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公开(公告)号：CN105316649A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510290742.7
申请日：2015-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社
IPC: C23C16/36
CPC classification number: H01L21/02167 , C23C16/36 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/0228
Abstract: 本发明为在被处理体的被处理面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法，其具备：向容纳有前述被处理体的处理室内供给包含Si原料的Si原料气体的工序；和在供给前述Si原料气体的工序之后，向前述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序；作为前述氮化剂使用氮与碳的化合物。
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公开(公告)号：CN105316649B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201510290742.7
申请日：2015-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社
IPC: C23C16/36
CPC classification number: H01L21/02167 , C23C16/36 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/0228
Abstract: 本发明为在被处理体的被处理面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法，其具备：向容纳有前述被处理体的处理室内供给包含Si原料的Si原料气体的工序；和在供给前述Si原料气体的工序之后，向前述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序；作为前述氮化剂使用氮与碳的化合物。
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公开(公告)号：CN107452617B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201710293704.6
申请日：2017-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 清水亮
IPC: H01L21/318
Abstract: 提供能够在微细的凹部不产生空隙、缝地填入氮化膜的凹部的填埋方法。重复进行成膜原料气体吸附工序和氮化工序从而在凹部内形成氮化膜而填埋凹部，所述成膜原料气体吸附工序：使表面形成有凹部的被处理基板吸附含有想要成膜的氮化膜的构成元素的成膜原料气体；所述氮化工序：通过活化氮化气体而生成的氮化物种，使前述吸附的成膜原料气体氮化，此时将形成氮化膜的期间的至少一部分设为自下而上生长期间，在该自下而上生长期间，以气相状态供给能够吸附于被处理基板的表面的高分子材料，使之吸附于凹部的上部，阻碍成膜原料气体的吸附，使氮化膜自凹部的底部生长。
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公开(公告)号：CN105177525B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201510303128.X
申请日：2015-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。成膜装置包括：原料气体供给部，向基板供给含有原料的原料气体；气氛气体供给部，供给用于形成具有引起链式分解反应的浓度以上的浓度的臭氧的臭氧气氛的气氛气体；能量供给部，通过向臭氧气氛供给能量来使臭氧强制地分解而产生氧的活性种，利用活性种来使原料氧化而获得氧化物；控制部，输出控制信号，以便多次重复进行包括原料气体的供给、气氛气体的供给及能量供给的循环；缓冲区域，其与真空容器相连接地设置，向其供给非活性气体，以便缓和臭氧的分解所导致的真空容器内的压力上升；划分机构，在向真空容器供给气氛气体时将真空容器与缓冲区域划分开并在产生臭氧的分解时使缓冲区域与真空容器相连通。
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公开(公告)号：CN105200393A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510333848.0
申请日：2015-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/402 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/45582 , C23C16/4584 , H01L21/02219 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置用于在形成于真空容器内的真空气氛中在载置在台上的基板的表面上层叠氧化物的分子层而形成薄膜，其中，该成膜装置包括：旋转机构；原料气体供给部；处理空间形成构件，其形成处理空间；气氛气体供给部；能量供给部，其用于通过向所述臭氧气氛供给能量来使所述臭氧强制地分解而产生氧的活性种，利用该活性种来使吸附在所述基板的表面上的原料氧化而获得所述氧化物；缓冲区域，其缓和所述臭氧的分解所导致的所述处理空间内的压力上升；以及划分机构，其用于在向所述处理空间供给所述气氛气体时将所述缓冲区域与该处理空间划分开，并在产生所述臭氧的分解时使所述缓冲区域与所述处理空间相连通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105200393B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201510333848.0
申请日：2015-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置用于在形成于真空容器内的真空气氛中在载置在台上的基板的表面上层叠氧化物的分子层而形成薄膜，其中，该成膜装置包括：旋转机构；原料气体供给部；处理空间形成构件，其形成处理空间；气氛气体供给部；能量供给部，其用于通过向所述臭氧气氛供给能量来使所述臭氧强制地分解而产生氧的活性种，利用该活性种来使吸附在所述基板的表面上的原料氧化而获得所述氧化物；缓冲区域，其缓和所述臭氧的分解所导致的所述处理空间内的压力上升；以及划分机构，其用于在向所述处理空间供给所述气氛气体时将所述缓冲区域与该处理空间划分开，并在产生所述臭氧的分解时使所述缓冲区域与所述处理空间相连通。
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公开(公告)号：CN108695151B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810298565.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/318
Abstract: 本发明提供一种能够在使薄膜选择性地沉积于绝缘膜和导电膜露出的基底上时更有效地进行绝缘膜的选择性沉积的选择性沉积方法。所述选择性沉积方法使薄膜选择性地沉积于绝缘膜和导电膜露出的基底上，所述选择性沉积方法具有：准备具有绝缘膜和导电膜露出的基底的被处理体的工序；以及多次重复第一阶段和第二阶段来使硅系绝缘膜选择性地沉积于所述绝缘膜上，并且此时通过与反应气体之间的反应来使导电膜气化，从而使所述导电膜膜减少的工序，其中，在所述第一阶段中，使氨基硅烷系气体吸附于绝缘膜和导电膜上，在所述第二阶段中，供给用于与吸附的氨基硅烷系气体发生反应来形成硅系绝缘膜的反应气体。
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公开(公告)号：CN108695151A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810298565.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/28562 , H01L21/32 , H01L21/0223 , H01L21/02247
Abstract: 本发明提供一种能够在使薄膜选择性地沉积于绝缘膜和导电膜露出的基底上时更有效地进行绝缘膜的选择性沉积的选择性沉积方法。所述选择性沉积方法使薄膜选择性地沉积于绝缘膜和导电膜露出的基底上，所述选择性沉积方法具有：准备具有绝缘膜和导电膜露出的基底的被处理体的工序；以及多次重复第一阶段和第二阶段来使硅系绝缘膜选择性地沉积于所述绝缘膜上，并且此时通过与反应气体之间的反应来使导电膜气化，从而使所述导电膜膜减少的工序，其中，在所述第一阶段中，使氨基硅烷系气体吸附于绝缘膜和导电膜上，在所述第二阶段中，供给用于与吸附的氨基硅烷系气体发生反应来形成硅系绝缘膜的反应气体。
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公开(公告)号：CN109468613A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811000943.9
申请日：2018-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，提供抑制对晶片的损伤，并以低温形成高品质的氮化硅膜的技术。当对在处理容器(1)内载置的晶片W供给Si2H6气体和NH3气体来形成SiN膜时，针对NH3气体，进行在与Si2H6气体反应前照射紫外线的远程紫外线照射，并供给至处理容器1内。因此，能够利用活化的NH3气体和Si2H6气体在较低的加热温度下在晶片W形成高品质的氮化硅膜。而且，由于设为对向处理容器1内导入前的NH3气体照射紫外线的远程紫外线处理，所以能够不对晶片W照射紫外线并抑制晶片W的损伤。
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公开(公告)号：CN107452617A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710293704.6
申请日：2017-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 清水亮
IPC: H01L21/318
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/045 , C23C16/45527 , C23C16/45534 , C23C16/45551 , H01L21/0217 , H01L21/02247
Abstract: 提供能够在微细的凹部不产生空隙、缝地填入氮化膜的凹部的填埋方法。重复进行成膜原料气体吸附工序和氮化工序从而在凹部内形成氮化膜而填埋凹部，所述成膜原料气体吸附工序：使表面形成有凹部的被处理基板吸附含有想要成膜的氮化膜的构成元素的成膜原料气体；所述氮化工序：通过活化氮化气体而生成的氮化物种，使前述吸附的成膜原料气体氮化，此时将形成氮化膜的期间的至少一部分设为自下而上生长期间，在该自下而上生长期间，以气相状态供给能够吸附于被处理基板的表面的高分子材料，使之吸附于凹部的上部，阻碍成膜原料气体的吸附，使氮化膜自凹部的底部生长。
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