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公开(公告)号：CN110029321A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811474092.1
申请日：2018-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。一实施方式的基板处理装置具备支承台。支承台提供基板载置区域。支承着遮板的旋转轴与支承台分开并沿着铅垂方向延伸。利用旋转轴绕中心轴线的旋转，遮板在支承台的上方的第1区域和远离支承台的第2区域之间移动。遮板具有管。管提供有朝向下方开口的多个气体输出孔。在遮板配置于第1区域内时，多个气体输出孔的排列在从第2区域朝向第1区域的旋转方向上相对于载置区域位于外侧。中心轴线与多个气体输出孔之间的最小距离是中心轴线与载置区域之间的最小距离以下。中心轴线与多个气体输出孔之间的最大距离是中心轴线与载置区域之间的最大距离以上。
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公开(公告)号：CN111549323A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010079656.2
申请日：2020-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射装置。提供一种能够抑制膜在处理容器的内壁的沉积的技术。本公开的一技术方案的溅射装置具有：靶材，其配置于能够减压的处理容器的顶部；气体导入部，其向所述处理容器内导入溅射气体；第1屏蔽构件，其配置于所述靶材的周围，用于防止膜在所述靶材的周围的沉积；以及第2屏蔽构件，其以在所述处理容器内与所述顶部空开间隔地覆盖所述顶部的内壁的方式配置，且在与所述靶材相对应的部分具有开口。
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公开(公告)号：CN114628307A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111482379.0
申请日：2021-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种提高维护性的载置台和基板处理装置。载置台包括：电介质板，其在外周部形成有贯通孔，该电介质板具有用于载置基板的基板载置部；支承构件；第1绝热构件，其配置于所述电介质板与所述支承构件之间；第1施力构件，其配置于所述第1绝热构件与所述支承构件之间；以及紧固构件，其贯穿所述电介质板的贯通孔、所述第1绝热构件、所述第1施力构件，而将所述电介质板以能够装卸的方式固定于所述支承构件。
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公开(公告)号：CN111549323B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010079656.2
申请日：2020-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射装置。提供一种能够抑制膜在处理容器的内壁的沉积的技术。本公开的一技术方案的溅射装置具有：靶材，其配置于能够减压的处理容器的顶部；气体导入部，其向所述处理容器内导入溅射气体；第1屏蔽构件，其配置于所述靶材的周围，用于防止膜在所述靶材的周围的沉积；以及第2屏蔽构件，其以在所述处理容器内与所述顶部空开间隔地覆盖所述顶部的内壁的方式配置，且在与所述靶材相对应的部分具有开口。
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公开(公告)号：CN110029321B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201811474092.1
申请日：2018-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。一实施方式的基板处理装置具备支承台。支承台提供基板载置区域。支承着遮板的旋转轴与支承台分开并沿着铅垂方向延伸。利用旋转轴绕中心轴线的旋转，遮板在支承台的上方的第1区域和远离支承台的第2区域之间移动。遮板具有管。管提供有朝向下方开口的多个气体输出孔。在遮板配置于第1区域内时，多个气体输出孔的排列在从第2区域朝向第1区域的旋转方向上相对于载置区域位于外侧。中心轴线与多个气体输出孔之间的最小距离是中心轴线与载置区域之间的最小距离以下。中心轴线与多个气体输出孔之间的最大距离是中心轴线与载置区域之间的最大距离以上。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN114823462A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210014544.8
申请日：2022-01-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及载置台构造、基板处理装置以及基板处理装置的控制方法。提高基板的冷却效率。提供一种载置台构造，其具有：载置基板的载置台、冷却基板的冷冻机构、使所述载置台或所述冷冻机构升降的升降驱动部、以及设于所述冷冻机构与所述载置台的相对位置的触头，构成为能够利用由所述升降驱动部进行的所述载置台或所述冷冻机构的升降并隔着所述触头来使所述冷冻机构与所述载置台接触。
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公开(公告)号：CN109868456B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201811477893.3
申请日：2018-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种物理气相沉积处理方法和物理气相沉积处理装置。所述物理气相沉积处理方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序。在第一工序中，使设置于第一靶及第二靶与用于载置作为成膜对象的基板的载置台之间并且具有开口部的屏蔽件的所述开口部与第一靶重合来使第一靶相对于载置台露出，并且使开口部与第一靶靠近，所述第一靶包含金属氧化物来作为主要成分，所述第二靶包含构成该金属氧化物的金属来作为主要成分。在第二工序中，使用第一靶来执行溅射。在第三工序中，使开口部与第二靶重合来使第二靶相对于载置台露出，并且使开口部与第二靶靠近。在第四工序中，使用第二靶来执行溅射。
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公开(公告)号：CN113366139A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201980090999.4
申请日：2019-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 成膜装置具备：处理容器；基板保持部，其在处理容器内保持基板；靶电极，其配置于基板保持部的上方，用于保持由金属构成的靶，并向靶提供来自电源的电力；氧化气体导入机构，其向基板供给氧化气体；以及气体供给部，其向靶配置空间供给非活性气体。从靶发射出该靶的构成金属来作为溅射粒子以在基板上沉积金属膜，通过从氧化气体导入机构导入的氧化气体对金属膜进行氧化来形成金属氧化膜。在氧化气体被导入时，气体供给部向靶配置空间供给非活性气体，使该靶配置空间的压力与处理空间的压力相比成为正压。
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公开(公告)号：CN109868456A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201811477893.3
申请日：2018-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种物理气相沉积处理方法和物理气相沉积处理装置。所述物理气相沉积处理方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序。在第一工序中，使设置于第一靶及第二靶与用于载置作为成膜对象的基板的载置台之间并且具有开口部的屏蔽件的所述开口部与第一靶重合来使第一靶相对于载置台露出，并且使开口部与第一靶靠近，所述第一靶包含金属氧化物来作为主要成分，所述第二靶包含构成该金属氧化物的金属来作为主要成分。在第二工序中，使用第一靶来执行溅射。在第三工序中，使开口部与第二靶重合来使第二靶相对于载置台露出，并且使开口部与第二靶靠近。在第四工序中，使用第二靶来执行溅射。
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