公开(公告)号：CN1992164A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610156578.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤学 ,  五十岚义树 ,  昆泰光 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在使用含硅的掩膜对被处理基板上的有机膜或非晶态碳膜进行蚀刻时，能够以高蚀刻速率和高蚀刻选择比进行蚀刻。在腔室(10)内支承晶片用的下部电极16上从第一高频电源(88)施加相对高频率的第一高频电，从第二高频电源(90)施加相对低频率的第二高频电，在与下部电极(16)相对配置的上部电极(34)上，从可变直流电源(50)施加直流电压，向腔室(10)内提供不含CF类气体的处理气体，进行等离子体化，使用含有硅的掩膜，对被处理基板上的有机膜或非结晶碳膜进行等离子体蚀刻。

公开(公告)号：CN113675080A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110498711.6

申请日：2021-05-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚义树 ,  菊岛悟 ,  须贺隆之 ,  林军 ,  朱澄亚

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，以高选择性蚀刻含Si和O的膜。选择性地蚀刻含Si和O的材料的蚀刻方法包括以下工序：将具有含Si和O的材料的基板设置于腔室内；重复先开始的供给碱性气体的第一期间和接着开始的供给含氟气体的第二期间，使第二期间的至少一部分不与第一期间重叠；以及对通过供给碱性气体和含氟气体而生成的反应生成物进行加热来去除该反应生成物。

公开(公告)号：CN102822943A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180018012.1

申请日：2011-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八重樫英民 ,  五十岚义树 ,  成重和树 ,  武川贵仁

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明具有如下工序：第一图案形成工序(S13)，通过将由光致抗蚀剂膜构成的第一线部作为掩模对反射防止膜进行蚀刻来形成包括第二线部的图案；照射工序(S14)，对光致抗蚀剂膜照射电子；氧化硅膜成膜工序(S15)，形成氧化硅膜；回蚀工序(S16)，对氧化硅膜进行回蚀，使其作为第二线部的侧壁部残留；以及第二图案形成工序(S18)，通过对上述第二线部进行灰化来形成包括由氧化硅膜构成的、作为侧壁部而残留的第三线部的掩模图案。

公开(公告)号：CN105304484A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510303252.6

申请日：2015-06-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥阳 ,  中山溪 ,  五十岚义树 ,  广津信

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76802

Abstract: 本发明提供一种对绝缘膜进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：(a)在第一期间内，为了激励被供给到等离子体处理装置的处理容器内的包含碳氟化合物的处理气体，周期性地切换高频电力的接通和断开的步骤；和(b)在接着第一期间之后的第二期间，为了激发被供给到处理容器内的处理气体，将高频电力设定为连续接通的步骤，该第二期间内高频电力接通的期间比第一期间内高频电力接通的期间长。

公开(公告)号：CN102822943B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201180018012.1

申请日：2011-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八重樫英民 ,  五十岚义树 ,  成重和树 ,  武川贵仁

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32139

Abstract: 具有如下工序：第一图案形成工序(S13)，通过将由光致抗蚀剂膜构成的第一线部作为掩模对反射防止膜进行蚀刻来形成包括第二线部的图案；照射工序(S14)，对光致抗蚀剂膜照射电子；氧化硅膜成膜工序(S15)，形成氧化硅膜；回蚀工序(S16)，对氧化硅膜进行回蚀，使其作为第二线部的侧壁部残留；以及第二图案形成工序(S18)，通过对上述第二线部进行灰化来形成包括由氧化硅膜构成的、作为侧壁部而残留的第三线部的掩模图案。

公开(公告)号：CN1529905A

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN02806160.8

申请日：2002-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚义树 ,  末正智希 ,  稻泽刚一郎

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76807

Abstract: 在使用C4F8/Ar/N2系混合气体进行SiOC系低介电常数膜蚀刻的情况下，使Ar的流量比在80％以上。由此，可提高SiOC系低介电常数膜对氮化硅膜的选择比，同时，还能够减少蚀刻时产生的微沟槽。

公开(公告)号：CN100521088C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200380100597.7

申请日：2003-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚义树 ,  稻泽刚一郎 ,  樋口公博 ,  V·巴拉苏布拉马尼雅姆 ,  西村荣一 ,  R·金 ,  P·桑索内 ,  萩原正明

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/09

Abstract: 一种在等离子体处理体系内蚀刻在基片上的抗反射涂层(ARC)的方法，该方法包括：引入含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体；由该处理气体形成等离子体；和暴露该基片于等离子体下。该处理气体可例如包括NH3/O2、N2/H2/O2、N2/H2/CO、NH3/CO或NH3/CO/O2基化学。另外，工艺化学可进一步包括添加氦气。本发明进一步提出了形成双层掩模用以蚀刻在基片上的薄膜的方法，其中该方法包括在基片上形成薄膜，在薄膜上形成ARC层，在ARC层上形成光刻胶图案；和采用该蚀刻方法，使用含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体，将光刻胶图案转印到ARC层上。

公开(公告)号：CN100352014C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200510075222.0

申请日：2005-06-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚义树 ,  内藤和香子

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，其在保持通用型蚀刻优点的同时，能够避免由记忆效应造成的蚀刻特性的变动。其特征在于，进行第1蚀刻处理后，在腔室2的内壁面成为附着堆积物70的状态，以除去该堆积物70为目的进行清洗后，再进行第2蚀刻处理；清洗在晶片W上不施加偏压电源的零偏压条件下，用O2气体与N2气体的混合气体作为清洗气体，在腔室内的压力为50～200mTorr、O2流量5～15ml/min、以及N2流量100～400ml/min的条件下进行。

公开(公告)号：CN1707761A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510075222.0

申请日：2005-06-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚义树 ,  内藤和香子

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，其在保持通用型蚀刻优点的同时，能够避免由记忆效应造成的蚀刻特性的变动。其特征在于，进行第1蚀刻处理后，在腔室2的内壁面成为附着堆积物70的状态，以除去该堆积物70为目的进行清洗后，再进行第2蚀刻处理；清洗在晶片W上不施加偏压电源的零偏压条件下，用O2气体与N2气体的混合气体作为清洗气体，在腔室内的压力为50～200mTorr、O2流量5～15mL/min、以及N2流量100～400mL/min的条件下进行。

公开(公告)号：CN120072642A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510126646.2

申请日：2021-05-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五十岚义树 ,  菊岛悟 ,  须贺隆之 ,  林军 ,  朱澄亚

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，以高选择性蚀刻含Si和O的膜。选择性地蚀刻含Si和O的材料的蚀刻方法包括以下工序：将具有含Si和O的材料的基板设置于腔室内；重复先开始的供给碱性气体的第一期间和接着开始的供给含氟气体的第二期间，使第二期间的至少一部分不与第一期间重叠；以及对通过供给碱性气体和含氟气体而生成的反应生成物进行加热来去除该反应生成物。