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公开(公告)号：CN100426463C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200580000376.1
申请日：2005-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/448 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/4486 , C23C16/34 , C23C16/401 , C23C16/405
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，包括供给液态原料的原料供给部、使液态原料汽化并生成原料气体的汽化器、导入原料气体从而在被处理基板上形成薄膜的成膜室的成膜装置。所述汽化器具备喷射从原料供给部供给的液态原料的喷舞喷嘴、具有喷雾喷嘴开口的一个端部以及封闭的另一个端部，使从喷雾喷嘴喷射的雾状的液态原料汽化并生成原料气体的汽化室、对汽化室进行加热的加热器、在喷雾喷嘴的附近朝着汽化室开口并从汽化室导出原料气体的导出口。所述汽化室的封闭的另一个端部，为了使从喷雾喷嘴喷射的液态原料发生汽化，而仅与喷雾喷嘴保持足够的距离。
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公开(公告)号：CN1788334A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200580000376.1
申请日：2005-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/448 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/4486 , C23C16/34 , C23C16/401 , C23C16/405
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，包括供给液态原料的原料供给部、使液态原料汽化并生成原料气体的汽化器、导入原料气体从而在被处理基板上形成薄膜的成膜室的成膜装置。所述汽化器具备喷射从原料供给部供给的液态原料的喷雾喷嘴、具有喷雾喷嘴开口的一个端部以及封闭的另一个端部，使从喷雾喷嘴喷射的雾状的液态原料汽化并生成原料气体的汽化室、对汽化室进行加热的加热器、在喷雾喷嘴的附近朝着汽化室开口并从汽化室导出原料气体的导出口。所述汽化室的封闭的另一个端部，为了使从喷雾喷嘴喷射的液态原料发生汽化，而仅与喷雾喷嘴保持足够的距离。
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公开(公告)号：CN1871694A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480031416.4
申请日：2004-10-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565
Abstract: 本发明涉及一种向成膜装置的处理容器内供给成膜用的原料气体与支援气体的喷淋头。它具备具有气体喷射面(8)的主体。在喷淋头主体内形成接受原料气体并使其扩散的第一扩散室(60)、接受支援气体并且使其扩散的第二扩散室(62)。在气体喷射面上形成与第一扩散室连通的原料气体喷射口(10A)、与第二扩散室连通的第一支援气体喷射口(10B)。各个第一支援气体喷射口(10B)形成分别接近原料气体喷射口(10A)并且环绕它们的环形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100517598C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200480031416.4
申请日：2004-10-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565
Abstract: 本发明涉及一种向成膜装置的处理容器内供给成膜用的原料气体与支援气体的喷淋头。它具备具有气体喷射面(8)的主体。在喷淋头主体内形成接受原料气体并使其扩散的第一扩散室(60)、接受支援气体并且使其扩散的第二扩散室(62)。在气体喷射面上形成与第一扩散室连通的原料气体喷射口(10A)、与第二扩散室连通的第一支援气体喷射口(10B)。各个第一支援气体喷射口(10B)形成分别接近原料气体喷射口(10A)并且环绕它们的环形。
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公开(公告)号：CN100477087C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200480009294.9
申请日：2004-04-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种热处理装置，将被处理体(W)放置在经由支柱而从处理容器(4)的底部立起并在内部埋入有加热装置(38)的放置台(32)的上面，对该被处理体进行规定热处理，其中，在上述放置台的上面、侧面和下面分别设置有具有耐热性的盖部件(72、73、76)。因此，可以防止成为污染原因的金属原子等从放置台热扩散情况的发生，从而，可以防止金属污染或者有机污染等的各种污染的发生。
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公开(公告)号：CN100499033C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200580002527.7
申请日：2005-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 纲仓学
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/455 , C23C16/45572 , H01L21/67109
Abstract: 喷头结构(26)，具备：具有形成有多个气体喷射孔(30A、30B)的底壁(78A)和从底壁的边缘部竖起的侧壁(78B)、整体形成为杯形的一体式结构的喷头主体(78)。喷头主体(78)中收容有多个气体扩散室隔板(82A～82C)。设置在处理容器(24)天井部的喷头安装框架(76)上设置有贯通孔，喷头主体(78)侧壁(78B)的上侧部分插入其中，由此，侧壁(78B)的一部分露出于处理容器的外部。在侧壁(78B)的上端部安装有冷却机构(84)。可以提高冷却机构(84)和底壁(78A)之间的热传导性，将底壁(78A)控制在适宜的温度，防止不需要的膜附着在底壁(78A)上。
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公开(公告)号：CN1910739A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002527.7
申请日：2005-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 纲仓学
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/455 , C23C16/45572 , H01L21/67109
Abstract: 喷头结构(26)，具备：具有形成有多个气体喷射孔(30A、30B)的底壁(78A)和从底壁的边缘部竖起的侧壁(78B)、整体形成为杯形的一体式结构的喷头主体(78)。喷头主体(78)中收容有多个气体扩散室隔板(82A～82C)。设置在处理容器(24)天井部的喷头安装框架(76)上设置有贯通孔，喷头主体(78)侧壁(78B)的上侧部分插入其中，由此，侧壁(78B)的一部分露出于处理容器的外部。在侧壁(78B)的上端部安装有冷却机构(84)。可以提高冷却机构(84)和底壁(78A)之间的热传导性，将底壁(78A)控制在适宜的温度，防止不需要的膜附着在底壁(78A)上。
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公开(公告)号：CN1833312A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480009294.9
申请日：2004-04-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种热处理装置，将被处理体(W)放置在经由支柱而从处理容器(4)的底部立起并在内部埋入有加热装置(38)的放置台(32)的上面，对该被处理体进行规定热处理，其中，在上述放置台的上面、侧面和下面分别设置有具有耐热性的盖部件(72、73、76)。因此，可以防止成为污染原因的金属原子等从放置台热扩散情况的发生，从而，可以防止金属污染或者有机污染等的各种污染的发生。
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