公开(公告)号：CN114496702A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111292982.2

申请日：2021-11-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木淳一 ,  池上真史 ,  佐藤充明 ,  赤羽和彦

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够降低边缘环的更换频率、并且能够抑制传热气体的泄漏和颗粒的产生的边缘环和基片处理装置。边缘环是能够配置在被处理基片的周围的边缘环，其包括：由第一材料形成的环状的第一部件，该第一部件在内周侧的侧面下部具有第一倾斜部；和设置在第一部件的下部的环状的第二部件，其由与第一材料不同的第二材料形成，并具有与第一倾斜部相对的第二倾斜部。

公开(公告)号：CN113113281A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202011590290.1

申请日：2020-12-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 赤羽和彦 ,  塚原利也 ,  李星在 ,  尹南虎 ,  徐智洙

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及边缘环和基板处理装置。达成使用于等离子体处理的边缘环的更换频率的降低和在等离子体处理中的微粒的产生的抑制。边缘环具有第一上表面和第二上表面，第一上表面由碳化硅、碳化钨、氧化镁或者氧化钇形成，第二上表面形成于比第一上表面低的位置，与晶圆的周缘部的下表面相对，并且由硅形成。