16/45591 , C23C16/45593 , H01L21/28556
Abstract: 使用包括有机金属化合物的原料气体形成薄膜的成膜装置具备：内部能够真空排气的处理容器（22）；载置被处理体（W），并且设置有对被处理体（W）进行加热的加热器（34）的载置台（28）；在载置台（28）的上方与载置台（28）相对设置，向着载置台（28）上的被处理体（W）外周端更外侧的区域导入原料气体的气体导入机构（80）；包围载置台（28）的上方的处理空间（S），划分处理空间的内外，并且以其下端部接近载置台（28）的方式设置，在下端部与载置台（28）的周边部之间形成气体出口（92）的内部划分壁（90）；在内部划分壁（90）的下端部，向着载置台（28）的半径方向的内方延伸设置，在与载置台（28）的周边部之间形成与气体出口（92）连通的孔口部（98）的孔口形成部件（96）。
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公开(公告)号：CN101205605B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200610168334.5
申请日：2006-12-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/06 , C23C16/22
Abstract: 本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统：将衬底布置在处理系统的处理空间中，处理空间与处理系统的传递空间真空隔离；在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理，同时保持与传递空间的真空隔离；在第一位置或第二位置在所述衬底上沉积材料。同样，该系统包括第一组件，第一组件设置有便于材料沉积的处理空间；第二组件，连接到第一组件并具有便于将衬底传递进出沉积系统的传递空间；衬底载台，连接到第二组件并设置为支撑衬底以及将衬底在传递空间中的第一位置到处理空间中的第二位置之间进行平移。该系统包括密封组件，密封组件设置为在衬底在处理空间中平移的过程中阻挡气体在处理空间与传递空间之间的流动。
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公开(公告)号：CN102112653A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130137.6
申请日：2009-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4412 , B01D53/002 , B01D53/62 , B01D53/75 , B01D2257/706 , B01D2258/0216 , B01D2259/416 , C23C16/16 , Y02C20/30
Abstract: 本发明提供一种原料回收方法，该原料回收方法从由处理容器排出的排出气体中回收原料，在处理容器中，使用使相对于特定的制冷剂不分解而具有稳定的特性的有机金属化合物的原料气化而得到的原料气体，在被处理体的表面上形成金属膜的薄膜，其特征在于，该原料回收方法具有：凝固工序，通过使上述排出气体与上述制冷剂接触而进行冷却，使未反应的原料气体凝固，并再次析出上述原料；回收工序，其从上述制冷剂中分离并回收在上述凝固工序中再次析出的上述原料。
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公开(公告)号：CN101082125A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200610140313.2
申请日：2006-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/06
CPC classification number: C23C16/45517 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , H01J37/32082 , H01J37/32495 , H01J37/32522
Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度；将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度；将衬底布置在第一组件的处理空间中，所述处理空间与第二组件的转移空间真空隔离；以及将材料沉积在衬底上。因此，所述系统包括第一组件，其具有配置来便于材料沉积的处理空间；第二组件，其被耦合到第一组件，并且具有便于将衬底转入或者转出沉积系统的转移空间；衬底台，其连接到所述第二组件，并且配置来支撑衬底；以及密封部件，其被配置来将处理空间与转移空间隔离。第一组件被配置为保持在第一温度下，第二组件被配置为保持在低于第一温度的降低温度下。
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公开(公告)号：CN1759473A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200380110150.8
申请日：2003-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32431 , H01J2237/2001 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , Y10T279/23
Abstract: 半导体处理用的基板保持结构(50)包括配置在处理室(20)内的、放置被处理基板(W)的放置台(51)。在放置台(51)内形成收容作为热交换介质而使用的流体的温度调节空间(507)。为了将高频电力导入放置台(51)而配置导电性传送路径(502)。在传送路径(502)内形成有相对温度调节空间(507)进行热交换介质流体的供给或者排出的流路(505、506)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1708739A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380100227.3
申请日：2003-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D16/20
Abstract: 该处理装置具有：具有载置被处理体W的载置台(8)的处理容器(4)；导入处理气体的气体导入装置(10)；供给规定处理气体的处理气体供给系统(14、16、18)；供给非活性气体的非活性气体供给系统(12)；设置阀开度可以控制的压力控制阀(36)与真空泵(38)的真空排气系统(32)；压力计(48)。在进行处理气体的分压重要的处理时，流出固定流量的处理气体，同时根据压力计(48)的检测值控制压力控制阀(36)的阀开度，而在进行处理气体的分压不太重要的处理时，使压力控制阀(36)的阀开度固定为规定值，同时根据压力计(48)的检测值控制非活性气体的供给量。因此，在进行处理压力的范围差异较大的多种处理时，也可以准确地对各个处理时的压力进行控制。
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公开(公告)号：CN101082125B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200610140313.2
申请日：2006-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/06
CPC classification number: C23C16/45517 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , H01J37/32082 , H01J37/32495 , H01J37/32522
Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度；将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度；将衬底布置在第一组件的处理空间中，所述处理空间与第二组件的转移空间真空隔离；以及将材料沉积在衬底上。因此，所述系统包括第一组件，其具有配置来便于材料沉积的处理空间；第二组件，其被耦合到第一组件，并且具有便于将衬底转入或者转出沉积系统的转移空间；衬底台，其连接到所述第二组件，并且配置来支撑衬底；以及密封部件，其被配置来将处理空间与转移空间隔离。第一组件被配置为保持在第一温度下，第二组件被配置为保持在低于第一温度的降低温度下。
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公开(公告)号：CN101866806A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010158499.0
申请日：2002-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32431 , H01J2237/20
Abstract: 本发明的等离子体处理装置具有：处理室；设在所述处理室内，载置被处理体的载置台；设在所述处理室中，具有按照向着所述处理室内的中央的空间部喷出处理气体的方式开口的多个气体喷出孔的气体导入部；和设置在所述处理室的外侧、用于在所述处理室内生成等离子体的作为感应线圈的天线部件，该等离子体处理装置的特征为，利用所述天线部件，在所述处理室内激起等离子体，所述多个气体喷出孔向着处理室内的一点开孔。
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公开(公告)号：CN101802976A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106639.0
申请日：2008-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C16/4586 , C23C16/52 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质。基板载置机构载置被处理基板，包括：加热器板21，其具有被处理基板载置面21a，并且埋设有将被处理基板W加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体21b；和调温护套22，其以至少覆盖加热器板21的被处理基板载置面21a以外的表面的方式形成，并且其温度为低于成膜温度的非成膜温度。
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公开(公告)号：CN100458629C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200380100227.3
申请日：2003-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D16/20
Abstract: 该处理装置具有：具有载置被处理体W的载置台(8)的处理容器(4)；导入处理气体的气体导入装置(10)；供给规定处理气体的处理气体供给系统(14、16、18)；供给非活性气体的非活性气体供给系统(12)；设置阀开度可以控制的压力控制阀(36)与真空泵(38)的真空排气系统(32)；压力计(48)。在进行处理气体的分压重要的处理时，流出固定流量的处理气体，同时根据压力计(48)的检测值控制压力控制阀(36)的阀开度，而在进行处理气体的分压不太重要的处理时，使压力控制阀(36)的阀开度固定为规定值，同时根据压力计(48)的检测值控制非活性气体的供给量。因此，在进行处理压力的范围差异较大的多种处理时，也可以准确地对各个处理时的压力进行控制。
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