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发明公开
基板处理方法和基板处理系统审中-实审

公开(公告)号：CN114512398A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202111326876.1

申请日：2021-11-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊谷圭惠 , 须田隆太郎 , 户村幕树 , 大内健次 , 村上博纪 , 加贺谷宗仁 , 酒井宗一朗

IPC: H01L21/3065 , H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统。基板处理方法包括将具有形成有凹部的第一膜和掩模的基板搬入第一腔室内的工序、将设基板的温度为200℃以上的工序、向第一腔室内供给含硅反应种并使含硅反应种吸附于凹部的侧壁的工序、向第一腔室内供给含氮反应种来在凹部的侧壁形成第二膜的工序、将基板搬入第二腔室内的工序、将基板的温度设为100℃以下的工序以及对凹部的底部进行蚀刻的工序。另外，第二膜的膜厚为20nm以下，凹部的底部的膜厚与凹部的上部侧壁的膜厚之比为0.7以上。另外，按照所记载的顺序重复执行上述各工序，直至从掩模的开口部起至凹部的底部为止的深度尺寸与掩模的开口尺寸之比成为50以上。

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