-
公开(公告)号：CN101443715B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200780016753.X
申请日：2007-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05B19/418 , G06Q10/06 , G06Q50/04
CPC classification number: G05B19/4184 , G05B23/0264 , G05B2219/31365 , G06Q10/06 , G06Q50/04 , Y02P90/14 , Y02P90/18 , Y02P90/30
Abstract: 在以往的服务器装置中存在无法容易且有效地进行异常分析的问题。通过如下的服务器装置能够容易且有效地进行异常分析，该服务器装置保存多个测量信息，该测量信息是关于由多个制造装置测量出的信息的时间序列的信息，是具有识别制造装置的装置标识符和表示时刻的时刻信息的信息，保存作为表示异常的信息的异常信息与一个以上的测量信息的一个以上的对应，具备：异常信息输出部，其输出一个以上的异常信息；图表构成部，其在接受了对于异常信息输出部输出的一个以上的异常信息中的一个以上的异常信息的指示、即异常信息指示的情况下，由与对应于异常信息指示的一个以上的异常信息成对的一个以上的测量信息构成一个以上的图表；以及输出部，其输出图表构成部构成的一个以上的图表。
-
公开(公告)号：CN100536076C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200580045356.6
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
Abstract: 为了检测半导体制造装置的异常，准备了从表示半导体制造装置的状态的多个装置状态参数选择两个监视对象参数分别作为第一轴和第二轴而成的二轴坐标系。选择例如在成膜装置中实施的过去的成膜处理的累积膜厚和用于控制反应容器内的压力而设置在真空排气线路上的压力调整阀的开度作为监视对象参数。将过去在半导体制造装置正常运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出。在标绘点组的周围设定正常状态和异常状态。将半导体制造装置当前运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出，基于该标绘点和所述边界的位置关系，确定有无异常的发生以及异常的种类。
-
公开(公告)号：CN119480685A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411017648.X
申请日：2024-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供温度控制方法和基片处理装置，以比加热部的控制极限值精细的精度进行温度控制。温度控制方法由包括处理容器和加热部的基片处理装置执行，可将基片送入和送出处理容器，加热部可对处理容器内进行加热，方法包括：a步骤，设定对于目标温度的温度变化量，目标温度的值具有到比表示加热部的控制极限值的第一位小的第二位为止的数值；b步骤，将温度变化量分为第一位以上的第一温度和小于第一位的第二温度，计算将时间长度分为与第二温度对应的第一时间和其以外的第二时间的比率，时间长度被拆分为与第一位和第二位的数量级之差对应的倍数份；和c步骤，控制加热部，使温度在按比率将基片的处理步骤的时间分成的前后时间进行上下变化。
-
公开(公告)号：CN101082817B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200710108521.9
申请日：2007-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05B19/04
Abstract: 本发明提供一种信息处理装置(100)，处理作为关于对包含半导体的处理对象物进行与作为设定处理条件的值的设定值相应的处理的半导体制造装置(200)的处理时状态取得的值的取得值，包括：接受设定值的设定值接受部(101)、接受取得值的状态值接受部(102)、与作为表示设定值和取得值关系的函数的校正函数相应地算出取得值的校正量的校正量算出部(103)、利用校正量算出部(103)算出的校正量校正状态值接受部(102)接受的取得值的校正部(104)、和输出校正部(104)已校正的结果的输出部(105)。能够解决现有的信息处理装置中关于用不同的设定值进行的处理，难以容易地监视从各个半导体制造装置取得的值的问题。
-
公开(公告)号：CN101291551A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810091489.2
申请日：2008-04-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F27B17/0025
Abstract: 本发明提供一种加热器线材的寿命预测方法，在应用于热处理装置的加热器线材断线之前对其寿命事先进行预测时，通过利用加热器线材的断线的征兆容易显现的期间(例如升温期间)的数据，能够比现有技术更准确地预测加热器线材的寿命。在对晶片进行热处理之前，在向加热器线材供给电力直至使其升温至热处理温度的升温期间，对供向加热器线材的电力的大小的最大值进行检测，并且求取表示电力的振幅的大小的指标，当这些电力的大小和表示电力的振幅的大小的指标超过各自的阈值时通知加热器线材的寿命将结束。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101291551B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200810091489.2
申请日：2008-04-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F27B17/0025
Abstract: 本发明提供一种加热器线材的寿命预测方法，在应用于热处理装置的加热器线材断线之前对其寿命事先进行预测时，通过利用加热器线材的断线的征兆容易显现的期间(例如升温期间)的数据，能够比现有技术更准确地预测加热器线材的寿命。在对晶片进行热处理之前，在向加热器线材供给电力直至使其升温至热处理温度的升温期间，对供向加热器线材的电力的大小的最大值进行检测，并且求取表示电力的振幅的大小的指标，当这些电力的大小和表示电力的振幅的大小的指标超过各自的阈值时通知加热器线材的寿命将结束。
-
公开(公告)号：CN102096412A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010601253.6
申请日：2007-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G05B23/0221 , G05B2219/32184 , G05B2219/32192 , G05B2219/45031 , Y02P90/22
Abstract: 本发明提供一种信息处理装置(100)，处理作为关于对包含半导体的处理对象物进行与作为设定处理条件的值的设定值相应的处理的半导体制造装置(200)的处理时状态取得的值的取得值，包括：接受设定值的设定值接受部(101)、接受取得值的状态值接受部(102)、与作为表示设定值和取得值关系的函数的校正函数相应地算出取得值的校正量的校正量算出部(103)、利用校正量算出部(103)算出的校正量校正状态值接受部(102)接受的取得值的校正部(104)、和输出校正部(104)已校正的结果的输出部(105)。能够解决现有的信息处理装置中关于用不同的设定值进行的处理，难以容易地监视从各个半导体制造装置取得的值的问题。
-
公开(公告)号：CN101334665A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810129124.4
申请日：2008-06-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05B19/418 , H01L21/00
Abstract: 提供一种群管理系统、半导体制造装置以及信息处理方法。在现有的群管理系统等中，存在不能在短时间内正确地进行能源检查的问题。群管理系统具备：一个以上半导体制造装置、以及与该一个以上半导体制造装置连接的服务器装置，半导体制造装置具备：能源信息获取部，其获取能源信息，该能源信息是表示在半导体制造工艺中使用的一个以上能源的值的信息；以及发送部，其将能源信息获取部获取的能源信息发送到上述服务器，服务器装置具备：接收部，其接收从半导体制造装置发送的能源信息；服务器侧判断部，其判断接收部接收的能源信息所表示的能源值是否是规定值；以及服务器侧输出部，其进行与服务器侧判断部的判断结果相应的输出。
-
公开(公告)号：CN101095214A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200580045356.6
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
Abstract: 为了检测半导体制造装置的异常，准备了从表示半导体制造装置的状态的多个装置状态参数选择两个监视对象参数分别作为第一轴和第二轴而成的二轴坐标系。选择例如在成膜装置中实施的过去的成膜处理的累积膜厚和用于控制反应容器内的压力而设置在真空排气线路上的压力调整阀的开度作为监视对象参数。将过去在半导体制造装置正常运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出。在标绘点组的周围设定正常状态和异常状态。将半导体制造装置当前运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出，基于该标绘点和所述边界的位置关系，确定有无异常的发生以及异常的种类。
-
公开(公告)号：CN101082817A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710108521.9
申请日：2007-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种信息处理装置(100)，处理作为关于对包含半导体的处理对象物进行与作为设定处理条件的值的设定值相应的处理的半导体制造装置(200)的处理时状态取得的值的取得值，包括：接受设定值的设定值接受部(101)、接受取得值的状态值接受部(102)、与作为表示设定值和取得值关系的函数的校正函数相应地算出取得值的校正量的校正量算出部(103)、利用校正量算出部(103)算出的校正量校正状态值接受部(102)接受的取得值的校正部(104)、和输出校正部(104)已校正的结果的输出部(105)。能够解决现有的信息处理装置中关于用不同的设定值进行的处理，难以容易地监视从各个半导体制造装置取得的值的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.029 seconds)
