公开(公告)号：CN113451098A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110275034.1

申请日：2021-03-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高良穣二 ,  秋本隆太 ,  渡边雄仁

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和消耗量测定方法，能够以不打开腔室的方式高精度地测定导电性构件的消耗量。等离子体处理装置具有处理容器和导电性构件，所述等离子体处理装置还具有：等离子体生成部，其构成为在处理容器内生成等离子体；电力施加部，其构成为在通过等离子体生成部在处理容器内生成了等离子体的状态下向导电性构件施加直流电力；测定部，其构成为测定与通过电力施加部施加的直流电力有关的物理量；以及计算部，其构成为将测定出的与直流电力有关的物理量使用于导电性构件的消耗量同与直流电力有关的物理量的相关函数，来求出导电性构件的消耗量。

公开(公告)号：CN113284786A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110183119.7

申请日：2021-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡部诚一 ,  成重和树 ,  林欣禾 ,  徐建峰 ,  黄艺豪 ,  梁振康 ,  吕育骏 ,  叶秋华 ,  赵斌 ,  蔡财进 ,  渡边雄仁 ,  河村浩司 ,  小松贤次 ,  金丽 ,  陈伟德 ,  刘达立

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供能够抑制蚀刻过程中的电弧放电的发生的基片处理方法和基片处理装置。本发明是一种腔室中的基片处理方法，其中，腔室包括：载置基片的载置台；与载置台相对的上部电极；和用于对腔室内供给处理气体的气体供给口，该基片处理方法包含下述a)～d)。a)是对载置台提供基片的工序。b)是对腔室内供给第一处理气体的工序。c)是通过一边对上部电极连续地供给负直流电压，一边连续地供给RF信号，来从第一处理气体生成等离子体的工序。d)是通过一边对上部电极连续地供给负直流电压，一边供给脉冲状的RF信号，来从第一处理气体生成等离子体的工序。c)和d)被交替地反复执行。此外，c)的每1次的期间为30秒以下。

公开(公告)号：CN111860859A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010305849.5

申请日：2020-04-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 片冈勇树 ,  渡边雄仁

IPC: G06N20/00

Abstract: 本发明提供一种能够高精度且高效地生成回归方程的学习方法、管理装置和管理程序。学习方法对等离子体处理装置的腔室内的发光数据进行预处理。学习方法设定用于生成回归方程的机器学习的约束，回归方程表示等离子体处理装置的蚀刻速率与发光数据之间的关系。学习方法从被进行预处理后的发光数据中选择学习对象的波长。学习方法接受对与发光数据不同的其它传感器的数据的选择。学习方法将选择出的波长、接受到的其它传感器的数据、以及蚀刻速率作为学习数据，基于所设定的约束来进行机器学习，生成回归方程。学习方法输出生成的回归方程。