-
公开(公告)号：CN118737938A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410303114.7
申请日：2024-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及基板处理装置。提供一种能够扩大可收纳基板保持件的处理容器内的容积的技术。本公开的一形态的基板处理装置具备：真空容器，其收纳用于保持多个基板的基板保持件，并且在下端具有开口；盖体，其对所述开口进行开闭；以及绝热单元，其对所述基板保持件的下方的第1空间进行绝热，所述绝热单元具有划分构件，该划分构件形成相对于所述第1空间划分开的第2空间，所述划分构件设为能够相对于所述盖体旋转。
-
公开(公告)号：CN103898472A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310741893.0
申请日：2013-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/02532 , C23C16/0218 , C23C16/24 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种硅膜的成膜方法以及成膜装置，所述成膜方法在基底上形成包含硅膜的膜，其具备：将该基底加热，在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在基底表面上形成晶种层的工序；以及，将基底加热，在加热了的基底表面的晶种层上供给不含氨基的硅烷系气体，在晶种层上形成硅膜的工序，前述晶种层的形成工序所使用的氨基硅烷系气体的分子中包含2个以上的硅。
-
公开(公告)号：CN118588627A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410200326.2
申请日：2024-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永田朋幸
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明涉及基板处理装置。提供能够提高抗震性的技术。本公开的一技术方案的基板处理装置具备：旋转台，其固定于旋转轴；基板保持件，其载置在所述旋转台上，将基板以水平姿势保持为多层；以及第1紧固构件，其将所述基板保持件固定在所述旋转台上，所述基板保持件具有载置在所述旋转台上的底板，所述第1紧固构件从上下方向夹着所述旋转台和所述底板，而将所述基板保持件固定在所述旋转台上。
-
公开(公告)号：CN108091598B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201711162642.1
申请日：2017-11-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永田朋幸
IPC: H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种能够使基板处理的面内均匀性提高的基板处理装置。一实施方式的基板处理装置具有：处理容器；旋转轴，其设为能够贯穿于所述处理容器的开口部，且在上下方向延伸；支承部，其设置于所述旋转轴的上端；基板保持器具，其载置于所述支承部上，该基板保持器具在上下方向具有预定间隔且大致水平地保持多个基板；以及重心位置调整构件，其配置于所述支承部的预定区域，该重心位置调整构件对绕所述旋转轴旋转的、包括所述支承部和所述基板保持器具在内的旋转体的重心位置进行调整。
-
公开(公告)号：CN108085658A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711162704.9
申请日：2017-11-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永田朋幸
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45574
Abstract: 本发明提供能抑制在基板面内和面间供给气体浓度分布的偏差的基板处理装置。具有：处理容器，其设为能收纳并处理多个基板；多个气体喷嘴，其设于处理容器内沿处理容器周向排列沿长度方向延伸，向处理容器内供给气体；及排气部，其设于处理容器内的与多个气体喷嘴相对位置，对处理容器内气体排气，气体喷嘴含：喷嘴基部，其沿处理容器周向排列；及气体供给部，其与喷嘴基部连接，向处理容器内供给气体，多个气体喷嘴含：第1气体喷嘴，其含位于处理容器内最下方的第1气体供给部；及第2气体喷嘴，其含位于比第1气体供给部靠上方位置的第2气体供给部，以第1气体供给部和第2气体供给部沿处理容器长度方向置于一直线上的方式形成第2气体喷嘴。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108538748B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201810158626.3
申请日：2018-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种气体导入机构及热处理装置，能够防止气体在歧管与喷射器的连接部分泄漏。一实施方式的气体导入机构具有：纵长的处理容器；喷射器，其沿着所述处理容器的内周壁的纵向方向设置，并且被设为至少在所述处理容器的下部与所述内周壁之间具有间隔；歧管，其从下方支承所述喷射器；推压力产生构件，其在所述喷射器的下部对所述喷射器施加从下方朝向上方的推压力；以及限制构件，其用于限制所述喷射器向上方移动。
-
公开(公告)号：CN111058015B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201910956845.0
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永田朋幸
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理装置、基板的输入方法以及基板处理方法。该基板处理装置能够使内管与基板之间的距离接近。该基板处理装置具有：圆筒形状的反应管，其在下端具有开口；盖体，其能够打开关闭该反应管的所述开口；基板保持件，其能够载置于该盖体，能够在纵向上空开间隔地多层保持多个基板；以及内管，其能够载置于所述盖体，覆盖所述基板保持件。
-
公开(公告)号：CN110993498A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910916456.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永田朋幸
Abstract: 本发明提供喷射器及使用了该喷射器的基板处理装置以及基板处理方法。提供能够在更靠近基板的位置供给处理气体的喷射器及使用了该喷射器的基板处理装置以及基板处理方法。一种在长度方向上延伸的喷射器，该喷射器具有：气体导入部，其在与所述长度方向垂直的截面上具有圆形或正多边形的截面形状，且不具有喷出孔；以及气体供给部，其在与所述长度方向垂直的截面上具有向一个方向突出的截面形状，在突出的部分的顶端沿着所述长度方向具有多个喷出孔，并且该气体供给部的所述长度方向上的一端与所述气体导入部连接。
-
公开(公告)号：CN108091598A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711162642.1
申请日：2017-11-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 永田朋幸
IPC: H01L21/673
CPC classification number: H01L21/67309
Abstract: 本发明提供一种能够使基板处理的面内均匀性提高的基板处理装置。一实施方式的基板处理装置具有：处理容器；旋转轴，其设为能够贯穿于所述处理容器的开口部，且在上下方向延伸；支承部，其设置于所述旋转轴的上端；基板保持器具，其载置于所述支承部上，该基板保持器具在上下方向具有预定间隔且大致水平地保持多个基板；以及重心位置调整构件，其配置于所述支承部的预定区域，该重心位置调整构件对绕所述旋转轴旋转的、包括所述支承部和所述基板保持器具在内的旋转体的重心位置进行调整。
-
公开(公告)号：CN118737884A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410290826.X
申请日：2024-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开涉及基板处理装置。提供一种能够缩短绝热单元的升降温时间的技术。本公开的一技术方案的基板处理装置具备：处理容器，其收纳用于保持多个基板的基板保持件，并且在下端具有开口；盖体，其对所述开口进行开闭；以及绝热单元，其设于所述盖体之上，对所述基板保持件的下方的第1空间进行绝热，所述绝热单元具有划分构件，该划分构件形成相对于所述第1空间划分开的第2空间，所述盖体具有用于向所述第2空间供给调温流体的供给口和用于自所述第2空间将所述调温流体排气的排气口。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.024 seconds)
