公开(公告)号：CN101826435A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010003425.X

申请日：2010-01-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 武川贵仁

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供等离子蚀刻方法、等离子蚀刻装置及计算机存储介质。该等离子蚀刻方法能够在抑制ArF光致抗蚀剂的损伤(表面粗糙)的同时、以较高的蚀刻速率及充分的选择比对含有硅的防反射膜(Si-ARC)进行等离子蚀刻。该等离子蚀刻方法将形成于基板上的ArF光致抗蚀剂(103)作为掩模，利用处理气体的等离子体对位于ArF光致抗蚀剂(103)的下层的含有Si的防反射膜(102)进行蚀刻，其中，作为处理气体，使用含有CF类气体和/或CHF类气体、CF3I气体、氧气的混合气体，而且，对上部电极施加直流电压。

公开(公告)号：CN102822943A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180018012.1

申请日：2011-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八重樫英民 ,  五十岚义树 ,  成重和树 ,  武川贵仁

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明具有如下工序：第一图案形成工序(S13)，通过将由光致抗蚀剂膜构成的第一线部作为掩模对反射防止膜进行蚀刻来形成包括第二线部的图案；照射工序(S14)，对光致抗蚀剂膜照射电子；氧化硅膜成膜工序(S15)，形成氧化硅膜；回蚀工序(S16)，对氧化硅膜进行回蚀，使其作为第二线部的侧壁部残留；以及第二图案形成工序(S18)，通过对上述第二线部进行灰化来形成包括由氧化硅膜构成的、作为侧壁部而残留的第三线部的掩模图案。

公开(公告)号：CN101826435B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201010003425.X

申请日：2010-01-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 武川贵仁

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供等离子蚀刻方法、等离子蚀刻装置及计算机存储介质。该等离子蚀刻方法能够在抑制ArF光致抗蚀剂的损伤(表面粗糙)的同时、以较高的蚀刻速率及充分的选择比对含有硅的防反射膜(Si-ARC)进行等离子蚀刻。该等离子蚀刻方法将形成于基板上的ArF光致抗蚀剂(103)作为掩模，利用处理气体的等离子体对位于ArF光致抗蚀剂(103)的下层的含有Si的防反射膜(102)进行蚀刻，其中，作为处理气体，使用含有CF类气体和/或CHF类气体、CF3I气体、氧气的混合气体，而且，对上部电极施加直流电压。

公开(公告)号：CN102822943B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201180018012.1

申请日：2011-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八重樫英民 ,  五十岚义树 ,  成重和树 ,  武川贵仁

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32139

Abstract: 具有如下工序：第一图案形成工序(S13)，通过将由光致抗蚀剂膜构成的第一线部作为掩模对反射防止膜进行蚀刻来形成包括第二线部的图案；照射工序(S14)，对光致抗蚀剂膜照射电子；氧化硅膜成膜工序(S15)，形成氧化硅膜；回蚀工序(S16)，对氧化硅膜进行回蚀，使其作为第二线部的侧壁部残留；以及第二图案形成工序(S18)，通过对上述第二线部进行灰化来形成包括由氧化硅膜构成的、作为侧壁部而残留的第三线部的掩模图案。

公开(公告)号：CN102129983B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010621800.7

申请日：2010-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 武川贵仁

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明提供一种适用于以抗蚀剂膜作为掩模的反射防止膜的蚀刻处理的蚀刻方法和蚀刻处理装置。该蚀刻方法的特征在于，包括：在被蚀刻层上形成反射防止膜(Si-ARC膜)的工序；在上述反射防止膜上形成图案化了的抗蚀剂膜(ArF抗蚀剂膜)的工序；以上述抗蚀剂膜为掩模、使用含有CF4气体、COS气体和O2气体的蚀刻气体对上述反射防止膜进行蚀刻处理、从而在上述反射防止膜上形成期望的图案的工序。

公开(公告)号：CN102129983A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010621800.7

申请日：2010-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 武川贵仁

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明提供一种适用于以抗蚀剂膜作为掩模的反射防止膜的蚀刻处理的蚀刻方法和蚀刻处理装置。该蚀刻方法的特征在于，包括：在被蚀刻层上形成反射防止膜(Si-ARC膜)的工序；在上述反射防止膜上形成图案化了的抗蚀剂膜(ArF抗蚀剂膜)的工序；以上述抗蚀剂膜为掩模、使用含有CF4气体、COS气体和O2气体的蚀刻气体对上述反射防止膜进行蚀刻处理、从而在上述反射防止膜上形成期望的图案的工序。