公开(公告)号：CN104851795B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201510078894.0

申请日：2015-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥垒 ,  石田龙宇 ,  成重和树

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法。对多层膜高速且选择性进行蚀刻。在等离子体处理装置的处理容器内隔着掩模对设置于蚀刻停止层上的并且包括具有相互不同的介电常数的交替层叠的第一膜和第二膜的多层膜进行蚀刻。该方法包括：(a)将包含氢、溴化氢和三氟化氮且包含烃、碳氟化合物和氟代烃中至少任一者的第一气体供给到处理容器内，使该第一气体激发，从多层膜的表面至层叠方向的中途位置对该多层膜进行蚀刻的步骤；和(b)将实质上不包含溴化氢而包含氢和三氟化氮并且包含烃、碳氟化合物和氟代烃中至少任一者的第二气体供给到处理容器内，使该第二气体激发，从多层膜的中途位置至蚀刻停止层的表面对该多层膜进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN104851795A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510078894.0

申请日：2015-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥垒 ,  石田龙宇 ,  成重和树

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法。对多层膜高速且选择性进行蚀刻。在等离子体处理装置的处理容器内隔着掩模对设置于蚀刻停止层上的并且包括具有相互不同的介电常数的交替层叠的第一膜和第二膜的多层膜进行蚀刻。该方法包括：(a)将包含氢、溴化氢和三氟化氮且包含烃、碳氟化合物和氟代烃中至少任一者的第一气体供给到处理容器内，使该第一气体激发，从多层膜的表面至层叠方向的中途位置对该多层膜进行蚀刻的步骤；和(b)将实质上不包含溴化氢而包含氢和三氟化氮并且包含烃、碳氟化合物和氟代烃中至少任一者的第二气体供给到处理容器内，使该第二气体激发，从多层膜的中途位置至蚀刻停止层的表面对该多层膜进行蚀刻的步骤。