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公开(公告)号：CN102414340A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018904.7
申请日：2010-09-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C14/358 , C23C14/50 , H01J37/321 , H01J37/32577 , H01J37/3405
Abstract: 本发明提供一种载置台构造，其载置用于通过等离子体溅射形成金属膜的被处理体，并且外周侧隔着绝缘用的间隙被与接地侧连接的保护罩部件包围。本发明的载置台构造包括：由导电性材料构成，将上述被处理体载置于其上表面一侧且兼用作电极的载置台主体；离开上述载置台主体的下方配置且相对上述载置台主体以绝缘状态设置的由导电性材料构成的基台；支承上述基台且与接地侧连接的支柱；与上述载置台主体连接且供给偏压用的高频电力的高频供电线；和在施加有高频电力的热侧与接地侧之间形成的功率稳定用电容器部。上述功率稳定用电容器部的静电电容被设定为大于在上述载置台主体与上述保护罩部件之间形成的杂散电容的静电电容。
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公开(公告)号：CN112011768A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010429448.0
申请日：2020-05-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供成膜装置。该成膜装置包括处理容器、在处理容器内保持基片的基片保持部和配置于基片保持部的上方的靶单元。靶单元包括：靶，其具有主体部和其周围的呈环状的凸缘部，能够释放溅射颗粒；具有靶电极且保持靶的靶保持部；将靶的凸缘部夹持在靶保持部的靶夹具；以及防附着遮挡件，其在靶的主体部的周围以覆盖凸缘部、靶夹具和靶保持部的方式设置，以其内侧前端进入靶的主体部与靶夹具之间的凹部的方式配置而形成迷宫结构。本发明能够在同一处理容器内进行金属膜的沉积和沉积的金属氧化膜的氧化处理时，抑制金属靶的氧化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111101109A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911012343.9
申请日：2019-10-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够在将所载置的基板冷却成极低温的状态下使该基板旋转且冷却性能较高的载置台装置和处理装置。载置台装置具备：载置台，其在真空容器内保持被处理基板；冷冻传导体，其以与载置台隔着间隙的方式固定配置于载置台的背面侧，被冷冻机冷却成极低温；冷却流体，其向间隙供给，用于将冷冻传导体的冷能向载置台传导；载置台支承部，其将载置台支承成能够旋转，呈覆盖冷冻传导体的上部的圆筒状，并且具有真空绝热构造；以及旋转部，其支承载置台支承部，在被磁性流体密封着的状态下被驱动机构驱动而旋转。
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公开(公告)号：CN109868456B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201811477893.3
申请日：2018-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种物理气相沉积处理方法和物理气相沉积处理装置。所述物理气相沉积处理方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序。在第一工序中，使设置于第一靶及第二靶与用于载置作为成膜对象的基板的载置台之间并且具有开口部的屏蔽件的所述开口部与第一靶重合来使第一靶相对于载置台露出，并且使开口部与第一靶靠近，所述第一靶包含金属氧化物来作为主要成分，所述第二靶包含构成该金属氧化物的金属来作为主要成分。在第二工序中，使用第一靶来执行溅射。在第三工序中，使开口部与第二靶重合来使第二靶相对于载置台露出，并且使开口部与第二靶靠近。在第四工序中，使用第二靶来执行溅射。
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公开(公告)号：CN113366139A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201980090999.4
申请日：2019-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 成膜装置具备：处理容器；基板保持部，其在处理容器内保持基板；靶电极，其配置于基板保持部的上方，用于保持由金属构成的靶，并向靶提供来自电源的电力；氧化气体导入机构，其向基板供给氧化气体；以及气体供给部，其向靶配置空间供给非活性气体。从靶发射出该靶的构成金属来作为溅射粒子以在基板上沉积金属膜，通过从氧化气体导入机构导入的氧化气体对金属膜进行氧化来形成金属氧化膜。在氧化气体被导入时，气体供给部向靶配置空间供给非活性气体，使该靶配置空间的压力与处理空间的压力相比成为正压。
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公开(公告)号：CN111710623A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010165216.9
申请日：2020-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种能够以高精度稳定地测定旋转的载物台的温度的温度测定机构、温度测定方法以及载物台装置。一种温度测定机构，其用于测定载物台的温度，该载物台载置被处理基板，并设置成能够旋转，该温度测定机构具有：温度检测用接触部，其设置于载物台的不成为被处理基板的载置的障碍的位置；和温度检测部，其具有温度传感器，在温度测定时以外设置于与所述温度检测用接触部分离开的位置，在测定载物台的温度之际，在载物台未旋转的状态下，使温度检测用接触部与温度检测部接触。
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公开(公告)号：CN109868456A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201811477893.3
申请日：2018-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种物理气相沉积处理方法和物理气相沉积处理装置。所述物理气相沉积处理方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序。在第一工序中，使设置于第一靶及第二靶与用于载置作为成膜对象的基板的载置台之间并且具有开口部的屏蔽件的所述开口部与第一靶重合来使第一靶相对于载置台露出，并且使开口部与第一靶靠近，所述第一靶包含金属氧化物来作为主要成分，所述第二靶包含构成该金属氧化物的金属来作为主要成分。在第二工序中，使用第一靶来执行溅射。在第三工序中，使开口部与第二靶重合来使第二靶相对于载置台露出，并且使开口部与第二靶靠近。在第四工序中，使用第二靶来执行溅射。
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