载置台构造以及热处理装置

    公开(公告)号:CN101903980A

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN200980100768.3

    申请日:2009-03-13

    Abstract: 本发明提供载置台构造以及热处理装置,能防止在载置台的中心部产生冷却点,防止该载置台本身破损,并且能够提高对被处理体的热处理的面内均匀性。设置在热处理装置的处理容器(22)内,用于载置作为应进行热处理的被处理体的半导体晶片(W)的载置台构造,具备:用于载置上述被处理体的载置台(52);和与上述载置台下表面的中心部连结并支承上述载置台的筒体状的支柱(54)。在上述支柱内的上部设有接近上述载置台的下表面设置的热反射部(56)。利用热反射部(56)阻止在载置台(54)的中心部产生冷却点。

    载置台构造和处理装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102157427B

    公开(公告)日:2014-05-07

    申请号:CN201110049688.9

    申请日:2008-01-16

    CPC classification number: H01L21/67103 C23C16/4586

    Abstract: 载置台构造和处理装置。在陶瓷制的载置台主体(72)的内部埋设有被馈电导体部(94、96)。在载置台主体(72)的表面形成有凹部形态的连接孔(112),由与被馈电导体部电接合的高熔点金属、其合金或其化合物构成的连接端子(110)从该连接孔(112)的内部露出。为了向被馈电导体部进行馈电将设置在馈电用线路部件的前端的馈电用连接器部(114)插入到连接孔内。将应力缓和部件(116)设置在连接端子和馈电用连接器部之间。应力缓和部件和连接端子利用钎料(120)而接合。应力缓和部件由不含钴和镍的金属或其合金构成。因此,能够防止在连接端子和馈电用连接器部的接合部中发生金属元件的热扩散,防止接合强度的恶化。

    载置台构造和处理装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101584036B

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN200880002521.3

    申请日:2008-01-16

    CPC classification number: H01L21/67103 C23C16/4586

    Abstract: 在陶瓷制的载置台主体(72)的内部埋设有被馈电导体部(94、96)。在载置台主体(72)的表面形成有凹部形态的连接孔(112),由与被馈电导体部电接合的高熔点金属、其合金或其化合物构成的连接端子(110)从该连接孔(112)的内部露出。为了向被馈电导体部进行馈电将设置在馈电用线路部件的前端的馈电用连接器部(114)插入到连接孔内。将应力缓和部件(116)设置在连接端子和馈电用连接器部之间。应力缓和部件和连接端子利用钎料(120)而接合。应力缓和部件由不含钴和镍的金属或其合金构成。因此,能够防止在连接端子和馈电用连接器部的接合部中发生金属元件的热扩散,防止接合强度的恶化。

    载置台构造和处理装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102157427A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110049688.9

    申请日:2008-01-16

    CPC classification number: H01L21/67103 C23C16/4586

    Abstract: 载置台构造和处理装置。在陶瓷制的载置台主体(72)的内部埋设有被馈电导体部(94、96)。在载置台主体(72)的表面形成有凹部形态的连接孔(112),由与被馈电导体部电接合的高熔点金属、其合金或其化合物构成的连接端子(110)从该连接孔(112)的内部露出。为了向被馈电导体部进行馈电将设置在馈电用线路部件的前端的馈电用连接器部(114)插入到连接孔内。将应力缓和部件(116)设置在连接端子和馈电用连接器部之间。应力缓和部件和连接端子利用钎料(120)而接合。应力缓和部件由不含钴和镍的金属或其合金构成。因此,能够防止在连接端子和馈电用连接器部的接合部中发生金属元件的热扩散,防止接合强度的恶化。

    载置台构造以及热处理装置

    公开(公告)号:CN101903980B

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:CN200980100768.3

    申请日:2009-03-13

    Abstract: 本发明提供载置台构造以及热处理装置,能防止在载置台的中心部产生冷却点,防止该载置台本身破损,并且能够提高对被处理体的热处理的面内均匀性。设置在热处理装置的处理容器(22)内,用于载置作为应进行热处理的被处理体的半导体晶片(W)的载置台构造,具备:用于载置上述被处理体的载置台(52);和与上述载置台下表面的中心部连结并支承上述载置台的筒体状的支柱(54)。在上述支柱内的上部设有接近上述载置台的下表面设置的热反射部(56)。利用热反射部(56)阻止在载置台(54)的中心部产生冷却点。

    载置台构造和处理装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102668060A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:CN201080055569.8

    申请日:2010-12-20

    Abstract: 本发明涉及设置于能够进行排气的处理容器内并用于载置应处理的被处理体的载置台构造。本发明的载置台构造包括:载置台,在板状的载置台主体上支承用于载置所述被处理体的热扩散板,并且在所述载置台主体与所述热扩散板的交界部分设置气体扩散室;设置于所述载置台的加热单元;一个或者多个支柱管,用于支承所述载置台,从所述处理容器的底部立起设置,其上端部与所述载置台的下表面连接,并且与所述气体扩散室连通,流过吹扫气体;载置台罩部件,其以覆盖所述载置台主体的侧面和下表面的方式设置;和支柱管罩部件,其包围所述支柱管的周围,并且上端部与所述载置台罩部件连结,从所述气体扩散室向下方引导流过所述载置台主体与所述载置台罩部件之间的间隙的所述吹扫气体,使所述吹扫气体从气体出口排出。

    载置台构造和处理装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101584036A

    公开(公告)日:2009-11-18

    申请号:CN200880002521.3

    申请日:2008-01-16

    CPC classification number: H01L21/67103 C23C16/4586

    Abstract: 在陶瓷制的载置台主体(72)的内部埋设有被馈电导体部(94、96)。在载置台主体(72)的表面形成有凹部形态的连接孔(112),由与被馈电导体部电接合的高熔点金属、其合金或其化合物构成的连接端子(110)从该连接孔(112)的内部露出。为了向被馈电导体部进行馈电将设置在馈电用线路部件的前端的馈电用连接器部(114)插入到连接孔内。将应力缓和部件(116)设置在连接端子和馈电用连接器部之间。应力缓和部件和连接端子利用钎料(120)而接合。应力缓和部件由不含钴和镍的金属或其合金构成。因此,能够防止在连接端子和馈电用连接器部的接合部中发生金属元件的热扩散,防止接合强度的恶化。

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