公开(公告)号：CN118231243A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311689555.7

申请日：2023-12-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松原稜 ,  向山广记 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  大内田聪 ,  菊池拓人

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 在一示例性实施方式中，蚀刻方法包括如下工序：(a)准备基板的工序，基板包括第1区域及第1区域下方的第2区域，第1区域包含第1材料并且具有至少1个开口，第2区域包含与第1材料不同并且含有硅的第2材料；及(b)使用由处理气体生成的等离子体，并经由至少1个开口对第2区域进行蚀刻的工序，所述处理气体含有含氟气体及CxHyClz(x及y为0以上的整数，满足x+y≥1，z为1以上的整数)气体。

公开(公告)号：CN111584360B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202010098798.3

申请日：2020-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中康基 ,  户村幕树

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法。该蚀刻方法包括：将包含氧化硅膜的基片置于载置台上的步骤；将上述基片的表面温度控制为﹣70℃以下的温度的步骤；在上述进行控制的步骤后，供给等离子体生成用的高频电功率从含氟和氢的气体生成等离子体来蚀刻上述氧化硅膜的步骤；和使上述基片的表面温度上升，使通过上述蚀刻生成的副生成物挥发的步骤。本发明能够提高蚀刻速率。

公开(公告)号：CN116525431A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310058506.7

申请日：2023-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新关智彦 ,  户村幕树 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/305 ,  H01J37/302

Abstract: 本申请提供一种提高相对于掩膜的选择比的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法以及等离子体处理系统。该方法具备：(a)向腔室内提供具有有机膜和在有机膜上形成的掩膜的基板的工序，掩膜包含含硅膜和在含硅膜上形成的含碳膜；(b)在腔室内，由处理气体生成等离子体的工序，所述处理气体包含：含氧气体；和含有Si或W、以及卤素的气体。(b)包含(b1)在掩膜的至少含碳膜上形成保护膜的工序和(b2)经由形成保护膜的掩膜蚀刻有机膜的工序。

公开(公告)号：CN116034455A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202280005781.6

申请日：2022-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 须田隆太郎 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  三浦太树 ,  朴宰永 ,  福永裕介

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含下述的工序：(a)将具有含硅膜和含硅膜上的掩模的基板提供至腔室内的基板支撑部上的工序；和(b)将含硅膜进行蚀刻的工序，所述(b)的工序包含下述的工序：(b‑1)使用由第一处理气体生成的等离子体将含硅膜进行蚀刻的工序，其中，所述第一处理气体含有氟化氢气体和控制氟化氢与含硅膜的反应的反应控制气体，第一处理气体中，作为反应控制气体，含有促进反应的反应促进气体和抑制反应的反应抑制气体中的至少一者；和(b‑2)使用由含有氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体将含硅膜进行蚀刻的工序，其中，第二处理气体中，以比第一处理气体中的反应促进气体小的分压含有促进反应的反应促进气体、和/或以比第一处理气体中的反应抑制气体高的分压含有抑制反应的反应抑制气体、或不含有反应控制气体。

公开(公告)号：CN116018670A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202280005782.0

申请日：2022-04-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供一种提高蚀刻的选择比的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含下述的工序：(a)将具有基底膜和基底膜上的含硅膜的基板提供给腔室内的工序；和(b)使用由含有氟化氢气体的第一处理气体生成的第一等离子体将含硅膜进行蚀刻从而形成凹部的工序，其中，蚀刻进行到基底膜在凹部处露出之前为止或者到基底膜的一部分在凹部处露出为止，和(c)在与(b)的工序不同的条件下，在凹部处将含硅膜进一步进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN115885369A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180052527.7

申请日：2021-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 须田隆太郎 ,  大类贵俊 ,  熊谷圭惠 ,  户村幕树 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供在蚀刻中提高垂直性的技术。该蚀刻方法为在等离子体处理装置中对被蚀刻膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述等离子体处理装置具备腔室和设置在所述腔室内且按照支撑所述基板的方式所构成的基板支撑器，所述蚀刻方法包含以下工序：将所述具有被蚀刻膜的基板配置在所述基板支撑器上的工序；将包含HF气体的处理气体供给至所述腔室内的工序；利用具有第一频率的高频在所述腔室内生成所述处理气体的等离子体的工序；以及利用比所述第一频率还低的第二频率将脉冲电压周期性地施加至所述基板支撑器的施加工序。

公开(公告)号：CN114175214B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202080005420.2

申请日：2020-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 横山乔大 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  须田隆太郎 ,  大类贵俊

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。

公开(公告)号：CN114551235A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111359218.2

申请日：2021-11-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  大内田聪 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种方法，包括：将基材提供在基材加工设备的加工腔室中，该基材具有包含氧化硅膜的第一区域和包含除了氧化硅膜之外的膜的第二区域；将氟化氢吸附在基材上；以及将具有吸收的氟化氢的基材暴露于由惰性气体生成的等离子体，以相对于第二区域选择性地蚀刻第一区域。

公开(公告)号：CN114496769A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111286695.0

申请日：2021-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大类贵俊 ,  须田隆太郎 ,  户村幕树 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065

Abstract: 所发明的蚀刻方法包括向腔室内提供基板的工序。基板具有包含硅氮化膜的含硅膜。蚀刻方法包括在腔室内由处理气体生成等离子体来对含硅膜进行蚀刻的工序。处理气体包含含氟气体及含硼气体。在进行蚀刻的工序中，支撑基板的基板支撑器的温度设定为小于0℃的温度。

公开(公告)号：CN114078700A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110912034.8

申请日：2021-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 须田隆太郎 ,  户村幕树

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法,其抑制深度装载的产生,并且促进蚀刻。该蚀刻方法包括:(a)在配置于处理腔室内的基板支承台之上提供包括被蚀刻层的基板的工序；(b)对上述基板支承台的温度进行设定的工序；(c)自蚀刻气体生成等离子体的工序；(d)使上述基板的温度上升的工序；(e)使上述基板的温度下降的工序；以及(f)使上述(d)的工序和上述(e)的工序重复规定次数的工序。