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公开(公告)号:CN114823462A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202210014544.8
申请日:2022-01-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及载置台构造、基板处理装置以及基板处理装置的控制方法。提高基板的冷却效率。提供一种载置台构造,其具有:载置基板的载置台、冷却基板的冷冻机构、使所述载置台或所述冷冻机构升降的升降驱动部、以及设于所述冷冻机构与所述载置台的相对位置的触头,构成为能够利用由所述升降驱动部进行的所述载置台或所述冷冻机构的升降并隔着所述触头来使所述冷冻机构与所述载置台接触。
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公开(公告)号:CN113363199A
公开(公告)日:2021-09-07
申请号:CN202110205233.5
申请日:2021-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够高效地进行构成基片处理装置的载置台与制冷装置之间的热交换的、基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括:处理容器,其在内部具有载置基片的载置台和保持靶材的靶材保持件;制冷装置,以在其与上述载置台的下表面之间具有间隙的方式配置,具有制冷机和与上述制冷机层叠的制冷载热体;使上述载置台旋转的旋转装置;使上述载置台升降的第一升降装置;致冷剂流路,其设置在上述制冷装置的内部,对上述间隙供给致冷剂;和冷量传递材料,其配置在上述间隙,与上述载置台和上述制冷载热体这两者可热传导地接触。
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公开(公告)号:CN120072690A
公开(公告)日:2025-05-30
申请号:CN202411640364.6
申请日:2024-11-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , F25D31/00 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种提高冷却性的基板处理装置。基板处理装置具备:处理容器;载置台,其设于所述处理容器内,具有第1接触面,构成为能够旋转;冷冻装置,其具有第2接触面,构成为能够升降;旋转装置,其使所述载置台旋转;以及升降装置,其使所述冷冻装置升降,能够使所述第2接触面与所述第1接触面热连接和分离,所述冷冻装置具有:冷冻机;以及冷传递件,其一端与所述冷冻机热连接,在另一端具有所述第2接触面,所述冷传递件的体积大于所述载置台的体积。
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公开(公告)号:CN111101109A
公开(公告)日:2020-05-05
申请号:CN201911012343.9
申请日:2019-10-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够在将所载置的基板冷却成极低温的状态下使该基板旋转且冷却性能较高的载置台装置和处理装置。载置台装置具备:载置台,其在真空容器内保持被处理基板;冷冻传导体,其以与载置台隔着间隙的方式固定配置于载置台的背面侧,被冷冻机冷却成极低温;冷却流体,其向间隙供给,用于将冷冻传导体的冷能向载置台传导;载置台支承部,其将载置台支承成能够旋转,呈覆盖冷冻传导体的上部的圆筒状,并且具有真空绝热构造;以及旋转部,其支承载置台支承部,在被磁性流体密封着的状态下被驱动机构驱动而旋转。
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