公开(公告)号：CN102593036A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210069433.3

申请日：2009-03-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄 ,  小松智仁 ,  川崎裕雄

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供载置台构造以及处理装置，能防止对载置台产生大的热应力，防止该载置台自身破损，并且能抑制防止腐蚀用的吹扫气体的供给量。本发明涉及设置在能够排出内部的气体的处理容器(22)内，用于载置被处理体(W)的载置台构造(54)。该载置台构造(54)具备：载置被处理体(W)，由电介质构成的载置台(58)；设于载置台(58)，加热载置于载置台(58)的被处理体(W)的加热单元(64)；由电介质构成的多个保护支柱管(60)，它们以相对处理容器(22)的底部(44)竖立的方式设置，上端部与载置台(58)的下表面接合来支承载置台(58)。另外，在各保护支柱管(60)内插通有延伸到载置台的功能棒体(62)。

公开(公告)号：CN102714172A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005811.5

申请日：2011-02-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川崎裕雄 ,  齐藤哲也 ,  长冈秀树

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供一种载置台构造，其设置于能够进行排气的处理容器内，用于载置要处理的被处理体，该载置台构造的特征在于，具备：载置台，其用于载置所述被处理体，至少设置有加热单元，由电介质形成；和支柱，其为了支承所述载置台而从所述处理容器的底部侧竖起地设置，并且上端部与所述载置台的下表面连结，在内部具有沿着长度方向形成的多个贯通孔，且由电介质形成。

公开(公告)号：CN102668060A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080055569.8

申请日：2010-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川崎裕雄 ,  齐藤哲也 ,  长冈秀树 ,  村冈贵志 ,  山本弘彦

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68742 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明涉及设置于能够进行排气的处理容器内并用于载置应处理的被处理体的载置台构造。本发明的载置台构造包括：载置台，在板状的载置台主体上支承用于载置所述被处理体的热扩散板，并且在所述载置台主体与所述热扩散板的交界部分设置气体扩散室；设置于所述载置台的加热单元；一个或者多个支柱管，用于支承所述载置台，从所述处理容器的底部立起设置，其上端部与所述载置台的下表面连接，并且与所述气体扩散室连通，流过吹扫气体；载置台罩部件，其以覆盖所述载置台主体的侧面和下表面的方式设置；和支柱管罩部件，其包围所述支柱管的周围，并且上端部与所述载置台罩部件连结，从所述气体扩散室向下方引导流过所述载置台主体与所述载置台罩部件之间的间隙的所述吹扫气体，使所述吹扫气体从气体出口排出。

公开(公告)号：CN101689486B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200880022566.7

申请日：2008-06-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄 ,  川崎裕雄

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供一种载置台构造和热处理装置，该载置台构造包括：载置台，其具有由在分割成同心圆状的多个加热区域的每个分别配置的多个加热器部构成的加热单元，并且用于将作为热处理对象的被处理体载置在其上；在上述多个加热区域分别设置的多个温度测定单元；和用于立起并支承上述载置台的中空的支柱。上述支柱的直径从其下端部侧向上端部逐渐扩大，上述支柱的上端部与上述载置台的背面接合。各温度测定单元的测定单元主体插通上述中空的支柱内或在上述支柱的侧壁设置的插通路内。

公开(公告)号：CN102024736A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010286751.6

申请日：2010-09-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川崎裕雄

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种能够提高直接载置被处理体的热分散板的耐久性使其难以破损且连接端子不会腐蚀的载置台构造和处理装置。载置台构造被设置在能够排气的处理容器(32)内，用于载置要处理的被处理体(W)，包括：载置台主体(74)，其设置有对被处理体进行加热的加热机构(72)；热分散板(76)，其被设置在载置台主体上，并且在该热分散板的上表面载置有被处理体；电极(78)，其被设置在载置台主体内；筒体状的支柱(70)，其从处理容器的底部立起，用于支撑载置台主体；加热器供电部件(110A～110)，其插通在支柱内并且上端部与加热机构连接；和电极供电部件(112)，其插通在支柱内并且上端部与电极连接。

公开(公告)号：CN101772837B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200980100058.0

申请日：2009-03-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄 ,  小松智仁 ,  川崎裕雄

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供载置台构造以及处理装置，能防止对载置台产生大的热应力，防止该载置台自身破损，并且能抑制防止腐蚀用的吹扫气体的供给量。本发明涉及设置在能够排出内部的气体的处理容器(22)内，用于载置被处理体(W)的载置台构造(54)。该载置台构造(54)具备：载置被处理体(W)，由电介质构成的载置台(58)；设于载置台(58)，加热载置于载置台(58)的被处理体(W)的加热单元(64)；由电介质构成的多个保护支柱管(60)，它们以相对处理容器(22)的底部(44)竖立的方式设置，上端部与载置台(58)的下表面接合来支承载置台(58)。另外，在各保护支柱管(60)内插通有延伸到载置台的功能棒体(62)。

公开(公告)号：CN102610550A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210068839.X

申请日：2009-03-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中澄 ,  小松智仁 ,  川崎裕雄

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供载置台构造以及处理装置，能防止对载置台产生大的热应力，防止该载置台自身破损，并且能抑制防止腐蚀用的吹扫气体的供给量。本发明涉及设置在能够排出内部的气体的处理容器(22)内，用于载置被处理体(W)的载置台构造(54)。该载置台构造(54)具备：载置被处理体(W)，由电介质构成的载置台(58)；设于载置台(58)，加热载置于载置台(58)的被处理体(W)的加热单元(64)；由电介质构成的多个保护支柱管(60)，它们以相对处理容器(22)的底部(44)竖立的方式设置，上端部与载置台(58)的下表面接合来支承载置台(58)。另外，在各保护支柱管(60)内插通有延伸到载置台的功能棒体(62)。

公开(公告)号：CN101641768B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880009563.X

申请日：2008-03-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川崎裕雄

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68757

Abstract: 本发明提供载置台结构和使用它的处理装置。该载置台结构配置在使用微波并实施规定的热处理的处理容器内，其特征在于，包括：埋入有具有由非金属材料构成的发热体的加热单元并且载置上述被处理体的载置台；和从上述处理容器的底部立起并支承上述载置台的支柱，在上述载置台的上表面，设置有对上述微波的屏蔽部件。

公开(公告)号：CN101517706A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780035927.7

申请日：2007-08-22

Applicant: 科发伦材料株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 柴田和生 ,  川崎裕雄

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02 ,  H05B3/14 ,  H05B3/28 ,  H05B3/74 ,  H05B3/86

CPC classification number: H05B3/145 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103

Abstract: 本发明提供了面状加热器及具有此面状加热器的半导体热处理装置，其中，此面状加热器通过包括抑制高频感应的接地电极来抑制高频感应发热，并且此面状加热器不受被激励的反应气体的侵蚀。面状加热器1的特征为，其具有在二氧化硅玻璃板状体2内部配置并密封为平面状的碳线发热体CW、以及在此碳线发热体CW的上方的二氧化硅玻璃板状体2内部配置并密封为平面状的接地电极3。

公开(公告)号：CN1833312A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200480009294.9

申请日：2004-04-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川崎裕雄 ,  岩田辉夫 ,  纲仓学

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，将被处理体(W)放置在经由支柱而从处理容器(4)的底部立起并在内部埋入有加热装置(38)的放置台(32)的上面，对该被处理体进行规定热处理，其中，在上述放置台的上面、侧面和下面分别设置有具有耐热性的盖部件(72、73、76)。因此，可以防止成为污染原因的金属原子等从放置台热扩散情况的发生，从而，可以防止金属污染或者有机污染等的各种污染的发生。